Участок - пленка
Cтраница 2
В результате оказывается намагниченным участок пленки вблизи зазора. Процесс магнитной записи сводится к следующему. Импульсы тока, соответствующие определенному числу, поступают на обмотку магнитной записывающей головки, в которой создается записывающее магнитное поле, воздействующее на магнитный материал - носитель информации. [16]
 |
Просвечивание кольцевого шва гамма-лучами. [17] |
После записи дефектов на пленку каждый участок пленки, соприкасавшийся с контролируемым швом, будет иметь различную остаточную намагниченность; при этом наибольшей намагниченностью будут обладать участки пленки, соответствующие местам расположения наибольших по величине дефектов шва. [18]
Равенства (6.50) и (6.51) справедливы для участка пленки, на котором профиль температуры уже сформировался. [19]
 |
Появление собственной структуры реплики при коагуляции хрома, которым оттенялся препарат. [20] |
Монокристальные картины можно получить при размере исследуемого участка пленки в несколько микрон, что по порядку величины соответствует размеру зерна исходного титана. [21]
 |
Схема позиционного терморегулятора. Т - термопара ( датчик. Г - зеркальный гальванометр ( измерит, устройство. [22] |
После прогрева ( длительность к-рого для каждого участка пленки составляет 0 01 сек) пленка, пройдя щель вакуумного уплотнения, быстро остывает в зоне пониженного вакуума ( - 10 - 2 мм рт. ст.), и полученный рельеф замораживается. [23]
При этом объем шара увеличится, - каждый участок пленки растянется во все стороны. [24]
Свет от лампы накаливания, проходя через фотометрируемый участок пленки, попадает на светочувствительный слой фотоэлемента, возбуждая в нем фототек. От фотоэлемента ток поступает в гальванометр и вызывает поворот рамки с зеркалом. При этом на экран проектируются различные участки шкалы почернений и проводится визуальное измерение. При фотографической регистрации световой луч попадает на фотопластинку и производится фотозапись степени почернения пленки. [25]
На рис. 3, б приведено электронно-микроскопическое изображение участка пленки, осажденной при температуре - 650 С. Темные вытянутые области представляют собой микродвойниковые ламели, на микродифракционных картинах они образуют дополнительные двойниковые рефлексы. Система ламелей в направлении [101] находится в отражающем положении и дает сильный контраст. Кроме того, ви71 ны расположенные попарно точки, вокруг которых вблизи края экстинкционного контура образуется несимметричный черно-белый контраст. Эти точки соответствуют парам дислокаций, лежащих перпендикулярно поверхности образца, и относятся либо к дислокационным петлям, проходящим от подложки через толщу слоя, которые всегда обнаруживаются при избирательном травлении образцов, либо к участкам отдельных микронаругаений, распределенных в объеме слоя. Отдельные дефекты упаковки в таких слоях обычно сопутствуют более крупным нарушениям типа микровключений. Следует отметить, что избирательное травление не позволяет различать дефекты упаковки и микродвойниковые ламели, поэтому изменение типов линейных дефектов с температурой кристаллизации в предшествующих работах обнаружено не было. [26]
Ее причина заключается в том, что если один участок пленки подвергается, например, растяжению, то его поверхность увеличится и, вследствие этого, концентрация поверхностно-активного вещества на межфазной границе уменьшится. [27]
Эффект Гиббса заключается в том, что если один участок пленки подвергается, например, растяжению, то его поверхность увеличивается и вследствие этого концентрация ПАВ на межфазной границе уменьшится. [28]
Формула ( 60) описывает зависимость от времени толщины участка пленки, на котором происходит локальный обмен обоими компонентами пленки с окружающей средой. Рассмотрим четыре частных случая. [29]
В процессе генерации домены возникают либо при падении луча лазера на участок пленки, свободный от доменов, либо путем разрезания лучом уже существующих полосовых или цилиндрических доменов. Аннигиляция цилиндрических доменов производится просто нагревом их лазерным лучом. Направленное движение доменов осуществляется путем их притяжения или отталкивания ( в зависимости от мощности лазера) от областей пленки вблизи домена, нагретых лучом лазера. Для выполнения всех этих операций было достаточно мощности лазера ( Х5145 А) около 10 мвт при фокусировке луча до диаметра в несколько микрон ( порядка диаметра доменов) и около 0.5 мвт при фокусировке до 1 мкм. [30]
Страницы: 1 2 3 4