Изучение - распределение - примесь
Cтраница 1
Изучение распределения примеси в облученном кристалле до и после термического отжига уже само по себе может дать ценные сведения о характере вхождения примесных ионов в решетку кристалла. Чаще всего химические свойства радиогенной примеси сильно отличаются от химической природы собственных ионов - Поэтому такие атомы примеси неюбразуют устойчивого раствора и в процессе нагревания в той или иной атмосфере покидают решетку кристалла. Здесь могут быть два предельных случая: 1) атомы примеси диффундируют к свободной поверхности кристалла и, испаряясь с нее, поступают в газовую фазу; 2) атомы примеси уходят из объема кристалла и бсажда-ются на его поверхностях. Если мы имеем дело с достаточно совершенными кристаллами, то такими поверхностями являются наружные грани кристалла. [1]
 |
Блок для измерения. [2] |
По этой методике было проведено изучение распределения примесей олова и железа в слитке металлического висмута, подвергнутого зонной плавке. Эта же методика была применена и к большим слиткам в заводских условиях для контроля распределения хрома ( по Сг51) в сплавах на медно-хромовой основе. Замеры активности производились в различных точках 500-килограммового слитка или вырезанных из него дисков. [3]
Исследование свойств твердой фазы такими методами совместно с изучением межфазового распределения примеси открывает широкие перспективы развития работ по сокристаллизации. [4]
В металловедении все шире применяют метод рентгеноспек-трального микроанализа ( РСМА) для изучения распределения примесей и специально введенных элементов в сплавах. Метод РСМА определяет химический состав микрообластей на металлографическом шлифе, при этом достигается разрешение порядка микрометров. [5]
Это объясняется тем, что такие ионы имеют более прочную связь с решеткой кристалла, чем ионы матрицы, и поэтому процесс испарения на них задерживается. Следовательно, метод декорирования может быть применен для изучения распределения примесей на поверхности кристалла. Всякого рода неоднородности ( пустоты, частицы примесей коллоидных размеров), выходящие на поверхность, вызывают искажение структуры скола, что также отражается на картинах декорирования. [6]
Прогресс в методологии искровой масс-спектрометрии при определении газов в твердых телах за последнее десятилетие был незначителен, хотя такие приемы, как криосорбционная откачка, предварительное обыскривание, использование сверхчистых противоэлектродов, могут значительно уменьшить содержание газа в источнике, однако чувствительность, воспроизводимость и точность все еще низки по сравнению с обычными методами анализа. Наложения масс часто полностью исключают определение газов. По-видимому, применение метода будет ограничено специальными случаями, такими, как анализы очень небольших образцов, изучение распределения примесей, оценка градиентов концентрации, изучение содержания газа в слоистых структурах и тонких пленках. [7]
Для ряда точек получают информацию о природе и количественном содержании составных частей. Возможен также послойный анализ. Метод применяют для изучения распределения примеси на поверхности и в объеме анализируемого твердого материала. [8]
Чтобы посмотреть, какой вариант анализа лучше соответствует экспериментальным данным, были рассчитаны значения коэффициентов диффузии ионов кальция при концентрации примеси 2 - 10 - 3 по уравнениям ( VIII. Обе рассчитанные кривые [3, 4] хорошо воспроизводят экспериментальные данные в области низких температур. Однако надо заметить, что вышеупомянутые контрольные опыты по изучению распределения примеси Са заставляют предполагать, что диффузия ионов протекала в отсутствие сколько-нибудь заметного градиента концентрации. [9]
После появления первичных кристаллических зародышей на стенках контейнера его быстро поднимали ( не выключая привода вращения) и устанавливали таким образом, чтобы донный капилляр оставался погруженным в антифриз. Затем при проведении анализа растворяли верхнюю часть слитка ( концентрат) в отмеренном объеме доведенной до кипения дважды перегнанной воды; при изучении распределения примеси вдоль слитка его растворяли послойно. [11]
Ранее было показано, что совместным электрохимическим осаждением с использованием гальванопластики возможно получение слоев NbaSn для применения их в СВЧ-струкггурах. При этом, ДЛЯ достижения оптимальных СВЧ-хирактеристик рекомендуется наносить слои NbaSn с содержанием в них за на 0 6 - 1 5 ат. Однако изготовление высокодобротных СВЧ-систем невозможно без изучения связи сверхпроводящих свойств с чистотой материала. Поэтому необходимо использовать материалы с минимальным содержанием примесей. Если содержание примесей замещения остается стабильным во времени, то содержание примесей внедрения в рабочем слое сверхпроводника зависит от предыстории изделия, окружающей среды и видов обработки как самого сверхпроводящего слоя, так и подложки перед нанесением этого слоя. Целью пистон и ( ей работы является изучение распределения примесей внедрения ( кислорода, углерода, азота) на рабочей поверхности Nb: tSn в зависимости от условий подготовки подложки. [12]
Страницы: 1