Участок - образец
Cтраница 1
Участок образца, находящийся вблизи магнита, намагничен, и границы этого участка смещаются со скоростью ох. [1]
Каждый участок образца должен - быть испытан двумя-тремя ударами. Для этого необходима площадь контроля 10Х 10 мм. Измери - тель твердости подобного рода Ecvo - tip ( Швейцария) применяют и для кривых поверхностей с радиусом кривизны более 30 мм. [2]
Каждый участок образца должен быть испытан двумя-тремя ударами. Для этого необходима площадь контроля 10Х 10 мм. Измеритель твердости подобного рода Ecvo-tip ( Швейцария) применяют и для кривых поверхностей с радиусом кривизны более 30 мм. [3]
Электросопротивление участка образца, ограниченного молибденовыми зондами, измеряют с помощью потенциометриче-ской схемы на переменном токе. [4]
Непокрытый лаком участок образца за 24 часа до испытания зачищался бархатной шкуркой, обезжиривался ацетоном и протирался фильтровальной бумагой, смоченной этиловым спиртом. После этого образен помещался в эксикатор, и котором он ныдерживался до самого начала опыта. [5]
Наибольшая длина участка образца, на котором могут наноситься деления, 300 мм. [6]
Наибольшая длина участка образца, на котором могут наноситься деления, 500 мм. [7]
К - конечная длина участка образца, для которого определяют деформацию. [8]
В результате растворения поперечное сечение участка образца, погруженного в воду, сильно уменьшалось. Когда к такому растворяющемуся кристаллу был подвешен значительный груз, то образец разорвался не в тонком месте, а в широком сечении на воздухе, где оставался нарушенный поверхностный слой. [9]
 |
Взаимное расположение индикаторных катушек и флуктуирующего магнитного момента ( одномерная модель. [10] |
Во-первых, при перемагничивании некоторого участка образца вследствие рассеяния изменяется поток магнитной индукции вокруг этого участка. [11]
По оси абсцисс отложен номер участка образца, а по оси ординат - соответствующая этому участку деформация в процентах. Как видно из этого рисунка, после 100 час. [12]
Электронографические данные, полученные от того же участка образца ( или его части), который просматривался в электронном микроскопе, - важный источник информации для характеристики и выявления компонентов; эти данные можно получать от участков диаметром приблизительно до 0 5 мкм. В электронной микроскопии темного поля в качестве пучка, формирующего изображение, используется определенный дифракционный пучок, и поэтому этим методом изучают распределение кристаллитов отдельного компонента со специфической ориентацией. [13]
 |
Взаимное расположение индикаторных катушек и флуктуирующего магнитного момента ( одномерная модель. [14] |
Во-вторых, вообще говоря, перемагничивание одного участка образца влияет на ход процесса пермагничивания других участков. Это взаимодействие приведет к корреляции флуктуации намагниченности разных участков. Следовательно, шумы в двух катушках будут коррелированы, если участки образца, которые наводят ЭДС в одной катушке, взаимодействуют с участками, наводящими ЭДС в другой катушке. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5