Возникновение - диффузия
Cтраница 2
Доставка ионов к поверхности электрода определяется рядом факторов. Изменение содержания вещества вблизи электрода приводит к возникновению диффузии, которая стремится восстановить концентрацию в при-электродном пространстве. [16]
Наличие контаминации между содержаниями обоих рассказов, а затем и их отождествление указывает на этот раз на глубокую патологию процесса припоминания и на то, что на фоне усложнения задания и истощения у больной теряется избирательность в воспроизведении отдельных ранее запечатленных связей. Характерно, что эти дефекты возникают на фоне достаточно ясного сознания больной и проявляются как в нестойкости и взаимной тормозимости следов, так и в легкости возникновения диффузии между отдельными системами следов. [17]
Возрастание градиента потенциала может происходить различными путями. Таким образом указанные выше уравнения могут быть использованы также в случае потери в амплитудах звуковых волн, вызванных концентрационным градиентом, так же как и в случае возникновения диффузии, возрастающей в связи с увеличением концентрационного градиента. [18]
 |
Типичные зависимости коэффициентов диффузии D и проницаемости Р от деформации при сжатии гсж и двухосном растяжении Е тонких мембран. [19] |
При двухосном растяжении для некоторых полимеров ( например, фторопластов) и сред может не наблюдаться уменьшение D и Р с увеличением ер. При достижении определенного значения степени относительной двухосной деформации растяжения ер - 8 р часто наблюдается резкое увеличение значений D и Р, что связано с разрыхлением структуры полимера, образованием суб-микротрещин и возникновением фазовой диффузии. [20]
Применение схемы типа уголок для задач переноса, сопровождающегося возникновением контактных разрывов, встречается со значительными трудностями. Особенно большие погрешности возникают при описании вытеснения нефти небольшими оторочками химреагентов. Это вызвано наличием у схем первого порядка точности большой схемной вязкости, приводящей к возникновению значительной численной диффузии, которая на реальных разностных сетках значительно превосходит физическую. Специфика уравнений фильтрации такова, что применение хорошо зарекомендовавших себя при решении задач газовой динамики немонотонных схем второго порядка точности ( Лакса-Вендрофа, Кранка-Никольсона и т.п.) приводит к появлению значительных осцилляции, а введение в эти схемы псевдовязкости заметно снижает точность решения. Этим же недостатком обладают алгоритмы, основанные на методе конечных элементов. В работах Б.И. Леви и других [43] предложены эффективные схемы повышенной точности типа предиктор-корректор, свободные от этих недостатков. Их применение позволяет на реальных разностных сетках рассчитывать показатели вытеснения нефти оторочками малого объема. [21]
Сказанное автор подтверждает примерами на некоторых скважинах Шебелинского месторождения, где в первый период времени после цементирования газопроявления отсутствовали, а через 2 - 3 недели появились слабые межколонные проявления ( скв. Автор объясняет это тем, что в цементном камне имелись каналы, но глинизация продуктивного пласта препятствовала возникновению диффузии. После возбуждения скважин, когда цементное кольцо оказалось в длительном контакте с газом высокого давления, последний проник по каналам. [22]
 |
Влияние сплавления с серебром на теплоты адсорбции кислорода на палладии. [23] |
Возможно, что эту связь образуют только sp - электроны. Другим объяснением данных, приведенных на рис. 3, может быть предположение, что во всех исследованных сплавах серебро концентрируется на поверхности. Поскольку свободная энергия адсорбции кислорода на серебре больше, чем на палладии [2], это различие должно создать достаточную движущую силу для возникновения диффузии атомов серебра из объема к поверхности сплава в исследуемом интервале температур. [24]
 |
Зависимость удельной проводимости от температуры. [25] |
Ток диффузии возникает в результате диффузионного перемещения электронов и дырок, обусловленного различием в концентрациях носителей заряда в соседних областях. Выше было показано, что инже кция ведет к возрастанию концентрации носителей заряда в полупроводнике, а экстракция - к уменьшению концентрации. При этом увеличивается концентрация электронов на левом конце полупроводника и уменьшается их концентрация на правом конце ( рис. 9.146), что ведет к возникновению диффузии электронов в направлении слева направо. [26]
В своих рассуждениях мы неизменно предполагали, что все вещества равномерно распределены по всему реакционному пространству. Разумеется, такое допущение не более чем идеализация: небольшие флуктуации всегда создают неоднородности в распределении концентраций и, следовательно, способствуют возникновению диффузии. [27]
Страницы: 1 2