Возникновение - поверхность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если жена неожиданно дарит вам галстук - значит, новая норковая шубка ей уже разонравилась. Законы Мерфи (еще...)

Возникновение - поверхность

Cтраница 1


1 Схемы распределения электронной плотности на поверхности металлического кристалла а - ориентация ( 100. б - ориентация ( ПО. [1]

Возникновение поверхности в металлическом кристалле существенно влияет на распределение свободных электронов в металле: оно вызывает сглаживание электронной плотности на поверхности. Другим эффектом, связанным с образованием поверхности, является эмиссия электронов с поверхности в вакуум.  [2]

Следует избегать возникновения поверхностей, ограничивающих два тела, где может появиться электризация.  [3]

Одной из важнейших причин возникновения поверхностей разрыва в газе могут являться разрывы в начальных условиях движения. В частности, эти начальные распределения отнюдь не должны быть непременно везде непрерывными функциями и могут испытывать разрывы на некоторых поверхностях. Так, если в некоторый момент времени привести в соприкосновение две массы газа, сжатые до различных давлений, то поверхность их соприкосновения будет поверхностью разрыва в начальном распределении давления.  [4]

С появлением нового кристалла связано возникновение поверхности раздела между новой фазой и исходной, на создание которой затрачивается работа.  [5]

Образование новой фазы связано с возникновением поверхности раздела фаз.  [6]

Исследования последних лет показали, что возникновение поверхности само по себе вызывает анизотропию свойств металла в приповерхностном слое. Теоретические расчеты и экспериментальные наблюдения показывают, что происходит перестройка поверхности металла. Например, на гранях монокристалла вольфрама отмеча-ется перегруппировка атомов в верхней плоскости параллельно самой себе. На других металлах, по данным ДМЭ, периодичность расположения атомов в поверхностных слоях различных граней монокристаллов отличается от объемной и свидетельствует о перестройке поверхности. Это наблюдается на платине, золоте и никеле.  [7]

Но образованию жидкой капли неизбежно сопутствует возникновение поверхности раздела.  [8]

Но образованию жидкой капли неизбежно сопутствует возникновение поверхности раздела.  [9]

10 Электронограмма единичного кристалла полиэтилена. [10]

Появление избыточной поверхностной энергии в результате возникновения поверхности раздела достаточно существенной из-за малых размеров пачек и их высокоасимметрической формы приводит к ярко выраженной способности пачек складываться в ленты, обладающие меньшей поверхностью и, следовательно, меньшей свободной энергией. Такое складывание пачки в ленту происходит самопроизвольно путем многократного поворота пачки на 180, причем в областях поворота возникают достаточно крупные дефекты кристаллического образования. Тем не менее здесь проявляется термодинамическое преимущество, так как при этом выигрывается поверхностная энергия.  [11]

12 Микроструктура высокохпомнсгого чугуна ( общее унолнчение Х150 состава. % G. i 8 % Si, 31 % Сг. Травление в растворе Муракуми. [12]

Высокая коррозионная стойкость высоко-хромистых чугупов объясняется возникновением па поверхности сплава непроницаемой и очень вязкой пленю -, состоящей, вероятно, пз сложной смеси окислов хрома и железа. Окись хрома может образоваться только за счет хрома, имеющегося в матрице, а не связанного в карбиде. Отсюда следует, что нержавеющий чугун можно получить только при наличии необходимого избытка хрома ( по-видимому, не менее 12 % 1, 2) сверх количества, требующегося для образования карбидов. Возможно это связано с тем, что кремний вызывает образование более дисперсных карбидов, способствующее формированию на поверхности сплошной окисной пленки. Вероятно, подобный эффект вызывают и добавки молибдена, хотя не исключено, что молибден просто частично замещает хром в соединениях с углеродом и тем самым повышает содержание хрома в феррите.  [13]

& з), сдвигаются при возникновении поверхности.  [14]

Если время действия НИ ti больше, чем задержка возникновения звуковой поверхности tsoun ( pi) вблизи поверхности инициирования ( рис. 8.9 а), то волна разгрузки не может изменить динамики фронта ИУВ.  [15]



Страницы:      1    2    3    4