Cтраница 1
Возникновение термических напряжений связано с несвободным тепловым расширением тела. Свободные однородные тела при равномерном или линейном изменении температуры подвергаются свободной деформации, не приводящей к макроскопическим напряжениям. [1]
Поскольку возникновение термических напряжений обусловлено релаксационными процессами, их значение зависит от скорости нагревания и охлаждения. Термические напряжения в слоях и пленках полимеров могут быть уменьшены [83, 84] и даже сняты при термообработке вследствие релаксации, а собственные напряжения практически не релаксируют. [3]
Для возникновения термических напряжений в веществе необходимы градиенту температуры, вызывающие неравномерное изменение объема. [4]
Причиной возникновения термических напряжений является плохая теплопроводность и большая инерционность стекла. [5]
Чтобы предупредить возникновение дополнительных термических напряжений в местах ввода питательной воды в барабаны, штуцеры для этого ввода следует снабжать защитными рубашками. [6]
Во избежании возникновения термических напряжений в растущем монокристалле необходимо избегать колебаний температуры в расплаве, из которого его выращивают. Следует обеспечить строгую симметрию теплового поля вокруг растущего монокристалла и не допускать резкого изменения его диаметра. Фронт кристаллизации в процессе роста монокристалла желательно поддерживать плоским или слегка выпуклым в расплав. [7]
В зоне возникновения максимальных термических напряжений предварительно удаляют часть заготовки, обеспечивая тем самым большую свободу термического расширения заготовки и снижение термических напряжений в ней, а при заливке литейной формы с установленной в ней заготовкой образованный таким образом дополнительный объем заполняют жидким металлом и тем самым удаленная часть заготовки восстанавливается совместно с наплавленным слоем. При этом удаляют такую часть заготовки, чтобы ее объем вместе с примыкающей к ней частью наплавляемого металла образовал тепловой узел, в котором завершалось бы затвердевание всего жидкого металла, составляющего тело восстанавливаемой детали. Таким образом, в искусственно создаваемых тепловых узлах восстанавливаемой детали образуют подвижные, жидкометаллические объемы - демпферы, которые разгружают црле напряжений в детали. Уменьшают и перераспределяют термические напряжения по этому способу на всех температурных стадиях восстановления изношенных деталей: при предварительном прогреве заготовки, последующем ее нагреве во время заливки расплава, а также при кристаллизации наплавляемого слоя и частично при охлаждении готовой детали. [9]
Рассмотрим физическую основу возникновения термических напряжений. [10]
Неудачные конструкции часто обусловливают возникновение механических и термических напряжений, застоя жидкости, местных перегревов и других явлений, способствующих коррозии. [11]
Кривые усталости при изотермическом и неизотермическом жестком иагруженин для стали. [12] |
Последнее обстоятельство определяется тем, что возникновение термических напряжений в конструкциях существенно зависит от распределения температур по поверхностям и сечениям элементов, форма цикла нагрева является важным фактором, влияющим на кинетику формирования температурных полей и вызываемых ими термических напряжений. [13]
Наличие таких градиентов температуры приводит к возникновению фазовых, термокомпенсационных и термических напряжений, в результате чего наблюдается нарушение сплошности и отслаивание пленки с увеличением выделяющейся на подложки энергии. Различие в энергии, выделяемой иа подложки, установленные на различных расстояниях, будет приводить к различной скорости кристаллизации и различным кристаллическим структурам получаемых пленок. При этом можно ожидать, что структура пленки будет более совершенна при меньшей скорости кристаллизации, что и согласуется с экспериментальными результатами. [14]
Наличие таких градиентов температуры приводит к возникновению фазовых, термокомпенсационных и термических напряжений, в результате чего наблюдается нарушение сплошности и отслаивание пленки с увеличением выделяющейся на подложки энергии. Различие в энергии, выделяемой на подложки, установленные на различных расстояниях, будет приводить к различной скорости кристаллизации и различным кристаллическим структурам получаемых пленок. При этом можно ожидать, что структура пленки будет более совершенна при меньшей скорости кристаллизации, что и согласуется с экспериментальными результатами. [15]