Cтраница 2
Для достаточно длинных слитков кривые распределения в координатах Cs - l на значительной части совпадают с кривой распределения для полубесконечного слитка; чем больше значение L, тем больше участок совпадения. На рис. 11 приведен конкретный пример. [16]
![]() |
Неправильное для модели БПС определение протяженности слоя б ( а и правильное ( б. [17] |
Выше указывалось ( см. § 4), что в модели А для достаточно длинных слитков кривые распределения в координатах Cs - / на значительной части совпадают с кривой распределения для полубесконечного слитка; чем больше значение L, тем больше участок совпадения. В модели В, напротив, кривые распределения в координатах Cs - / не имеют участков, на которых кривая распределения совпадала бы с кривой распределения для полубесконечного слитка. [18]
Это обстоятельсто обусловлено тем, что в диффузионных моделях мы предполагаем концентрационную неоднородность расплава. Ситуация в диффузионных моделях, как уже указывалось, такова, что наличие неоднородного концентрационного профиля в расплаве у фронта кристаллизации проявляется на кривой распределения в начальной ее части. Поэтому диффузионные модели не могут дать участка совпадения неравновесной кривой распределения с равновесной в начальной части слитка. [19]
В приложении 4 довольно подробно описаны диффузионные модели распределения примеси при направленной кристаллизации. Пусть это уплотнение будет незначительным или исчезающе малым, но все диффузионные модели приводят к заключению: по мере уменьшения скорости кристаллизации неравновесная кривая распределения приближается к равновесной медленнее в начальной части слитка, чем в средней. Повторяем, этот вывод не зависит от того, велико ли концентрационное уплотнение или исчезающе мало; в любом случае диффузионные модели не дают участка совпадения неравновесной кривой распределения с равновесной в начальной части слитка. [20]
Протяженность участка совпадения обозначаем через gv, точку, отвечающую окончанию участка совпадения, называем точкой г. III.4 иллюстрирует это подробнее. При С08 % и У3 8 см / ч кривая распределения не совпадает с равновесной. При Со3 % и У5 см / ч кривая распределения также не совпадает с равновесной, но при V - 1 7 см / ч наблюдается участок совпадения. [21]
Существование области равновесной кристаллизации на диаграмме V-CL мы определяем по наличию участка совпадения неравновесной и равновесной кривых распределения в начальной части слитка. Это имеет большое методическое значение. Дело в том, что в литературе в подавляющем большинстве случаев исследуется зависимость коэффициента распределения от скорости кристаллизации. Приближается ли коэффициент распределения к его равновесному значению при бесконечно малой скорости кристаллизации или при конечном ее значении. По зависимости k от V это установить невозможно, так как наличие горизонтального участка мы всегда можем объяснить ошибками эксперимента. Поэтому наличие горизонтального участка на зависимости k от V еще не говорит о существовании области равновесной кристаллизации. Доказательством факта существования области I, повторяем, является наличие участка совпадения неравновесной и равновесной кривых распределения в начальной части слитка. [22]