Возникновение - центр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Возникновение - центр

Cтраница 1


Возникновение центра I связывается, как известно, с расщеплением в силовом поле РЗЭ-катиона молекулы воды на протон и гидроксильную группу [9], причем протон образует бренстедовский кислотный центр. Поэтому в случае РЗЭ-форм цеолитов их дополнительное декатпонирование не обязательно.  [1]

Возникновение центров спонтанной кристаллизации в сложных стеклах автор связывает с диффузионной химической дифференциацией атомов и структурных групп, образующих скопления в виде областей, состав которых близок к составу выделяющихся кристаллов. Возможны два механизма кристаллизации многокомпонентных стекол: с предкристаллизационной метастабильной ликвацией и без нее. В первом случае в процессе расслоения благодаря образованию аморфных центров критических размеров, способных к дальнейшему росту, образуются метастабильные стеклообразные микрообласти с составом будущих кристаллов. Эти области затем быстро упорядочиваются и кристаллизуются. Во втором случае флуктуационно возникающие благодаря росту термодинамического потенциала микрообласти с составом будущих кристаллов устойчиво не существуют и могут рассасываться, если не имеет место их упорядочение. Образование этих областей происходит фактически одновременно с их кристаллизацией. Формула ( 26) описывает вероятные результаты этих двух сложных кооперативных процессов. Начальные или зародышевые стадии кристаллизации имеют важное значение для ситаллизации стекол. Число центров, равномерно образующихся во всем объеме стекла при его низкотемпературной обработке и определяющих число будущих микрокристаллов, должно быть велико и составлять 1012 см-3 или больше.  [2]

Для возникновения кристаллизационного центра в охлаждаемой жидкости обязательно должно быть некоторое переохлаждение.  [3]

Процесс графитизации начинается с возникновения графитных центров, которые наиболее легко зарождаются в местах нарушений сплошности - в закалочных и деформационных микротрещинах, усадочных микропорах. При появлении в белом чугуне центров графитизации нарушается равновесие между аусте-нитом и цементитом и в соответствии с диаграммой железоуглеродистых сплавов ( линии ES и E S) возникает перепад концентрации углерода на границах раздела фаз: аустенит - графит и аустенит - цементит. В возникающей системе из трех фаз - аустенита, графита и цементита аустенит не может одновременно находиться в равновесии с цементитом и графитом.  [4]

5 Влияние травления на сенсибилизацию 10 - 4 М раствором KzPtCU.| Влияние травления на сенсибилизацию 1 4. Ю-8 М раствором. [5]

Можно предположить, что возникновение иридиевых и платиновых центров в липмановской эмульсии ( как и золотых) обусловлено в основном восстановительной функцией желатины.  [6]

Началу образования новой фазы - возникновению центров конденсации - соответствует определенная критическая степень пересыщения, зависящая как от природы веществ, так и от наличия ядер конденсации. При гомогенной конденсации происходит самопроизвольное образование зародышей; энергия поверхности выступает в качестве потенциального барьера конденсации. Энергия Гиббса образования зародышей имеет три составляющих: объемную, поверхностную и составляющую, обусловленную энергией упругой деформации при структурном изменении твердых тел.  [7]

Началу образования новой фазы - возникновению центров конденсации - соответствует определенная критическая степень пересыщения, зависящая как от природы веществ, так и от наличия ядер конденсации. При гомогенной конденсации происходит самопроизвольное образование зародышей; энергия поверхности выступает в качестве потенциального барьера конденсации. Энергию Гиббса образования зародышей выражают ( в соответствии с объединенным уравнением первого и второго начал термодинамики) в виде четырех составляющих: энтропийной, механической, поверхностной и химической. Вклад энтропийной составляющей при отсутствии стабилизаторов, как правило, небольшой.  [8]

9 Рельеф закристаллизовавшегося участка теплового пробоя. Si ( 111, М600. [9]

В предположении о том, что возникновение обнаруженных затравочных центров плавления обусловлено явлением теплового пробоя в рамках теории Вагнера была построена физическая модель о развитии канала теплового пробоя в полупроводниковом монокристалле с образованием расплавленной фазы. В рассматриваемом случае появление таких центров следует ожидать в местах максимальных диэлектрических потерь на дефектных областях кристалла с повышенной электропроводностью, являющихся локальными источниками рассеяния энергии внешнего поля.  [10]

МП напряженностью до 14000 гс скорость возникновения центров в 5 - 40 раз выше, чем бег поля.  [11]

Хотя в уравнения, определяющие скорости возникновения центров и роста кристаллов, входит целый ряд параметров, Тернбал и Коэн, сделав некоторые упрощающие допущения, смогли показать, что основным условием стеклообразования являются большие значения отношений свободных энергий активации процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов к температуре, ниже которой могут образоваться кристаллы.  [12]

Так, малые дозы электролитов способствуют возникновению коагуляционных центров, по которым происходит сцепление молекул с образованием структур. Добавление в раствор значительного количества того же электролита приводит к образованию на поверхности частиц дисперсной фазы множества активных центров, приводящих к их сильной коагуляции с образованием отдельных агрегатов. Последние, достигнув достаточных размеров, оседают под воздействием сил тяжести, что в конечном итоге приводит к расслоению системы.  [13]

Начало реакции термической диссоциации связано с возникновением центров реакции, зародышей новой фазы.  [14]

Изменение окраски кристаллов хлористого калия объясняется возникновением центров поглощения света в кристаллах, подвергающихся электронной бомбардировке. В кристаллической решетке хлористого калия могут существовать вакантные места в узлах, нормально занятых атомами калия и хлора. При локализации электрона в узле решетки, нормально занятом атомом хлора, этот узел становится центром поглощения света. Электрон, локализованный в узле кристаллической решетки, может совершать колебания с определенной ( резонансной) частотой. При освещении кристалла с нарушениями в кристаллической решетке - наличием электронов на местах атомов хлора - происходит интенсивное поглощение света с длиной волны, соответствующей резонансной частоте колебаний электронов, локализованных в узлах кристаллической решетки. Для хлористого калия резонансная частота соответствует желто-зеленой части спектра, вследствиве чего при освещении подвергшегося электронным ударам кристалла КО он кажется окрашенным в дополнительный - фиолетовый цвет.  [15]



Страницы:      1    2    3    4