Учет - модуляция
Cтраница 1
Учет модуляции, как и в случае блокинг-генератора, неоправданно сложен. Поэтому, если желательно обеспечить достаточно строгий расчет схемы, следует включить последовательно с базами транзисторов резистор R6 с сопротивлением R6 гбо ( рис. 22 - 9), где гбо - немодулированное сопротивление базы. Наличие резистора R6 уменьшает влияние разброса параметров транзисторов, а также расход мощности в базовых цепях. [1]
Таким образом, учет модуляции толщины базы позволяет получить правильное значение для дифференциального сопротивления коллектора, хорошо согласующееся с опытом. [2]
Точный анализ схемы с учетом модуляции базового сопротивления требует решения нелинейного дифференциального уравнения. Однако практика показывает, что в этом нет особой необходимости, поскольку схемы, в которых длительность импульса существенно зависит от нелинейных свойств сопротивления гб, имеют ряд недостатков. [3]
Оба факта легко объясняются с учетом модуляции гб. На практике указанные недостатки удается в значительной мере исправить, если последовательно с емкостью С включить небольшое сопротивление Кб. В этом случае входное сопротивление триода становится равным ( гб R6), что приводит к заметному ослаблению влияния нелинейных свойств сопротивления базы на работу блокинг-генератора. [4]
Как будет показано в § 1 - 6, при учете модуляции толщины базы последнее соотношение становится более жестким, если ограничиться линейным рассмотрением. [5]
Первые члены в ( 1 - 114) и ( 1 - 115) совпадают и соответствуют решению нестационарного уравнения диффузии без учета модуляции толщины базы. Вторые члены учитывают поправку на первую гармонику в токе коллектора за счет модуляции толщины базы. [6]
Указанный принцип автоматической коррекции обеспечивает уменьшение дрейфа нуля электрометрического усилителя в К раз, где К - коэффициент усиления дополнительного усилителя с учетом модуляции и демодуляции. Поскольку дрейф нуля обычных усилителей постоянного тока, у которых сопротивление на входе электрометрической лампы не превышает 10й ом, приблизительно равен 3 - 5 мв / ч, то схема периодической автоматической коррекции дрейфа нуля обеспечивает установку нуля электрометрического усилителя масс-спектрометра до 10 мкв. [7]
Таким образом, даже в режиме малого сигнала при выполнении условий ( 1 - 99) и ( 1 - 102), учет модуляции толщины базы приводит к нелинейным эффектам, вызывающим появление в токе коллектора более высоких гармонических составляющих. [8]
 |
Практическая схема преобразователя постоянного напряжения вместе с выпрямителем ( дроссель Др в двухтактной схеме не обязателен. [9] |
Из формулы ( 21 - 8) ясно, что уменьшение сопротивления Лб ( при высоком уровне инжекции) приведет к уменьшению рабочей частоты по сравнению с ее расчетным значением, полученным исходя из немодулированной величины гб. Учет модуляции, как и в случае бло-кинг-генератора, неоправданно сложен. Поэтому, если желательно обеспечить достаточно строгий расчет схемы, следует включить последовательно с базами транзисторов резистор R6 с сопротивлением Кб гбо ( рис. 21 - 9), где гбо - немодулированное сопротивление базы. [10]
При увеличении напряжения на тиристоре время фронта уменьшается. Это связано с расширением области объемного заряда центрального перехода и уменьшением ширины базовых областей. Экспериментально получено, что при изменении Е от 0 до 400 в время tijt уменьшается в 1 5 - 2 раза. Типовое значение времени фронта ( без учета модуляции) для современных тиристоров составляет 0 2 - 3 мксек. [11]
При увеличении напряжения на тиристоре время фронта уменьшается. Это связано с расширением области объемного заряда центрального перехода и уменьшением ширины базовых областей. Экспериментально получено, что при изменении Е от 0 до 400 в время tijt уменьшается в 1 5 - 2 раза. Типовое значение времени фронта ( без учета модуляции) для современных тиристоров составляет 0 2 - 3 мксек. [12]
Допустим, что амплитуда первого сигнала значительно меньше амплитуды второго сигнала и модуляцию имеет только первый сигнал. В этом случае амплитуда суммарного напряжения меняется не только в соответствии с кривой биений ( рис, 8 - 18 6), но и в соответствии с изменением амплитуды первого сигнала. Иначе говоря, размах кривой биений оказывается пропорциональным удвоенной амплитуде первого сигнала и изменяется с частотой его модуляции. Здесь кривая 1 изображает закон модуляции первого сигнала; кривая 2 - огибающую кривой биения с учетом модуляции первого сигнала; кривая 3 - огибающую импульсов анодного тока диода; кривая 4 - изменения среднего значения амплитуд импульсов анодного тока за период биений; кривая 5 - высокочастотное заполнение результирующего сигнала; кривая 6-изменение среднего значения тока за период кривой биений. При симметричной кривой биения 2 кривая 3 была бы тоже симметричной. Следовательно, среднее значение тока диода за различные периоды кривой биения 3 было бы одинаковым независимо от амплитуды первого сигнала. [13]
Страницы: 1