Возникновение - пространственный заряд
Cтраница 1
 |
Спектральное распределение фоточувствительности гетерофотопреобразователя ( / и селективного фотоприемника ( 2.| Зонная диаграмма контакта металл - полупроводник. [1] |
Возникновение пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника обусловлено переносом электронов ( материал я-типа) из зоны проводимости полупроводника в металл. Одновременно электроны уходят в металл и с приповерхностных состояний, расположенных между дном зоны проводимости и уровнем Ферми, оставляя на этих состояниях положительный заряд. Чтобы исключить влияние окисного слоя, принимают меры для нанесения металла на атомарно чистую поверхность полупроводника, например, напыляя металл на чистый скол полупроводника в сверхвысоком вакууме сразу же после раскалывания кристалла. [2]
 |
Связь между эффективностью и скоростью потока газа, при которой постоянное количество пропана поступало в детекторы. [3] |
Возникновение устойчивого пространственного заряда в этих детекторах зависит от положения анода относительно камеры, а также от плотности тока. [4]
Возникновение диффузионных токов приводит к возникновению пространственных зарядов и статических электрических полей Е, препятствующих протеканию диффузионных токов. [5]
Величина выходного тока электронного пучка ограничивается возникновением пространственного заряда в камере между блокирующей и переключающей лопатками. [6]
Отступления от прямой пропорциональности могут быть связаны с утомлением фотокатодов, плохим вакуумом, появлением зарядов на стеклянных стенках фотоэлемента, возникновением пространственного заряда. В случае сурьмяно-цезиевых фотоэлементов основную роль играют большое продольное сопротивление слоя ( для катодов на стекле) и появление вдоль этого слоя падения напряжения. [8]
В разделе 1 Б 1 указывалось, что это-условие несправедливо вблизи границ, где при различной скорости ионов и электронов градиенты концентрации приводят к возникновению больших пространственных зарядов. При наличии сильных полей электроны ускоряются до значительных тепловых скоростей и газ выходит из состояния термодинамического равновесия. [9]
Благодаря тому, что этот электрод имеет небольшие размеры и, кроме того, помещен в углублении изолятора, вблизи него напряженность электрического поля достигает очень больших значений, что ведет к возникновению пространственного заряда в небольшом объеме газа, непосредственно примыкающем к подводящей трубке. Ионизация детектируемых продуктов происходит именно в этой области. [10]
Выражение (5.14) называется дебаевской длиной экранирования, физический смысл которой состоит в том, что именно в области, характеризуемой расстоянием / д от поверхности, изменяются поле, потенциал, концентрация носителей и изгиб энергетических зон. Другими словами, область возникновения избыточного пространственного заряда, который экранирует внешнее поле, ограничивается дебаевской длиной экранирования, и величина / д характеризует расстояние, на котором в данном кристалле восстанавливается нейтральность. Как мы уже отмечали, нет принципиальной разницы в рассмотрении явлений такого рода для полупроводников и металлов. Следовательно, в металлах также существует эффект экранирования. Однако оценка, произведенная для металла по (5.14), приближенная, хотя бы потому, что на длине экранирования в металлах могут не соблюдаться условия сильного поля. [11]
Выражение (5.12) называется дебаевской длиной экранирования, физический смысл которой состоит в том, что именно в области, характеризуемой расстоянием ID от поверхности, изменяются поле, потенциал, концентрация носителей и изгиб энергетических зон. Другими словами, область возникновения избыточного пространственного заряда, который экранирует внешнее поле, ограничивается дебаевской длиной экранирования, и величина / о характеризует расстояние, на котором в данном кристалле восстанавливается нейтральность. Как мы уже отмечали, нет принципиальной разницы в рассмотрении явлений такого рода для полупроводников и металлов. Следовательно, в металлах также существует эффект экранирования. Однако оценка, произведенная для металла по (5.12), приближенная, хотя бы потому, что на длине экранирования в металлах могут не соблюдаться условия сильного поля. [12]
Фарвитрон может работать в диапазоне давлений 10 - 8 - н10 - 5 мм рпг. В этом случае им могут быть зарегистрированы все компоненты остаточных газов, имеющие величину не менее 3 % от общего давления при абсолютном давлении не ниже 1 10 - 9 мм рт. ст. В области высоких давлений работоспособность фарвитрона ограничена возникновением пространственного заряда ионов и уменьшением их длины свободного пробега, а при низких давлениях - фоном других ионов и чувствительностью измерительной аппаратуры. Фарвитрон не пригоден для количественного измерения давления, так как величина наведенного сигнального напряжения определяется эффектом объемного заряда ионов и не имеет линейной зависимости от давления. Кроме того, в процессе работы прибора в его спектре возникают фиктивные линии, соответствующие массовым числам, которые в 4 раза больше или меньше измеряемой массы. [13]
В настоящее время, с учетом новых работ по электрохимии системы полупроводник - раствор электролита ( см. раздел 9), можно уточнить представление, используемое для объяснения повышенной ионной проводимости окис-ного слоя при комнатной температуре. Если рассматривать окисел как электронно-ионный полупроводник, то вдали от нулевой точки, даже без существенного отклонения состава окисла на поверхности от стехиометрического для ГегОз, вблизи поверхности должен быть наиболее выражен градиент потенциала. Он появляется в результате возникновения пространственного заряда, обусловленного скачком потенциала на границе фаз и малой величиной концентрации носителей тока в полупроводнике. Толщина слоя пространственного заряда определяется концентрацией свободных носителей тока в полупроводниковом материале и обычно изменяется в пределах от нескольких десятков ангстрем до нескольких микронов. Если толщина окислов близка к толщине слоя пространственного заряда, то этот градиент потенциала может ускорять движение ионов через слой окислов. Отметим, что предположение о полупроводниковом характере поверхностного слоя металла, на котором адсорбирован кислород из воздуха, уже давно было высказано Б. В. Эршлером и его сотрудниками [353] при исследовании никелевого электрода. [14]
 |
Модель возникновения объемного заряда в НЖК за счет анизотропии электропроводности. [15] |
Страницы: 1 2