Учет - объемный заряд
Cтраница 1
Учет объемного заряда был бы необходим, если бы мы имели в виду получить сколько-нибудь правильное представление и о хвосте волны. [1]
Другим методом учета объемного заряда, как уже упоминалось, является размещение в электролите дополнительных источников тока. [2]
ОС возникает благодаря учету объемного заряда в базовой области, который приводит к дополнительному падению напряжения в объеме базы диода. Это дополнительное падение напряжения увеличивает общее напряжение на диоде. С ростом тока дополнительное падение напряжения убывает, что и приводит к появлению ОС. [3]
 |
Зависимости 50 % - ных раз - Мд рядных напряжений от диаметра заземленного основания dn при различных изоляционных расстояниях Яи и высоте 2 0 подножника ft 4 м. [4] |
Коэффициенты вычисляются с учетом объемного заряда, окружающего соответствующий электрод. [5]
Таким образом, с учетом объемных зарядов внутренние дефекты при малых намагничивающих полях должны выявляться хуже, а при больших - лучше, чем это следует из линейной теории, учитывающей только поверхностные заряды. Следует отметить, что здесь не учитывается краевой эффект, сущность которого состоит в том, что вблизи выступов или впадин изделия материал имеет резко неоднородную намагниченность. [6]
Распространение интенсивных пучков заряженных частиц рассмотрено в [7, 75] с учетом объемного заряда. [7]
Это не совсем точно: периодическое поле возникает лишь при учете объемного заряда, соответствующего средней ( в квантовомеханическом смысле и по объему) плотности свободных электронов. [8]
Полученные результаты можно будет распространить и на электроны в потоке, если только действие объемного заряда будет пренебрежимо мало. Даже в статическом режиме учет объемного заряда очень сильно осложняет вопрос о движении электронов в магнетроне. [9]
Основными дополнительными силами, связанными с учетом объемного заряда, являются силы кулоновского взаимодействия, расталкивающие электроны. [10]
В эквивалентных диодах, следующих за первым, скорость электронов возрастает, а плотность зарядов падает и мало влияет на распределение потенциала. Отсюда следует, что обычно можно рассчитывать время пролета с учетом объемного заряда только в первом эквивалентном диоде и пренебрегать его влиянием во всех последующих. Когда при повышенной плотности электронного потока в каком-либо из эквивалентных диодов, следующих за первым, имеет место значительное увеличение плотности объемного заряда, существенно меняющее распределение потенциала, необходимо производить расчет времени пролета с учетом влияния этого заряда. [11]
 |
Кривые изменения напряженности электрического поля по длине промежутка. [12] |
В промежутках с резконеоднородвыми полями полярность сильно влияет не только на начальные, но и на пробивные напряжения. На рис. 2 - 10 приведены кривые изменения напряженности в промежутке с резконеоднородным полем, построенные с учетом объемного заряда одиночной лавины. [13]
Ьд, Сд, УД), зависящих от напряжений и токов. Если и можно принимать, что динамический коэффициент индуктивности сохраняет то же постоянное значение, что и L, то для Сд учет коронных объемных зарядов, определяющих сущность процесса, необходим. [14]
Поправочная функция зависит от вида зависимости р ( у) в структуре. Вычисление поправочной функции представляет собой довольно сложную математическую задачу и основывается на определенной модели структуры. На слое толщиной w с удельной проводимостью а, расположен омический контакт радиусом га. Второй слой - подложка - имеет удельную проводимость сг2, тот же тип электропроводности и достаточную толщину, чтобы его можно было считать слоем полубесконечного объема. Распределение электрического потенциала в верхнем слое U и в подложке ( У2 удовлетворяет уравнению Лапласа. Граничные условия следующие: на металлическом контакте потенциал постоянен; на верхней поверхности структуры нормальная составляющая тока равна нулю; в плоскости контакта слоя и подложки нормальная составляющая тока и потенциал изменяются непрерывно. Эти условия соответствуют предположению об однородности свойств слоя и подложки и отсутствии объемных зарядов на их границе. Второе предположение не является физически оправданным, однако учет объемного заряда ведет к такому усложнению задачи, что им обычно пренебрегают. Решение уравнения Лапласа для распределения потенциалов U и ( / а позволяет вычислить сопротивление растекания контакта. [15]
Страницы: 1