Возникновение - потенциальный барьер
Cтраница 1
Возникновение потенциального барьера предотвращает выравнивание концентрации дырок и электронов по объему кристалла, так как через потенциальный барьер могут продиффундировать лишь те носители, которые имеют достаточную тепловую энергию для его преодоления. [1]
При возникновении потенциального барьера два различных эффекта приводят к переходу связанного электрона в свободное состояние - надбарьер-пый распад связанной системы и туннельный эффект. [2]
ММВ важно, естественно, и для понимания механизма возникновения потенциальных барьеров при вращении галоидоводородов в нейтральных растворителях. При этом анализ спектроскопических данных ряда работ, посвященных изучению двухатомных молекул в растворах, позволил Сделать некоторые качественные и количественные выводы относительно свойств потенциального барьера для молекулярного вращения в таких системах. [3]
Область пространственного заряда с заполненными поверхностными уровнями играет важную роль в возникновении потенциального барьера и эффекта выпрямления на границе полупроводника. [4]
 |
Влияние амидов бензойной кислоты на разряд ионов олова. Состав электролита. 0 05 н. SnSO4 2 н. H2SO4. [5] |
Поэтому на кривых наблюдается довольно значительная волна тока, за которой происходит спад, соответствующий возникновению потенциального барьера при образовании адсорбционной пленки. [6]
 |
Распределение электронов ( а и потенциала ( б в лучевом тетроде. [7] |
Кривая 1 соответствует обычному тетроду или лучевому тетроду, если ток в нем небольшой и понижение потенциала недостаточно для возникновения потенциального барьера. Зато кривая 2 для лучевого тетрода с нормальным анодным током показывает, что при иа 50 В и ид2 200 В создается потенциальный барьер высотой 30 В для вторичных электронов, выбитых с анода. На участке от cpmin 20 В до анода на вторичные электроны действует тормозящее поле, которое возвращает их на анод. Вторичные электроны не могут преодолеть потенциальный барьер и попасть на экранирующую сетку, хотя на ней напряжение выше, чем на аноде. А первичные электроны, имея большие скорости, полученные за счет напряжения экранирующей сетки, преодолевают этот потенциальный барьер и попадают на анод. [8]
На кривых, имеющих седлообразную форму, вначале наблюдается довольно значительная волна тока, за которой следует спад, соответствующий возникновению потенциального барьера при образовании адсорбционной пленки. Для насыщенных растворов н - ББСА, д - ЭДСА и некоторых других сульфамидов как в случае меди, так и в случае висмута ингибирование процессов происходит с самого начала процесса. Характер волны тока аналогичен наблюдаемому в случае с кадмием. [9]
Таким образом, высота потенциального барьера для электронов, разделяющего п - и р-области, равна разности работ выхода электронов из п - и р-областей, что совпадает с внешней контактной разностью потенциалов, если рассматривать возникновение потенциального барьера на контакте п - и р-полупроводника. Область объемного заряда, разделяющая п - и р-области полупроводника, называется р-п - или п-р-пере: одом. [10]
Таким образом, высота потенциального барьера для электронов, разделяющего п - и р-области, равна разности работ выхода электронов из п - и р-областей, что совпадает с внешней контактной разностью потенциалов, если рассматривать возникновение потенциального барьера на контакте п - и р-полупроводника. Область объемного заряда, разделяющая п - и р-области полупроводника, называется р-п - или п-р-переходом. Между шириной и высотой потенциального барьера существует связь. [11]
Как в металле, так и в полупроводнике имеются налицо электроны, способные преодолеть потенциальный барьер за счет энергии их беспорядочного теплового движения. Поэтому переход электронов из полупроводника в металл и обратно продолжается и после возникновения потенциального барьера. Высота потенциального барьера перестает расти и равновесное состояние насту пает тогда, когда число быстрых электронов, переходящих чере:; барьер в обоих направлениях, становится одним и тем же. [12]
 |
Искривление энергетических зон при наличии поверхностного заряда. и - отрицательного. б - положнтель.| Образование различных слоев в области пространственного заряда. [13] |
Приповерхностный слой полупроводника, где сосредоточен поверхностный заряд, называют областью пространственного заряда. Толщина этой области может достигать 10 - 3 - 10 4 см. Наличие поверхностного заряда приводит к возникновению потенциального барьера у поверхности полупроводника. [14]
Если электроны атомов Н находятся в состоянии 1 s, а валентные электроны атомов С - в гибридизованном состоянии sp3, то можно показать [4], что в обычно используемом в квантовомехани-ческнх расчетах двухцентровом приближении, не учитывающем взаимодействий трех или большего числа электронов, указанные взаимодействия не зависят от угла внутреннего вращения и, следовательно, не дают вклада в потенциальный барьер. Однако, как показал Полинг [29], взаимодействие электронов атомов С, образующих связи С - Н, приводит к возникновению потенциального барьера, если учесть гибридизацию с d - и f - состояниями. Оказалось, что получаемое при этом значение потенциального барьера близко к экспериментальному, причем наименьшей энергии соответствует скрещенная конфорлация. [15]
Страницы: 1 2