Участок - вольт-амперная характеристика
Cтраница 1
 |
Рабочая характеристика. [1] |
Участок вольт-амперной характеристики, связанный с зажиганием ТТР, охватывает темный самостоятельный разряд и переходную область. Участок нормального тлеющего разряда соответствует горению ТТР. Положением нагрузочной прямой по отношению к вольт-амперной характеристике на рис. 2 объясняются фазы газового разряда. [2]
Участок вольт-амперной характеристики, соответствующий состоянию тиристора с высокой проводимостью, имеет ряд особенностей, обусловленных тем, что все р-п-переходы смещены в прямом направлении, сопротивления базовых областей резко уменьшаются вследствие эффекта модуляции сопротивления и на движение носителей заряда оказывают сильное влияние электрические поля базовых областей. Для реальных приборов эти допущения обычно справедливы. [3]
Участок III вольт-амперной характеристики соответствует открытому состоянию прибора. В пределах этого участка все три р-л-перехода включены в прямом направлении, и относительно малое напряжение UH может создать большой ток, который ограничивается размерами, конструкцией и способом охлаждения тиристора. При подаче напряжения обратной полярности переходы 1 и 3 включаются в обратном, а переход 2 - в прямом направлении. На вольт-амперной характеристике это соответствует участку IV, а точка b - пробивному напряжению. Подавать обратное напряжение на тиристор запрещено. [4]
Поэтому участок вольт-амперной характеристики диода, расположенный выше точки I-UJR на рис. 17.2, вообще не имеет отношения к рассматриваемой задаче. Заменяем этот участок прямой линией и продолжаем ее до пересечения с осью абсцисс. [5]
 |
К выбору метров i / j и г идеализированной характеристики диода. Для сравнения показана, U - U, . вольт-амперная характера - / ч стака сопротивления R. [6] |
Поэтому участок вольт-амперной характеристики диода, расположенный выше точки - I-UjR - на рис. 17.2, вообще не имеет отношения к рассматриваемой задаче. Мы считаем, что сопротивление R и приложенное напряжение i / e таковы, что эта точка приходится на крутой почти прямолинейный участок вольт-амперной характеристики, как показано на рис. 17.4. Заменяем этот участок прямой линией и продолжаем ее до пересечения с осью абсцисс. [7]
Рабочим является участок вольт-амперной характеристики диода ( рис. 4.9) с резким нарастанием тока / с - от значения / 1 ( соответствующего началу лавинного пробоя, до тока / 2, определяемого максимально допустимой мощностью рассеяния в диоде. УС оказывается малым даже при заметном изменении тока / с в стабилитроне как при колебании t / BX так и при изменении RH. [8]
Этому соответствует участок ОА вольт-амперной характеристики. [9]
Таким образом экспоненциальный участок вольт-амперной характеристики ( 33) реализуется в том случае, если электрофизические параметры сильнолегированных р - и гага - областей существенно различны, а протяженность слаболегированной области не очень велика по сравнению с диффузионной длиной. [10]
Таким образом экспоненциальный участок вольт-амперной характеристики ( 33) реализуется в том случае, если электрофизические параметры сильнолегированных р - и пга - областей существенно различны, а протяженность слаболегированной области не очень велика по сравнению с диффузионной длиной. [11]
Этому соответствует участок ОА вольт-амперной характеристики. [12]
Отметим, что участок V вольт-амперной характеристики тиристора ( рис. 2 - 30 6) соответствует его разрушению. [13]
 |
Релейный эффект в цепи с тсрморсзи-стором. [14] |
Еелйчения коэффициента стабилизации необходимо выбирать участок вольт-амперной характеристики, на котором RH 3 RCT - Это соответствует участку насыщения на вольт-амперной характеристике бареттера на рис. 2.6, а также зависимости Uabi: ( UBi) на рис. 3.13. Как следует из рис. 3.13, существенные изменения входного напряжения на участке насыщения приводят к небольшим изменениям выходного напряжения. [15]
Страницы: 1 2 3 4