Cтраница 1
Возникновение вторичного пробоя в предохранителях с элементами из алюминия объясняется образованием при описанных реакциях оксида алюминия, который под действием постоянного приложенного напряжения и высокой температуры сохраняет достаточно высокую электропроводность. При этом скорость нагрева предохранителя от протекания остаточного тока выше, чем скорость охлаждения, обусловленная теплопроводностью оксида алюминия. [1]
Большое значение имеет разработка мер, препятствующих возникновению вторичного пробоя, и создание транзисторов, обладающих повышенной устойчивостью к вторичному пробою. [2]
Отсутствие дефектов в структуре Транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. [3]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [4]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под р-тг-переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [5]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [6]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Зтот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [7]
Можно считать, что в любом из существующих типов транзисторов при определенных условиях возможно возникновение вторичного пробоя. [8]
Транзистор КТ839А ( с большим максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер) открывается и закрывается замыканием и размыканием его эмиттерной цепи быстродействующим транзистором КТ972А, что предотвращает возникновение вторичного пробоя и уменьшает длительность переключения эмиттерного транзистора. Именно это и позволяет изменять выходное напряжение в широком интервале без переделки импульсного трансформатора. [9]
Толщина базовой области должна быть малой для обеспечения таких параметров, как высокий статический коэффициент усиления транзистора на малых и больших токах и высокая предельная частота. С другой стороны, для обеспечения достаточно высоких рабочих напряжений во избежание прокола толщину базы желательно выбирать как можно больше в сплавных транзисторах, а в диффузионных по крайней мере обеспечивать, чтобы она была не слишком малой. Как будет рассмотрено далее, с точки зрения исключения возможности возникновения вторичного пробоя толщину базы также целесообразно увеличивать. [10]
При этом коэффициенты усиления транзисторов снижаются настолько, что возникает угроза потери элементами работоспособности. В связи с этим идут интенсивные поиски методов повышения коэффициентов усиления транзисторов в микрорежиме. В работе [1] было предложено использовать транзистор в режиме микротоков при лавинном пробое коллекторного перехода. Такое использование позволяет существенно повысить величину коэффициентов усиления; при этом за счет малых токов коллектора снимается главный недостаток лавинного режима - опасность возникновения вторичного пробоя, В связи с этим возникает вопрос о возможности использования лавинных транзисторов в микромощных логических схемах. [11]
Отсутствие дефектов в структуре Транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Если при этом в силу каких-то причин в базовой области возникнет незначительный ток основных носителей, направленный от периферии к центру, то из-за - появления градиента отпирающего напряжения на эмиттере начнется концентрация тока в базе, но не к периферии эмиттера, как это бывает обычно, а к центру. Таким образом, в любом транзисторе при тех или иных условиях всегда возможно возникновение вторичного пробоя. Если транзистор находится в этом состоянии достаточно долго, то в нем произойдут серьезные необратимые изменения. Имеются данные, согласно которым кратковременное нахождение в состояии вторичного пробоя может не вызывать заметных необратимых изменений в транзисторе. Некоторые исследователи указывают, однако, что при многократном переводе транзистора во вторичный пробой локализация тока происходит в одном и том же месте. Этот факт заставляет предположить, что в любом случае переход во вторичный пробой вызывает какие-то, хотя бы очень незначительные необратимые изменения. Во всяком случае в настоящее время следует считать, что переход транзистора в процессе его эксплуатации в состояние вторичного пробоя является недопустимым даже на очень короткое время. [12]