Микроэлектронное устройство

Cтраница 3

Длительный опыт эксплуатации данных устройств ( около 20 лет) позволил выявить их основные недостатки, которые были устранены при последующей модернизации. Поэтому современные микроэлектронные устройства РЗ обладают необходимым быстродействием, высокой отстроенностью от режимов с требованиями несрабатывания при удовлетворительной в большинстве случаев чувствительности к режимам короткого замыкания ( КЗ) с учетом усложнившихся условий дальнего резервирования, а также имеют надежность функционирования, удовлетворяющую принятым для релейной защиты требованиям. Наличие встроенного автоматизированного тестового контроля, а также конструктивных возможностей подключения современных внешних средств проверки ( устройство автоматизированной проверки типа УАП, испытательная система Реле-томограф и др.) позволяют снизить трудозатраты на техническое обслуживание. [31]

Ближайшие технические перспективы связаны с принципиальной перестройкой всех перечисленных средств сбора и передачи данных и схем их взаимодействия на основе микропроцессорной техники. Микропроцессор - это микроэлектронное устройство, выполненное на одной или нескольких больших интегральных схемах ( БИС), содержащее арифметико-логическое устройство, модули оперативной ( данных) и постоянной памяти ( программ и микропрограмм), а также микропрограммное устройство управления и типовой интерфейс ввода - вывода данных. [32]

Большие значения емкостей трудно реализовать в ограниченном объеме кристалла, поэтому интегральные микросхемы разрабатывают с минимальным количеством конденсаторов. Индуктивные катушки и трансформаторы в микроэлектронных устройствах применяются только как навесные элементы гибридных микросхем, так как формирование индуктивной катушки в объеме ИС практически невозможно. Полупроводниковые ИС представляют собой законченные функциональные устройства, элементы которых выполняются в едином технологическом цикле. [33]

Дан обзор современного состояния технологии синтеза магнитооптических материалов - ортоферритов и Bi-содержащих гранатов и их важнейшие оптические характеристики. Рассмотрены принципы использования этих материалов в микроэлектронных устройствах: модуляторах и дефлекторах света, управляемых транспарантах, магнитоуправляемых светофильтрах, оперативных ЗУ и др. Анализируется эффективность подобных устройств, приведены рабочие характеристики, ряда действующих макетов. [34]

В частности, термоэлектрогенераторы, в которых использованы теллуриды висмута, свинца и сурьмы, дают энергию искусственным спутникам Земли, навигационно-метеорологическим установкам, устройствам катодной защиты магистральных трубопроводов. Те же материалы помогают поддержать нужную температуру во многих электронных и микроэлектронных устройствах. [35]

Составные элементы устройств интегральной оптики должны изготавливаться на общей подложке в едином технологическом процессе, подобно микроэлектронным устройствам. [36]

Излучающий диод - основной и наиболее универсальный излучатель некогерентной оптоэлектроники. Это обусловливает следующие его достоинства: высокое значение КПД преобразования электрической энергии в оптическую; относительно узкий спектр излучения ( квазимонохроматичность) для одного типа диодов, с одной стороны, и перекрытие почти всего оптического диапазона излучения диодами различных типов - с другой; высокая для некогерентного излучателя направленность излучения; малые значения прямого падения напряжения, что обеспечивает электрическую совместимость СИД с интегральными схемами; высокое быстродействие; малые габариты, технологическая совместимость с микроэлектронными устройствами, высокая надежность и долговечность. [37]

Светоизлучающий диод - основной и наиболее универсальный излучатель некогерентной оптоэлектроники. Это обусловливают следующие его достоинства: высокое значение КПД преобразования электрической энергии в оптическую; относительно узкий спектр излучения ( квазимонохроматичность) для одного типа СИД, с одной стороны, и перекрытие почти всего оптического диапазона излучения СИД различных типов - с другой; высокая для некогерентного излучателя направленность излучения; малые значения прямого падения напряжения, что обеспечивает электрическую совместимость СИД с интегральными схемами; высокое быстродействие; малые габариты, технологическая совместимость с микроэлектронными устройствами; высокая надежность и долговечность. [38]

Устройство, являясь основной составляющей частью любого комплекса, решает конкретную техническую задачу и представляет собой функционально и конструктивно законченное изделие МЭА, зксплуатируемое автономно. Примерами устройств могут быть радиоприемные, радиопередающие, радиолокационные устройства, ЭВМ. Конструкция микроэлектронного устройства зависит от его функциональной сложности и степени интеграции используемых микроэлектронных изделий. Например, при высокой степени интеграции и соответствующей ей функциональной сложности все устройство может быть заключено в один объем и иметь форму моноблока. Если же степень интеграции микроэлектронных изделий не соответствует функциональной сложности устройства, его формообразование идет по пути создания многоблочной конструкции. [39]

Предлагаемая читателю в русском переводе книга Handbook of Thin Film Technology является первой в мировой литературе книгой энциклопедического характера, посвященной способам получения, формированию структуры, физическим и химическим свойствам, а также многочисленным практическим применениям тонких пленок. Энциклопедический характер проявляется прежде всего в том, что в книге последовательно рассмотрены все классы тонких пленок ( металлические, полупроводниковые, диэлектрические, пьезоэлектрические, ферромагнитные и сверхпроводящие) и все существующие типы устройств на основе тонких пленок. При этом особое внимание уделено электронным и в особенности микроэлектронным устройствам. [40]

СИД - основной и наиболее универсальный излучатель некогерентной оптоэлектроники. Малые прямые падения напряжения обеспечивают электрическую совместимость СИД с ИМС. Кроме того, СИД имеют хорошую технологическую совместимость с микроэлектронными устройствами. Промышленность выпускает целый ряд различных СИД, предназначенных для широкого применения в РЭА. [41]

Достигнутые на сегодня результаты комплексной миниатюризации МЭА обусловлены прежде всего достижениями в проектировании и технологии производства интегральных микросхем. Внедрение в производство полупроводниковых ИМС идей и методов субмикронной технологии ( электронно -, рентгено - и ионно-лучевая литография, ионное легирование, сухие процессы травления, технология бездефектного кристалла, эпитаксия из ионных пучков), позволяющих воспроизводимо получать минимальные размеры областей полупроводниковых структур на уровне долей микрометра, даст возможность достигнуть степени интеграции 10В - 107 элементов на кристалл. Это означает, что в одном полупроводниковом кристалле можно разместить достаточно сложное микроэлектронное устройство ( рис. 2.1), функционально законченное, пригодное к автономной эксплуатации, например однокристальную ЭВМ. [42]

Принцип действия прибора хемотроники основан на электрохимическом преобразовании. В качестве носителей заряда используются ионы в жидких и твердых электролитах. Хемотронные приборы ( ионисторы, мимисторы и др.) применяют в различных микроэлектронных устройствах, где они выполняют функции выпрямления, электропитания, преобразования, усиления, интегрирования и запоминания информации. [43]

Параллельно с полупроводниковым развивается и совершенствуется другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких ( до 1 мкм) и сравнительно толстых ( 10 - 50 мкм) пленок. Чисто пассивные пленочные ИМС не получили широкого распространения из-за ограниченных возможностей по выполнению ими функций обработки сигналов, а реализация пленочных активных элементов на данном этапе развития науки, техники и технологии оказалась невозможной из-за низкой воспроизводимости их характеристик. Сочетание полупроводниковых микросхем, активных полупроводниковых приборов с пассивными пленочными элементами и пленочной коммутацией позволило создать микроэлектронные устройства с широким набором функциональных возможностей, которые разрабатывают как для серийного производства, так и в качестве устройств частного применения, необходимых для изготовления одного определенного вида микроэлектронной аппаратуры. [44]

Принципиальная схема резисторного каскаде на транзисторе ( Т. [45]

Страницы: 1 2 3 4