Изучение - процесс - осаждение
Cтраница 1
Изучение процессов осаждения диэлектрических слоев SiO2 и SisN4, а также модернизация аппаратуры наряду с оригинальными техническими решениями влечет за собой снижение себестоимости продукции с одновременным повышением качества изделий микроэлектроники. [1]
 |
Схема траекторий частиц пыли различной массы. [2] |
При изучении процесса осаждения частиц пыли на поверхности волокон обычно рассматривается один кх ряд, расположенный перпендикулярно газовому потоку. Принимается, что в ряду волокна расположены с одинаковым шагом и имеют один и тот же диаметр. [3]
Чтобы закончить изучение процесса осаждения, нам необходимо остановиться на одном часто встречающемся осложнении при выполнении этой важнейшей аналитической операции, а именно на образовании коллоидных растворов. [4]
Чтобы закончить изучение процесса осаждения, нам необходимо остановиться на одном, часто встречающемся осложнении при выполнении этой важнейшей аналитической операции, а именно, на образовании коллоидных растворов. Вследствие образования таких растворов соответствующие трудно растворимые вещества ( например, сульфиды катионов III группы) не могут быть отделены от раствора фильтрованием. Таким образом, цель всей операции - разделение ионов - оказывается недостигнутой. [5]
Чтобы закончить изучение процесса осаждения, нам необходимо остановиться на одном, часто встречающемся осложнении при выполнении этой важнейшей аналитической операции, а именно, на образовании коллоидных растворов. Вследствие образования таких растворов соответствующие труднорастворимые вещества ( например, сульфиды катионов III аналитической группы) не могут быть отделены от раствора фильтрованием. Таким образом, цель всей операции-разделение ионов-оказывается не достигнутой. [6]
 |
Семейство кривых, описывающих первую ( тх - Т4 и вторую ( т6 закономерности осаждения Веймарна. т - время осаждения ( т, та Т3 т4 Т5. Линия г - s - граница образования типичных осадков. [7] |
На основе изучения процессов осаждения примерно шестидесяти труднорастворимых соединений Веймарн установил три обобщенные закономерности, связывающие размеры частиц осадков с условиями осаждения. [8]
 |
Схема установки. [9] |
Самостоятельный интерес представляет изучение процессов осаждения цезия на холодной стенке в зоне туманообразования при течении в каналах различной геометрии. [10]
Проводятся обширные исследования по изучению процесса осаждения хрома и растворов на основе хлорида трехвалентного хрома, которые обеспечивают более высокие эффективность катода и скорость осаждения в сочетании с более низкими рабочими температурами. [11]
Выбор фиксированных значений параметров проведен по данным технологического изучения процесса осаждения силиката свинца на лабораторной установке непрерывного действия ( см. гл. [13]
Методы фототурбидиметрического и фотонефелометрического титрования имеют значение для изучения процессов осаждения, а также для некоторых аналитических определений. [15]
Страницы: 1 2