Cтраница 1
Изучение элементарных процессов - самостоятельная область, которой посвящен ряд специальных руководств. К тому же, в общем виде теория элементарных процессов отличается большой сложностью. [1]
Изучение элементарных процессов на поверхности твердых тел имеет принципиально важное значение не только для области гетерогенно-ката-литических реакций, но также и для кинетики газовых реакций. [2]
Изучение элементарных процессов в кристаллической решетке представляет значительный интерес для выяснения механизма термического разложения твердых тел. В некоторых случаях предполагается, что процессы термического разложения протекают с образованием промежуточных активных частиц, атомов или радикалов, свойства и поведение которых определяют характер разложения. [3]
При изучении элементарных процессов чаще пользуются в ка: честве единицы энергии электрон-вольтом ( eV), равным кинетической энергии, приобретаемой электроном в ускоряющем поле с разностью потенциалов в 1 вольт. Эта энергия равна произведению заряда электрона ( е 4 774 10 - 1в эл. [4]
Что касается изучения элементарных процессов, то табл. 1 суммирует некоторые константы скоростей и энергии активации Е, определенные в процессе моделирования и до сих пор неизвестные. [5]
В настоящее время изучение элементарных процессов жид-кофазного окисления углеводородов и близких к ним систем ограничено отсутствием достаточно эффективных экспериментальных методов. Однако некоторые сведения об элементарных процессах могут быть получены из кинетических данных и путем применения фотохимических методов. [6]
Таким образом, при изучении первичных элементарных процессов захвата примеси твердой фазой целесообразно изучить функцию К F ( Y / /) Для коллектора, не склонного к обильному зародышеобразованию и образующего совершенный кристаллический осадок при снятии пересыщения. [7]
Несомненно самыми удобными объектами для изучения элементарных процессов структурных превращений, протекающих в полимерах при деформации, являются монокристаллы. Однако их малые размеры сильно ограничивают круг методик, используемых обычно для структурных исследований. [8]
Цель технических исследований заключается в изучении элементарных процессов, происходящих в системе, их свойств и степени влияния на основной процесс преобразования. Цель такого изучения - оптимизация значений X и Y при учете ограничений, налагаемых условиями технического осуществления системы, и обеспечение инвариантности целевого преобразования относительно воздействий, являющихся помехами. [9]
Атомистическая теория диффузии заключается в изучении элементарных процессов диффузии; она основана на знании структуры кристалла, природы и концентрации, имеющихся или возникающих при повышении температуры дефектов, с учетом которых рассчитывают значения коэффициентов диффузии. [10]
Поэтому вполне оправданными могут быть приемы изучения элементарных процессов каждого в отдельности с допущением разумных упрощений. [11]
Они чрезвычайно существенны как с точки зрения изучения элементарных процессов, так и с практической стороны для понимания поведения строительных материалов, смазки, изоляции, растворителей и химических изменений в водных растворах. [12]
Техника декорирования поверхностной структуры может быть использована для изучения элементарных процессов пластической деформации. В этом смысле кристаллы NaCl не являются удобными объектами. Согласно Пратту [43], деформация каменной соли при комнатной температуре на воздухе ограничивается слоями, расположенными под поверхностью кристалла, а на самой поверхности появляются скорее вмятины, чем четко выраженные линии скольжения. Декорация деформированного кристалла NaCl, осуществленная Бассеттом 37 ], по существу подтвердила такой характер процесса. Декорирующие реплики от таких образцов не имели значительных отличий по сравнению с обычными поверхностями скола. [13]
Теория процессов сшивания, деструкции и других изменений полимеров, очевидно, может быть создана только на основе изучения элементарных процессов. [14]
Странский и Каишев в 1935 - 1939 гг. разрабатывали количественную теорию образования зародышей и роста кристаллов на основе изучения элементарных процессов. [15]