Участок - пробой
Cтраница 1
 |
Ремонт проволочных резисторов. [1] |
Участок пробоя ( прожога) зачищают напильником или наждачной бумагой. Если визуально место пробоя не обнаружено, изолируйте корпус потенциометра от шасси. Оба метода просты, и принять нужное решение с учетом конкретных обстоятельств Вы, безусловно, сможете. [2]
 |
Вольт-амперная характеристика диода. [3] |
Следовательно, участок пробоя также может быть использован для получения ограничения. Однако для предотвращения выхода диода из строя, величину обратного тока диода необходимо ограничить значением, обеспечивающим допустимый тепловой режим диода. [4]
 |
Эквивалентные схемы варикапа на высоких ( а и низких ( б частотах.| Схема перестраиваемого варикапом контура.| Удвоитель частоты на варикапе. [5] |
Стабилитрон ом называют полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется участок пробоя. Полупроводниковый диод, в котором для тех же целей используют прямую ветвь вольт-амперной характеристики, называют стабистором. [6]
 |
Параметрические диодные стабилизаторы. [7] |
Стабилитроны - специальные кремниевые диоды, стабилизирующее действие которых основано на использовании большой крутизны участка пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики. Их применяют, когда на нагрузке нужно иметь стабилизированное напряжение порядка нескольких вольт и выше. [8]
Стабилитроны - специальные кремниевые диоды, стабилизирующее действие которых основано на использовании большой крутизны участка пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики, применяют в случаях, когда на нагрузке нужно иметь стабилизированное напряжение от нескольких вольт и выше. [9]
В этих участках возникает электрический пробой р-о-перехода и весь обратный ток проходит через них, вызывая резкое увеличение мощности потерь и повышение температуры полупроводниковой структуры, что в конечном счете приводит к тепловому пробою и расплавлению кремния вблизи участка пробоя. Указанный пробой обусловлен ударной ионизацией атомов кристалла свободными носителями заряда и называется лавинным. Возникновение лавинного пробоя приводит к выходу диода из строя вследствие резкого повышения выделяемой при этом мощности при протекании обратного тока. [10]
Характеристики МОПТ с индуцированным каналом ( рис. 56) сходны с характеристиками ПТ. На выходных характеристиках ( рис. 56, а) также имеются участки крутых /, пологих / / ВАХ и участок пробоя / / /, а наклон их описывается выходным сопротивлением гс. Передаточная характеристика ( рис. 56, 6) сдвинута вправо на ( / зи. [12]
Поверхностный необратимый пробой возможен при технологических нарушениях конструкции перехода или при загрязнении отдельных участков его поверхности. В местах сужения объемного заряда плотность тока может достигать 10 А / см и выше. Местный перегрев вызывает снижение сопротивления материала, рост тока, дальнейшее повышение температуры и как следствие оплавление материала вблизи участка пробоя. [13]
Дальнейшее увеличение тока нагрузки требует увеличения тока выключения, а следовательно, и запирающего напряжения. При этом из-за конечного сопротивления растекания базового слоя pi часть эмиттерного перехода / з возле управляющего электрода сместится в обратном направлении, несмотря на то, что удаленные части эмиттерного перехода смещены еще в прямом направлении. По мере все большего удаления заряда из ба зы посредством управляющего тока наступает лавинный пробой части эмиттерного перехода, которая примыкает к управляющему, электроду. В результате участок пробоя шунтирует остальную часть перехода и коэффициент усиления при выключении уменьшается до нуля. [14]
Параметрический диод по своей конструкции близок к диодам и может использоваться в качестве вентиля. При применении его для тех целей, для которых он предназначен, его свойства как вентиля, однако, не используются, так как рабочая точка в этом случае лежит на обратном участке характеристики. Кремниевые стабилитроны в последнее время приобретают все большее значение в качестве ограничителей напряжения и стабилизаторов и поэтому должны быть рассмотрены в обзоре диодов, применяемых в измерительной технике. При рассмотрении этих диодов основной интерес представляют характеристики в области пробоя. За счет особо тщательных технологических мероприятий обеспечивается по возможности более крутой переход от участка характеристики, соответствующего насыщению, к участку пробоя. Кроме того, создаются такие условия охлаждения, что участок пробоя доходит до максимально возможного тока, сохраняя положительный угол на - клона характеристики. [15]
Страницы: 1