Cтраница 2
Поскольку рассмотренное явление связано с тепловой ионизацией, то напряжение, при котором обратная характеристика претерпевает резкий излом, носит название напряжения теплового пробоя VT. Вполне понятно, что возникновение теплового пробоя более вероятно на постоянном токе, нежели в импульсном режиме, поскольку при прочих равных условиях средняя мощность рассеяния на коллекторе в первом случае будет больше. [16]
В изоляторах, заполненных компаундной массой, возможно отставание массы от фарфора при понижении температуры окружающей среды и образование в массе воздушных зазоров, облегчающих возникновение разрядов внутри изолятора. Повышение температуры изолятора, вызываемое диэлектрическими потерями в компаунде и теплом, выделяемым токоведущим стержнем, может способствовать возникновению теплового пробоя. [17]
Для решения этой задачи необходимо получить равномерное распределение плотности тока по всей площади электронно-дырочного перехода, что снизит вероятность возникновения теплового пробоя. Поэтому особое значение приобретает требование к однородности исходного полупроводникового материала, так как микронеоднородности и другие дефекты значительно снижают пробивное напряжение перехода. Дислокации в кремнии являются центрами осаждения примесей. Вдоль дислокаций могут быть повышены коэффициенты диффузии примесей. Скопления дислокаций влияют особенно сильно на диффузию примесей. Поэтому локальному понижению пробивного напряжения способствуют скорее даже не единичные дислокации, а их скопления в исходном полупроводнике. Естественно, что наряду с повышением качества исходных материалов необходимо совершенствовать методы контроля их параметров и свойств. [18]
Если условия теплоотвода плохие и тепло не успевает достаточно быстро рассеиваться, равновесие между генерацией тепла и его отводом нарушается и прибор разрушается вследствие перегрева. Включение стабилизирующего сопротивления в цепь эмиттера, уменьшение сопротивления в цепи базы до минимально возможной величины, снижение коллекторного напряжения позволяют снизить вероятность возникновения теплового пробоя. Однако для того, чтобы избежать теплового пробоя, в первую очередь необходимо улучшить отвод тепла от диодов и транзисторов. [19]
Выбор достаточно большого сопротивления, хотя и позволит осуществить стабилизацию, является очень невыгодным, гак как он связан со значительной затратой энергии и, кроме того, тепло, выделяющееся на сопротивлении, будет вызывать дополнительный нагрев схемы. Поэтому желательно, чтобы условие стабильности ( 3 - 4) выполнялось при относительно малых значениях коллекторного сопротивления. Возможны случаи, когда именно эта зависимость определит возникновение теплового пробоя. [20]