Утечка - электрон
Cтраница 1
Утечка электронов из кристалла вызывает изгибание зон вверх и создает в области контакта с металлом обедненный электронами слой, который в этом случае называют запорным слоем, поскольку он обладает повышенным сопротивлением. [1]
Из-за утечки электронов, ускоренных электрическим полем ( см. задачу 2.12), потенциал разряда U будет увеличиваться до тех, пор, пока средние скорости ионов и самых быстрых электронов, уходящих из разряда, не сравняются. [2]
Для предотвращения утечки электронов и стабилизации чувствительности манометра желательно устанавливать отражатель электронов в виде отрицательно заряженной сетки между анодом и колбой преобразователя. [3]
Сеточное сопротивление RCl создает утечку электронов с сетки, благодаря чему на сетке второй лампы Л2 не создается отрицательный потенциал, который мешает работе лампы. Выходом усилителя является напряжение, снимаемое с сопротивления RH второго каскада. [4]
 |
Распределение температуры по длине образца. [5] |
Некоторое отрицательное смещение потенциала экрана препятствует утечке электронов из внутренней полости экранного цилиндра и решающим образом влияет на траекторию электронов, движущихся к аноду. Выбор соответствующего смещения обеспечивает большинству эмитированных электронов движение по закругленным вокруг анода траекториям и приводит к рассеянию электронов по периметру образца. [6]
Так как рассматриваемый электрод электрически изолирован ( т.е. отсутствует приток или утечка электронов из двойного электрического слоя, например, наложением извне напряжения), а электростатические силы притяжения и отталкивания соответственно противоположно и одинаково заряженных ионов препятствуют дальнейшему протеканию электрохимических процессов, то количество окисленной и восстановленной форм редокс парь. [7]
Появление различия возможно лишь, если наряду с основным каналом, по которому осуществляются переходы между уровнем и зоной, имеется возможность утечки электронов или дырок по добавочному каналу на какие-либо другие уровни. Указанная утечка в рассматриваемом случае определяется медленной перезарядкой центров меди. С этой точки зрения кривые релаксации, изображенные на рис. 136, находят следующее объяснение. [8]
В газоразрядных трубках и в электрической дуге электронная температура ( достигающая десятков тысяч температур) в несколько раз ( 2 - 10) превышает ионную и атомную температуры. Существенное значение имеет утечка электронов через стенки сосуда, в котором находится плазма. Эта утечка может привести к тому, что суммарный положительный заряд ионов плазмы может оказаться меньше суммарного отрицательного заряда электронов. Первоначально нейтральная ( в целом) плазма может приобрести положительный заряд. [9]
В газоразрядных трубках и в электрической дуге электронная температура ( достигающая десятков тысяч температур) в несколько раз ( 2 - 10) превышает ионную и атомную температуры. Существенное значение имеет утечка электронов через стенки сосуда, в котором находится плазма. Эта утечка может привести к тому, что суммарный положительный заряд ионов плазмы может оказаться больше суммарного отрицательного заряда электронов. Первоначально нейтральная ( в целом) плазма может приобрести положительный заряд. [10]
 |
Распределение потенциалов [ IMAGE ] 14. Траектории электро-в преобразователе с осевым коллекто - нов в преобразователе с осевым ром коллектором. [11] |
Часть электронов совершает колебания в плоскости катод - коллектор, остальная часть распределится равномерно по остальной поверхности сетки и будет совершать колебания между коллектором и поверхностью колбы. На поверхности стеклянной колбы обычно образуется отрицательный заряд, препятствующий утечке электронов. [12]
Если диэлектрическое покрытие очень тонкое, то надежное обнаружение трещины затруднено из-за утечек электронов через материал покрытия. [13]
 |
Строение рабочего. [14] |
При неизменном токе печи доля электронов, проходящих через дуговой промежуток и боковой зазор, может изменяться, а по показаниям амперметра этого установить нельзя. Поэтому необходимо создать условия, при которых ток проходил бы через ванну, а утечка электронов на стенки кристаллизатора была бы минимальной. ВДП следует работать с короткими дугами. [15]
Страницы: 1 2