Возможность - перемещение - электрон
Cтраница 1
Возможность перемещения электронов в зонах высоких энергетических уровней определяет повышение электрической проводимости тела по мере увеличения числа электронов в незаполненных зонах. [1]
Следовательно, частичный уход электронов из заполненной зоны создает условия для передвижения электронов, оставшихся в этой зоне, с более низких уровней на более высокие, в пределах самой зоны. К чему приводит возможность перемещения электронов в заполненной зоне. Отвечая на этот вопрос, академик А. Ф. Иоффе говорит: Если из заполненной зоны ушло какое-то число электронов, тогда уже эта зона заполнена не сплошь; в ней остается некоторое количество свободных мест, пустых уровней. Теперь для оставшихся там электронов полного запрета изменять свое движение нет, появляется какая-то возможность их перемещения. [2]
Если все уровни нижней зоны кристалла заняты электронами2, эта зона заполнена и перемещение в ней электронов под действием внешнего электрического поля невозможно. В этом случае возможность перемещения электронов может возникнуть лишь при перекосе электронов в одну из более высоких энергетических зон. [3]
Поскольку зона проводимости практически сплошная, энергия электронов в этой зоне может меняться непрерывно, как у изолированных электронов в вакууме, поэтому электроны в зоне проводимости называются свободными. Термин свободный характеризует возможность перемещения электрона внутри твердого тела, но отнюдь не возможность вылета за пределы кристалла. [4]
Поскольку зона проводимости практически сплошная, энергия электронов в этой зоне может меняться непрерывно, как у изолированных электронов в вакууме, поэтому электроны в зоне проводимости называются свободными. Термин свободный характеризует возможность перемещения электрона внутри твердого тела, но отнюдь не возможность вылета за пределы кристалла. Вылет электрона из твердого тела ( термоэмиссия возможен лишь в результате преодоления весьма высокого ( несколько электрон-вольт) потенциального барьера на поверхности тела. [5]
Характерным свойством металлов является также пластичность: под действием внешней нагрузки металлы могут деформироваться, не разрушаясь. Такое свойство обусловлено возможностью перемещения электронов, которые удерживают смещающиеся слои металла. [6]
Важное свойство металлов - электропроводность, которое обусловлено наличием подвижных в кристаллической решетке металлов электронов. При обычных условиях наилучшей электрической проводимостью из всех металлов обладает серебро. Возможностью перемещения электронов объясняется и высокая теплопроводность металлов. [7]
Впервые возможность существования локальных поверхностных состояний была показана И. Е. Таммом в 1932 г. Позднее было доказано, что в объемной кристаллической решетке поверхностные уровни расщепляются и образуют поверхностную зону. Поверхностная зона может частично перекрываться с объемными зонами. В результате появляется возможность перемещения электронов вдоль поверхности - поверхностная электропроводность. [8]
Если два я-электрона могут мигрировать из одного кольца в другое, то два положительных заряда должны находиться между кольцами, как в структуре нафталина XXII. Два способных к миграции электрона могут вращаться в любом из двух колец. Если же имеется возможность перемещения электронов в третье кольцо и далее, то положительные заряды также должны мигрировать. Аналогичным образом кажется вероятным, что две пары электронов, способных к миграции, вместе с угловой двойной связью образуют индуцированный секстет ( см. стр. [9]
Нетрудно видеть, в чем заключается принципиальная разница между двумя приведенными нами примерами. В дифениле мы имеем непрерывную цепь конъюгации, которая всегда допускает написание ряда промежуточных структур с постепенным перемещением электронов. Можно поэтому сказать, что резонанс проявляется там, где имеется возможность перемещения электронов по цепи конъюгации. [10]
 |
Излучение и поглощение. [11] |
Для того чтобы электрон мог участвовать в токе проводимости, он должен быть освобожден от валентной связи и иметь возможность перемещаться в молекулярной структуре материала. Такого рода электрон, не связанный со своим атомом, называется электроном проводимости. Этот электрон свободен в том смысле, что он уже не связан со своим атомом. Возможность перемещения электрона между валентной зоной и зоной проводимости определяет, хорошим или плохим проводником является вещество. [12]
Величина AW / pW / F-H / B также мала ( около 0 05 эВ), поэтому электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень. При этом в валентной зоне появляется большое число дырок. Они заполняются другими электронами валентной зоны, что сопровождается образованием новых дырок. Следовательно, появляется возможность перемещения электронов в валентной зоне и повышения электропроводности, называемой дырочной. Концентрация дырок в полупроводнике р-типа определяется выражением рр - - Na Pi / Va, где Na - концентрация акцепторов. [13]
Величина AWplVF - lVB также мала ( около 0 05 эВ), поэтому электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень. При этом в валентной зоне появляется большое число дырок. Они заполняются другими электронами валентной зоны, что сопровождается образованием новых дырок. Следовательно, появляется возможность перемещения электронов в валентной зоне и повышения электропроводности, называемой дырочной. [14]
 |
Расположение атомов в кристалле лития. [15] |
Страницы: 1 2