Возможность - наращивание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Мода - это форма уродства столь невыносимого, что нам приходится менять ее каждые шесть месяцев. Законы Мерфи (еще...)

Возможность - наращивание

Cтраница 1


Возможность наращивания: добавление новых правил в базу знаний происходит относительно независимо от других.  [1]

Возможность наращивания толстых, прочно сцепленных с основой, слоев хрома обеспечила широкое применение хромирования как ремонтно-восстановительной операции, не.  [2]

Возможность иккрементного наращивания: добавление новых правил в базу знаний происходит относительно независимо от других правил.  [3]

Возможность наращивания объема памяти микропрограмм позволяет расширять существующий набор команд и создает предпосылки для создания на базе МПК различных управляющих и обрабатывающих устройств.  [4]

Возможность наращивания разрядности обрабатываемой информации и применение микропрограмм обеспечивают гибкость и широкую сферу применения секционных МПК, так как разработчик аппаратуры сам может определять набор команд.  [5]

Предусматривается возможность наращивания пособия за счет использования новых разработок.  [6]

7 Структурная схема ЕС-7908. [7]

Предусмотрена возможность наращивания программного обеспечения для решения прикладных задач пользователя.  [8]

Микросхема имеет возможность наращивания разрядности до любой, кратной четырем, с организацией последовательного и ускоренного переноса; выполняет 32 инструкции формирования адреса, 16 из которых являются условными на состояние внешнего входа кода условия; обеспечивает 12 различных модификаций относительной адресации.  [9]

Микропроцессоры имеют возможность наращивания разрядов с определенной дискретностью.  [10]

11 Структурная схема однокристального микропроцессора. [11]

Секционность обеспечивает возможность наращивания разрядности обрабатываемых данных или усложнения устройств управления микропроцессором при параллельном включении БИС. Параллельное включение микропроцессорных секций реализуется специальными БИС, также входящими в МПК.  [12]

13 Схема метода коллекторной изолирующей диффузии. а - диффузия для создания скрытого коллекторного слоя. б - эпитаксия кремния р-типа толщиной 1 - 2 мкм. в - коллекторная диффузия. г - базовая диффузия ( без маски. д - эмиттерная диффузия, вскрытие контактных окон и создание алюминиевой металлизации. [13]

С появлением возможности наращивания тонких эпи-таксиальных слоев ( 1 - 2 мкм) были разработаны методы изоляции элементов, позволяющие сэкономить значительную долю площади кристаллов.  [14]

Для обеспечения возможности наращивания емкости КП оно троится модульным. Исходящие и входящие временные соеди-ители BI и В2 образуют временные модули ВМ.  [15]



Страницы:      1    2    3    4