Возникновение - линия
Cтраница 2
Область сверхзвукового течения получилась видимой потому, что на поверхности моделей были процарапаны небольшие бороздки, каждая из которых привела к возникновению линий разрежения. Скорость обтекания больше скорости звука всюду, где линии разрежения наклонены относительно линий тока. Там же, где линии разрежения перпендикулярны к линиям тока, скорость обтекания уже меньше скорости звука. В этой области возмущения давления по мере удаления от поверхности профиля постепенно затухают. На обоих рисунках видно, что сверхзвуковая область заканчивается скачком уплотнения. [17]
Ниже перечислены некоторые рекомендации по выбору литниковой системы: 1) к каждому изделию должен подводиться один литник, так как при большем числе литников возникает опасность возникновения линий спая фронтов течения расплава; 2) если требуется два литника, то путем соответствующего определения размеров входных литников соединительные швы ( линии спая) следует располагать в местах наибольшей толщины изделия; 3) длинные изделия должны оформляться впрыском материала в торец, а не в середину оформляющей полости; 4) изделия прямоугольного сечения по возможности необходимо формовать впрыском расплава с одной стороны оформляющей полости литьевой пресс-формы; 5) изделия круглой формы можно формовать впрыском в центр оформляющей полости или через кольцевой впускной литник; 6) по возможности следует избегать применения точечных литников; 7) длины литниковых каналов, особенно при впрыске сверху, нужно выбирать как можно меньшими, так как усилие впрыска прямо пропорционально сопротивлению литниковых каналов; 8) по возможности избегать искривлений или сильных перегибов литникового канала, так как в противном случае увеличивается давление впрыска и износ пресс-форм; 9) впускные литники необходимо располагать непосредственно перед оформляющей полостью, так как в этом случае по месту соединения впускного литника с изделием осуществляется отделение литника от изделия; 10) в многогнездных формах длины литниковых каналов ко всем гнездам должны быть одинаковыми. [18]
При отрыве монокристалла от расплава, например, в методе Чохраль-ского или при выключении кристаллизационной установки, монокристаллы могут подвергаться теплоудару, что приводит к возрастанию остаточных напряжений, возникновению линий скольжения и микротрещин. Таким образом, остаточные напряжения в сильной степени связаны с реальной структурой монокристаллов. Их появление обусловлено условиями кристаллизации. [19]
Экспериментально квантование энергии атомов обнаруживается в их спектрах поглощения и испускания. Возникновение линий в спектре обусловлено тем, что при возбуждении атомов ( нагревании газа, электроразряде и пр. В таком возбужденном состоянии атомы находятся лишь ничтожные доли секунды. Переход электронов в состоянии с более низкими энергетическими уровнями сопровождается выделением кванта энергии. [20]
 |
Видимый спектр атомарного водорода ( серия Бальмера. [21] |
Экспериментально квантование энергии атомов обнаруживается в их спектрах поглощения и испускания. Возникновение линий в спектре обусловлено тем, что при возбуждении атомов ( нагревании газа, электроразряде и пр. [22]
Различие в ориентации электронных облаков относительно друг друга позволяет объяснить спектры атомов в магнитном поле. При действии на атомы внешнего магнитного поля происходит расщепление линий их спектров - возникновение новых близлежащих линий. Это обусловлено изменением характера расположения электронных облаков относительно друг друга в соответствии с дозволенными углами поворота каждого из них в магнитном поле. [23]
Различие в ориентации электронных облаков относительно друг друга позволяет объяснить спектры атомов в магнитном поле. В спектрах атомов, помещенных во внешнее магнитное поле, происходит расщепление линий - возникновение новых близлежащих линий, поскольку в магнитном поле энергия электронов изменяется. Энергетические изменения при действии магнитного поля можно объяснить различием в характере расположения электронных облаков относительно друг друга ( рис. 7), а следовательно, и различными дозволенными углами поворота каждого из них в магнитном поле. [24]
Поскольку движение дислокации - анизотропный процесс, то размер отпечатка, который наблюдал Вильяме, в связи с возникновением линии скольжения обнаруживает некоторую ориентационную зависимость. Применив индентор Тукона ( клинообразный), он обнаружил, что в плоскости отрыва 100 микротвердость изменяется по почти синусоидальному закону в зависимости от угла между индентором и направлением [100] в кристалле. Амплитуда ее изменения составляла примерно 8 %, и, когда напряжение сдвига по плоскости 111 было минимальным, наблюдался минимум. Таким образом, даже при комнатной температуре возможно некоторое движение дислокаций. [25]
Раманом ( 1888 - 1970) - в жидкости ( 1928 г.), показали, что в линейчатом спектре рассеянного излучения наряду со спектральными линиями первичного излучения имеются слабые линии с частотами, отличными от основных частот первичного излучения. Эти рассеянные излучения иной частоты были названы спутниками ( сателлитами), а сам процесс - комбинационным рассеянием. Возникновение линий - спутников объясняется присоединением к энергии фотона некоторой доли энергии соударяющейся с ним молекулы или передачей ей части своей энергии. При передаче части энергии фотона молекуле получается длинноволновый спутник, а присоединение части энергии молекулы к кванту излучения соответствует возникновению коротковолнового спутника. Так как вероятность процессов уменьшения или увеличения энергии фотона при соударении значительно меньше вероятности упругого соударения, яркость линий спутников во много раз меньше яркости основных линий. [26]
Другая лее представляет собой рассеяние на флуктуациях плотности газа. Поэтому рассеяние на флуктуациях анизотропии приводит к возникновению сравнительно размытой линии с максимумом при о / и и шириной - Н / г. Рассеяние лее на флуктуациях плотности приводит к появлению на этом фоне значительно более резкой линии. Ввиду большой величины этих объемов изменение флуктуации в них происходит сравнительно медленно, с чем и связана узость соответствующей линии рассеяния. Мы условимся называть ни лее несмещенной именно эту резкую линию. [27]
Приведенные суждения говорят о правдоподобности гипотезы о несовпадении линии равновесности и концентрационного переохлаждения, но их еще совершенно недостаточно для превращения этой гипотезы в теорию. Особенно настораживает тот факт, что линия возникновения дендритной структуры не совпадает с линией / - точек. Кажущаяся правдоподобность отождествления линии Сточек с линией концентрационного переохлаждения станет весьма сомнительной, если рассмотреть другую возможную причину возникновения линии Сточек на диаграмме V-CL, которую мы излагаем в следующем параграфе. [28]
При изнашивании отдельные пятна касания расположены хаотически. Перед каждым пятном возникает пластически деформированный гребешок. Пластическая волна бежит перед выступом, распространяясь и в глубину. Повторные воздействия приводят к возникновению линий скольжения, которые постепенно переходят в трещины, не срастающиеся после снятия нагрузок, вследствие адсорбционных и диффузионных процессов, которые протекают на вновь образованных поверхностях раздела. [29]
Физический смысл появления линейчатых характеристических рентгеновских спектров был выяснен в боровской теории атома. Как мы видели в § 14.5, в атомах с большим атомным номером Z внутренние электронные оболочки К, L, М и другие полностью заполнены электронами. При удалении электрона с одной из внутренних оболочек на освободившееся место переходит электрон из более удаленной от ядра оболочки и излучается рентгеновский фотон. Если, например, электрон удаляется из самой внутренней / ( - оболочки атома под действием налетающего на атом электрона или первичного жесткого излучения, то на его место может перейти электрон с L -, М -, N - оболочек и др. Такой переход связан с спусканием фотонов с определенной энергией и возникновением линий рентгеновской / ( - серии. Очевидно, что для вырывания электрона из / ( - оболочки, наиболее близкой к ядру, где электроны испытывают наибольшее к ядру притяжение, требуется затрата значительной энергии - работы вырывания электрона. Энергия налетающего электрона или первичного налетающего фотона должна быть по крайней мере равна этой работе. Поэтому для каждого атома существует определенная граница возбуждения / ( - серии. Переходу электрона с L-оболочки на / ( - оболочку соответствует самая длинноволновая линия Къ / ( - серии рентгеновского характеристического излучения. Линия / ( в соответствует переходу электрона из Л1 - оболочки на / ( - оболочку, линия Kv - переходу из W-оболочки на / ( - оболочку. Совокупность линий Ка, / ( р и / ( v образует / ( - серию. Частоты линий возрастают при переходе от линий / ( к / ( р и Кт Это связано с увеличением энергии, высвобождающейся при переходе электрона на / ( - оболочку со все более удаленных оболочек. [30]
Страницы: 1 2 3