Cтраница 1
Участок диаграммы состояния жидкое - твердое для составов твердых растворов х 0.65, используемых в СЭ, приведен на рис. 3.19. Выращивание слоя Al Ga As ( о 0.7 - 0.9) осуществляется обычно из тонкого ( 0.5 - 1.0 мм) слоя расплава Ga Al As при температурах начала эпитаксиального роста ( Тй) менее 900 С. При TS85Q - 900 С и охлаждении до комнатной температуры кристаллизуются слои толщиной порядка 10 мкм. Снижение толщины слоя, необходимое для расширения спектра фотоответа в коротковолновую область, достигается путем уменьшения Та и толщины расплава вследствие уменьшения количества мышьяка, растворенного в расплаве. При повышенных рабочих температурах тонкие слои твердого раствора получаются либо уменьшением толщины расплава до - 0.1 мм [71], либо ограничением интервала охлаждения и удалением расплава с поверхности слоя по окончании процесса кристаллизации. [1]
Анализ структуры этого участка диаграммы состояния чрезвычайно труден. Задача облегчается тем, что обычно в процессе кристаллизации большинство примесей оттесняется существенно, легче, чем так называемая лимитирующая примесь, обладающая наиболее неблагоприятным значением коэффициента распределения. Таким образом, задача прогнозирования эффективности кристаллизационной очистки может быть сведена к анализу участка диаграммы состояния системы основное вещество-лимитирующая примесь в области малых концентраций второго компонента. [2]
На рис. 343 представлен участок диаграммы состояния в области концентраций 0 - 60 % ( ат. [3]
На рис. 193а приведен участок диаграммы состояния той же системы в области 0 - 40 ат. [4]
![]() |
Участки диаграмм состояния с фазовыми переходами вследствие упорядочения дефектов ( заштрихованы области гомогенности неупорядоченных фаз. [5] |
На рис. 55, а показан участок диаграммы состояния, в котором происходит выделение упорядоченной фазы - сверхструктуры. [6]
Соединение Fe3C называют цементитом, поэтому этот участок диаграммы состояний железо - углерод называют диаграммой состояний железо - цементит. [7]
Соединение Fe3C называют цементитом, поэтому этот участок диаграммы состояний железо-углерод называют диаграммой состояний железо-цементит. [8]
![]() |
Зависимость ра. вновесного. [9] |
В отличие от описанного случая для варианта участка диаграммы состояния, изображенного на рис. 83 б, на кривой зависимости Ko ( CL) должно наблюдаться скачкообразное увеличение равновесного коэффициента распределения второго компонента. Такая особенность была отмечена при направленной кристаллизации образцов системы NH4NO3 - LiN03 [223], где нонвариантное превращение связано с одним из многочисленных полиморфных превращений нитрата аммония. [10]
L, hCM) попадает не на жидкий, а на трехфазный участок диаграммы состояния. Из тепловой диаграммы системы фурфурол - вода следует, что энтальпия жидкой гетерогенной смеси совокупного состава x L 0 423 при температуре насыщения te 97 9 С равна h L 308 5 кДж / кг. [11]
![]() |
Линии фазового равновесия системы 1п2С1з - SnCl2 в области малых концентраций SnCb, построенные по данным направленной кристаллизации. [12] |
Однако подобный путь весьма трудоемок, поэтому часто для предсказания вида этого участка диаграммы состояния используют лишь характер концентрационной зависимости эффективного коэффициента распределения второго компонента. [13]
![]() |
Характеристика сплавов. [14] |
В табл. 39 даны некоторые свойства сплавов Pb-Sb, а на рис. 194 - участок диаграммы состояния сплавов в области, имеющей значение для производства аккумуляторов. [15]