Возникновение - пересыщение
Cтраница 1
Возникновение пересыщения по серебру на границе устойчивости приводит к максимальному снижению работы образования серебряных зародышей, что и обеспечивает достижение высокой светочувствительности некоторых современных фотографических эмульсий. [1]
Возникновение пересыщения в растворе при его охлаждении легко представить при помощи диаграммы растворимости. [2]
Основной причиной возникновения пересыщения раствора воздуха является резкое снижение давления в жидкости. Для создания пересыщенного раствора воздуха необходимо, чтобы смесь воды с диспергированным в ней воздухом была выдержана некоторое время под повышенным давлением с последующим снижением его до атмосферного или подвергнута достаточно глубокому вакууму. Однако первый способ создания пересыщенного раствора воздуха имеет существенные преимущества перед вторым. Он позволяет в широких пределах регулировать степень пересыщения, подбирая ее в соответствии с требуемым эффектом флотации. [3]
Очевидно, что для возникновения пересыщений всех видов решетку твердых тел необходимо формировать или обрабатывать в условиях, максимально отличающихся от равновесных. [4]
 |
Теплоты смачивания цементно-лессовых образцов. [5] |
В системах с наполнителем обнаружена периодичность возникновения пересыщений, достаточных для выкристаллизовывания новой фазы, в результате химического взаимодействия кварца и гидролитически отщепляемой извести. Это влечет появление новых этапов возникновения высокодисперсных волокнистых кристаллов тобермо-ритоподобных гидросиликатов; их диаметр составляет 0 1 - 0 3 ммк, длина 2 - 20 мк и более. Вероятно, эти кристаллы и заращивают поры в наполненных системах. Рост кристаллов гидросиликатов в порах может осуществляться за счет незначительного структурного пересыщения. [6]
 |
Дисперсионный состав газовых эмульсий воздуха в воде, полученных во флотационных машинах двух типов ( типичные кривые. [7] |
Газовые эмульсии часто образуются за счет выделения газовой фазы из жидкой вследствие возникновения пересыщения при изменении параметров состояния газового раствора ( температуры, давления) или состава жидкой фазы. Пересыщенный раствор газа в жидкости может быть получен или ее предварительным насыщением или путем протекания химических, электрохимических, микробиологических и других процессов, сопровождающихся выделением газообразных продуктов реакции. Очень часто газовые эмульсии получаются при комбинированном действии различных факторов. [8]
При этом, чем выше начальное паросодержание, тем более благоприятны условия для возникновения пересыщения. Ламинарный режим более способствует пересыщению, чем турбулентный. [9]
Взвеси и молекулы полимеров, проникая непосредственно в граничный слой, уплотняют в нем все образования, искажают растворимость веществ, способствуя возникновению пересыщения. Это завершается интенсивным кристаллообразованием на поверхности металла и в ЭП. Этот процесс происходит до некоторого предела в поляризации и упорядочении частиц второго слоя и накопления возле него ионов. Последние, в силу соизмеримости с частицами дисперсионной среды, индифферентны к градиенту скорости и транспортируются из раствора мицеллами, взвесями, поверхность которых хорошо их адсорбирует. Это значит, что упорядочение поверхности налета за счет адсорбции частиц и накопление возле нее ионов ( освобождаются при коагуляции мицелл и застудневании взвесей) - неразрывные между собой процессы. [10]
Особенностью газового травления является то, что в процессе травления участвуют те же компоненты газовой фазы, что и при других условиях ( например, при возникновении пересыщения), обеспечивая рост эпитаксиального слоя. Желательно также проводить процесс в условиях, близких к режимам наращивания эпитаксиального слоя. [11]
При нанесении эпитаксиальных-покрытий, в частности вольфрамовых, часто наблюдается развитие в них отдельных зерен, окруженных больше-угловой границей [66], Ориентировка таких зерен может существенно отличаться от ориентировки основного материала эпитаксиального покрытия. Причины развития отдельных зерен в составе эпитаксиальных покрытий практически не изучались. Открытым остается вопрос о причинах возникновения локального пересыщения материала дислокациями и увеличения его в процессе роста. [12]
Кристаллизация из них начинается лишь после индукционного ( латентного) периода продолжительностью иногда до десятков и сотен часов. Существуют пересыщенные растворы, в которых самопроизвольно кристаллизация вообще не идет. В других случаях кристаллизация начинается сразу при возникновении пересыщения. Индукционный период сокращается с ростом пересыщения, и при некоторой его степени метастабильный раствор превращается в лабильный, неустойчивый, из которого идет самопроизвольная кристаллизация. [13]
Кристаллизация из них начинается лишь после индукционного ( латентного) периода продолжительностью иногда до десятков и сотен часов. Существуют пересыщенные растворы, в которых самопроизвольно кристаллизация вообще не начинается. В других случаях кристаллизация начинается сразу при возникновении пересыщения. Индукционный период сокращается с ростом пересыщения, и при некоторой его степени метастабильный раствор превращается в лабильный, неустойчивый, из которого идет самопроизвольная кристаллизация. [14]
Страницы: 1 2