Cтраница 1
Учет разброса параметров и характеристик для выбора технологических допусков на стадии проектирования является одним из эффективных способов повышения качества ЭМП. [1]
Кремниевые транзисторы с учетом разброса параметров и температурных изменений обладают большим запасом по запиранию по сравнению с германиевыми транзисторами. Поэтому непосредственная связь обычно применяется между ключами, выполненными на кремниевых транзисторах. [2]
Рассмотренный выше аналитический метод учета разброса параметров имеет в ряде случаев низкую точность. [3]
При конструировании триггеров с учетом разброса параметров и температуры выбор внешних параметров схемы целиком определяется статическими соображениями и условиями согласования. [4]
Выбор минимального арв основан на учете предполагаемого разброса параметров и на соображениях, связанных со сроком службы транзисторов. [5]
Знак неравенства в (3.64) введен из-за необходимости учета разброса параметров триода и отклонения от номинала сопротив-лений, входящих в цепи триггера. [6]
Совпадение значений / вых у, и Гс с учетом разброса параметров элементов ТТЛ-типа и допуска на номинал конденсатора говорит о правильности проведенного анализа работы схемы. [7]
Остановимся на оценке вероятности постепенного отказа элемента, которая требует учета разброса параметров схемы, рассматриваемых как случайные величины. [8]
Оценим температуру структуры приборов при абсолютной идентичности приборов и с учетом разброса параметров. [9]
![]() |
Схема ненасыщенного триггера с встроенными эмиттерными повторителями. [10] |
В действительности длительность импульса tu in, так как необходимо предусмотреть некоторый запас / с учетом разброса параметров и изменений условий работы схемы. [11]
Задают допустимое изменение коллекторного тока Д / к доп в интервале изменения окружающей температуры с учетом разброса параметров транзисторов и по выражению (5.54) определяют сопротивление Rap. [12]
Задают допустимое изменение коллекторного тока Д / BLI доп в интервале изменения окружающей температуры с учетом разброса параметров транзисторов в по выражению (5.54) вычисляют сопротивление Rav. [13]
Экспериментальные исследования иллюстрируют возможность практической осуществимости транзисторных усилителей переменного тока с глубокой отрицательной обратной связью с учетом разброса параметров транзисторов и реактивных элементов схемы без экспериментальной проверки усилителей в разомкнутом состоянии. [14]
В приборе имеется возможность изменять частоту и импульсный коэффициент импульсов набора номера, что позволяет проверить работоспособность станции с учетом разброса параметров номеронабирателя телефонного аппарата. Контроль работоспособности станции прибором может производиться с учетом предельных параметров абонентского шлейфа: сопротивления шлейфа и сопротивления утечки и емкости между его проводами. Для самоконтроля прибора предусмотрено устройство, которое формирует и посылает в имитаторы вызывающего и вызываемого абонентов в определенные моменты установления соединения сигналы, имитирующие неисправности на этапах установления соединения. [15]