Cтраница 1
Возможность наращивания: добавление новых правил в базу знаний происходит относительно независимо от других. [1]
Возможность наращивания толстых, прочно сцепленных с основой, слоев хрома обеспечила широкое применение хромирования как ремонтно-восстановительной операции, не. [2]
Возможность иккрементного наращивания: добавление новых правил в базу знаний происходит относительно независимо от других правил. [3]
Возможность наращивания объема памяти микропрограмм позволяет расширять существующий набор команд и создает предпосылки для создания на базе МПК различных управляющих и обрабатывающих устройств. [4]
Возможность наращивания разрядности обрабатываемой информации и применение микропрограмм обеспечивают гибкость и широкую сферу применения секционных МПК, так как разработчик аппаратуры сам может определять набор команд. [5]
Предусматривается возможность наращивания пособия за счет использования новых разработок. [6]
Структурная схема ЕС-7908. [7] |
Предусмотрена возможность наращивания программного обеспечения для решения прикладных задач пользователя. [8]
Микросхема имеет возможность наращивания разрядности до любой, кратной четырем, с организацией последовательного и ускоренного переноса; выполняет 32 инструкции формирования адреса, 16 из которых являются условными на состояние внешнего входа кода условия; обеспечивает 12 различных модификаций относительной адресации. [9]
Микропроцессоры имеют возможность наращивания разрядов с определенной дискретностью. [10]
Структурная схема однокристального микропроцессора. [11] |
Секционность обеспечивает возможность наращивания разрядности обрабатываемых данных или усложнения устройств управления микропроцессором при параллельном включении БИС. Параллельное включение микропроцессорных секций реализуется специальными БИС, также входящими в МПК. [12]
С появлением возможности наращивания тонких эпи-таксиальных слоев ( 1 - 2 мкм) были разработаны методы изоляции элементов, позволяющие сэкономить значительную долю площади кристаллов. [14]
Для обеспечения возможности наращивания емкости КП оно троится модульным. Исходящие и входящие временные соеди-ители BI и В2 образуют временные модули ВМ. [15]