Возможность - образование - кристалл
Cтраница 2
Он обеспечивается тем, что происходящее ( в первый момент увеличения силы тока) обеднение ионами слоя раствора, примыкающего к еще не изменившейся растущей поверхности, обусловливает нарастание градиента концентрации и соответственно плотности диффузионного потока. Однако за счет возрастающей при этом концентрационной поляризации снижается эффективное перенапряжение, а следовательно, и вероятность образования в этих зонах катода новых зародышей, новых слоев, что приводит к снижению числа активных мест потребления ионов. При поддержании постоянства нового повышенного значения тока это влечет за собой нарастание общего потенциала катода, а отсюда и возможность образования кристаллов и выделения металла в менее активных местах, для которых ранее имевшееся перенапряжение оказывалось недостаточным. После включения в процесс роста новых кристаллов, потребление ионов распределяется на большую поверхность и суммарное сечение диффузионного потока к растущим участкам кристаллов возрастает. [16]
Устройство работает следующим образом. Затем перекрывают вентиль на линии заливки и включают генератор 1, после чего с помощью вентилей на трубопроводах б и 10 подключают полость емкости 3 к газопроводу. Вследствие разности давлений на участках газопровода до и после дросселя ( обычно на участке между сепараторами I и II ступеней очистки эта разность давлений составляет 3 - 5 МПа) часть газа из газопровода проходит по трубопроводам 6 к 10 через емкость 3, минуя дроссель. Проходящий через емкость газ насыщается ингибитором, находящимся в состоянии аэрозоля, и вводится в газопровод на участке после дросселя. Площадь поверхности контакта газа с ингибитором увеличивается в 103 - 106 раз по сравнению с вводом того же количества ингибитора через форсунку, что резко затрудняет возможность образования кристаллов гидратов в газе. [17]
 |
Зависимость температуры плавления монозамещенных н-пара-финов от положения и природы заместителя. [18] |
В кристаллах гексагональной структуры молекулы н-парафинов расположены так, что длинные оси их перпендикулярны плоскости, в которой расположены концевые группы молекул. При такой упаковке молекулы имеют свободу вращения вокруг своих длинных осей. Орторомбическая структура характеризуется таким же расположением молекул, однако отсутствие гексагональной симметрии обусловливает только колебательные движения молекул около своего среднего положения. Такая же форма движения имеет место и в случаях моно - и триклинной структуры кристаллов. Схематическое расположение молекул парафинов нормального строения в кристаллах разной модификации показано на рис. 28, а размеры элементарных ячеек приведены в работе [4], где указано на возможность образования кристаллов с 13 различными параметрами. [19]
 |
Зависимость температуры плавления монозамещенных н-пара-финов от положения и природы заместителя. [20] |
В твердом состоянии молекулы углеводородов расположены упорядоченно, образуя кристаллы различной структуры. В кристаллах гексагональной структуры молекулы н-парафинов расположены так, что длинные оси их перпендикулярны плоскости, в которой расположены концевые группы молекул. При такой упаковке молекулы имеют свободу вращения вокруг своих длинных осей. Орторомбическая структура характеризуется таким же расположением молекул, однако отсутствие гексагональной симметрии обусловливает только колебательные движения молекул около своего среднего положения. Такая же форма движения имеет место и в случаях моно - и триклинной структуры кристаллов. Схематическое расположение молекул парафинов нормального строения в кристаллах разной модификации показано на рис. 28, а размеры элементарных ячеек приведены в работе [4], где указано на возможность образования кристаллов с 13 различными параметрами. [21]
Страницы: 1 2