Учет - вырождение
Cтраница 1
Учет вырождения требует провести только немного более сложное исследование, которое не меняет основных заключений, полученных ниже. [1]
Учет вырождения газа при решении задачи о величине сопротивления полупроводника в сильном квантующем Я был выполнен в работе [1483], авторы которой получили для крайнего квантового предела ря - Я11 4, тогда как приведенное в [1484] для вырожденных кристаллов в квантовом пределе теоретическое соотношение имеет вид р - Я. [2]
С учетом вырождения по спину основное состояние является шестикратно вырожденным. [3]
Отнесение МО к определенным зонным состояниям произведено с учетом вырождения энергетических зон, входящих в верхнюю валентную зону. Благодаря применению симметризованного атомного базиса были рассчитаны очень большие квазимолекулы - Кб4С1в4 и KiosCliog, содержащие 128 и 216 атомов и полученные соответственно растяжением вчетверо векторов трансляции примитивной ячейки и втрое векторов трансляции кубической ячейки. Соответственно векторы k из 8 и 10 звезд в неприводимой части зоны Бриллюэна приводятся к центру суженной зоны. Заметим, что в кристалле КС1 скачок заряда при переходе от минимальной элементарной ячейки к расширенной заметно меньше, чем в LiH. [4]
Более сложная форма закона дисперсии, также предложенная Кейном, получается при учете вырождения валентной зоны. [5]
Выражения (5.20) и (5.21) совпадают с выражениями Маркуса [1] во всем, кроме учета вырождения путей реакции статистическим множителем L и менее важного обстоятельства, связанного с возможным существованием неактивных колебаний ( разд. Они упрощенно учитывают адиабатические вращения, причем легко можно принять во внимание и более строгое рассмотрение в разд. [6]
 |
Зависимость ZT от уровня химического потенциала и термоЭДС при различных значениях pz. [7] |
Расчет оптимальной концентрации для веществ с более сложным энергетическим спектром носителей тока или характером рассеяния при учете вырождения электронного газа и других факторов является задачей трудной, так как для большинства веществ необходимые микроскопические константы или вовсе не известны, или оп - - ределены с недостаточной точностью. [8]
Таким образом, формулы (37.6), (37.7) и (37.9) в принципе позволяют рассчитать распределение интенсивности в линии с учетом вырождения начального и конечного уровней и для любого возмущения V ( t ], как адиабатического, так и неадиабатического. Из этих формул, в частности, легко получить все результаты предыдущего параграфа. [9]
На рис. 2 представлены зависимости концентраций и, мелких доноров Na и всех акцепторов Na как функции стехиометрии исходного расплава ( Nd и Na определялись по подвижности электронов в области низких температур с учетом произвольного вырождения электронного газа. При большом уровне легирования температурная зависимость подвижности позволяет заключить, что основным типом рассеяния является рассеяние на ионах примеси. Соответствующие выражения для подвижности подробно рассмотрены Фистулем в [7], где имеются таблицы значений входящих в расчет интегралов Ферми. [11]
В бесконечной среде с Ne Nt 0 частота w0 лежит почти на дне спектра и приводит к слишком малой ширине резонансной кривой, если рассчитывать ее с учетом случайных изменений псевдо-дипольных полей. Однако при учете вырождения в теле конечных размеров ширина кривой получается сравнимой с наблюдаемой величиной. [12]
F находятся по два электрона вследствие чего, согласно рис. 10.10, электроны заполняют три наиболее низкие молекулярные ор-битали. Легко видеть, что с учетом вырождения на молекулярных орбиталях a g, t u и eg могут разместиться 12 электронов. Однако теперь эти электроны лигандов частично переходят на 3d -, 4s -, 4 / 7-орбитали атома металла. Разумеется, прежние чисто металлические орбитали t2g и eg будут содержать примесь орбиталей лигандов. Таким образом, расщепление А, изображенное на рисунке, будет несколько отличаться от прежнего. Вычислить значение А в данном случае еще труднее, так как в результирующие МО входят орбитали как атома металла, так и лигандов. Однако часто случается, что орбитали лигандов энергетически лежат намного ниже орбиталей атома металла; тогда новые орбитали eg и t2g весьма близки к вычисленным на основе электростатического поля кристалла. [13]
 |
Изотермы цсзиевой плазмы, построенные для Т - - - 5000 - - К в различных приближениях. [14] |
Отличие изотерм 5 и 6 от изотермы 4 характеризует роль квантовых эффектов во взаимодействии свободных заряженных частиц. Изотерма 7 отличается от изотермы 6 учетом вырождения электронного газа. Видно, что вырождение сказывается при значениях гае, на два порядка больших тех пе, при которых становятся существенными квантовые эффекты во взаимодействии. При этом вырождение сказывается лишь там, где трех-компонентная модель становится сомнительной. [15]
Страницы: 1 2