Изучение - ориентация
Cтраница 1
Изучение ориентации, формы и состав нитевидных включений и диагональных прослоев в большом количестве ( до 5000) кристаллов показало, что эти включения располагаются по следам нарастания только октаэдрических и комбинационных вершин и соответствующих ребер кристаллов. При этом, как и в случае образования включений подтипа 1а, при затвердевании жидкого металла происходит образование границы раздела фаз без заметного напряжения кристаллической решетки алмаза. [1]
Изучение ориентации в полиэтилене низкой плотности в работе [202] проведено методами двойного лучепреломления и дифракции рентгеновских лучей, которые позволили разделить аморфные области и кристаллические. [2]
Изучение ориентации, формы и состав нитевидных включений и диагональных прослоев в большом количестве ( до 5000) кристаллов показало, что эти включения располагаются по следам нарастания только октаэдрических и комбинационных вершин и соответствующих ребер кристаллов. При этом, как и в случае образования включений подтипа 1а, при затвердевании жидкого металла происходит образование границы раздела фаз без заметного напряжения кристаллической решетки алмаза. [3]
Изучение ориентации жидких кристаллов на поверхности аппретированных силанами минеральных наполнителей [20] позволило предположить, что ориентация может распространяться и на полимерную фазу. Ориентация жидкого кристалла зависит от природы силана, эффективность которого определяется рН раствора, соответствующего изоэлектрической точке поверхности. [4]
Изучение ориентации оптических осей образца показало, что они имеют ( хотя и не вполне четко выраженное) поясовое расположение, что позволяет предполагать текстуру типа хтт. [5]
Для изучения ориентации были проведены акустические и рентгенографические измерения при комнатной температуре. Таким образом, как неотожженные, аморфные, так и закристаллизованные при отжиге образцы исследовались при Т Tg. [6]
Одно время изучение ориентации при использовании полюсных фигур тормозилось трудоемкостью этого метода, однако, в настоящее время в связи с промышленным выпуском специализированных автоматических дифрактометров с мини - ЭВМ на выходе рассматриваемые исследования все шире входят в практику рентгеноструктурных исследований. [7]
Наиболее широко изучение ориентации присоединения нуклеофильных реагентов исследовано для системы RCOCHCHX, где X - электроно-акцепторные группы, поэтому на этих примерах мы остановимся несколько более подробно. [8]
На основании изучения ориентации, описанного в разд. Из влияния электрополярности заместителей ( / - эф-фекты) следует, что, во-первых, о / шо-паря-ориентация связана с передачей электронов от заместителя к ароматическому кольцу; во-вторых, мета-ориентация обусловлена удалением электронов от кольца. Из описанного ориентирующего влияния ненасыщенности ( / Г - эффект) вытекает третий вывод: активирующие отрицательные заряды избирательно передаются в орто - и тгора-положения при введении орто-иора-ориентирующих заместителей. По-видимому, вполне естественно дополнить эти положения четвертым выводом: положительные заряды избирательно дезактивируют орто - и пара-положения, когда электроны удаляются из кольца при введении мета-ориентирующих заместителей. Такой вывод находится в соответствии с правилом Голлемана о низкой реакционной способности, характерной для лета-ориентации. [9]
 |
Ориентация трещин в декартовой системе координат. 6 - азимут. ш - угол падения.| Различные сочетания ортогональных систем трещин и качественная оценка степени трещиноватости. [10] |
Если при изучении ориентации единичных трещин установлена их параллельность друг другу, значит, имеет место система трещин. Если системы ( большая их часть) трещин в коллекторе связаны между собой, значит, эти системы образуют сеть трещин. [11]
Следовательно, для изучения ориентации молекул высокомолекулярных соединений при адсорбции на поверхности раздела фаз требуются иные методы, чем в случае низкомолекулярных ПАВ. [12]
Многочисленные работы по изучению ориентации кристаллов в блестящих и матовых осадках свидетельствуют о том, что прямой связи между блеском и ориентацией нет. Для одних блестящих осадков обнаруживается какая-либо ось текстуры, а для других нет. Так, например, Н. Т. Кудрявцев показал, что блестящие осадки цинка, полученные из сульфатных растворов с добавкой натриевой соли дисульфонафталиновой кислоты, обнаруживают, в отличие от матовых осадков цинка, явно выраженную текстуру с ориентировкой кристаллов по гексагональным осям, в то время как в блестящих осадках никеля, полученных с той же добавкой, кристаллы не имеют никакой ориентации. [13]
Основным вопросом при изучении ориентации волокна является вопрос о способе количественной характеристики ее в волокне. Известно, что рентгенографические исследования ориентации волокна основаны на методе Дебая - Шерера. Сущность метода состоит в следующем: если снимать полностью дезориентированное волокно монохроматическим рентгеновским ЛГа-излучением на плоской пленке, то на рентгенограмме будут образовываться сплошные дебаевские кольца с равномерным распределением плотности почернения по кольцу. [14]
Поляризованный свет может использоваться для изучения ориентации кристаллов; поворот до гашения при скрещенных поляроидах означает, что специфическое кристаллографическое направление располагается в плоскости поляризации или под прямым углом к ней. Это может, естественно, иметь отношение к поверхностной пленке и приемлемо только в том случае, если пленка воспроизводит структуру кристалла-подложки. Метод применим к алюминию, бериллию и мо-нель-металлу. [15]
Страницы: 1 2 3 4