Возникновение - центр - кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Покажите мне человека, у которого нет никаких проблем, и я найду у него шрам от черепно-мозговой травмы. Законы Мерфи (еще...)

Возникновение - центр - кристаллизация

Cтраница 1


Возникновение центров кристаллизации связано с изменением Д / 7 системы в целом.  [1]

Возникновение центров кристаллизации СаС03 существенно зависит от концентрации свободной углекислоты в растворе.  [2]

Вероятность возникновения центров кристаллизации во всей системе является конечной величиной, вероятность же одновременного зарождения более чем одного центра кристаллизации за малый промежуток времени бесконечно мала. Вероятность зарождения первого центра кристаллизации в указанной выше модели определяется наименее надежной микроскопической ячейкой.  [3]

Если представить себе возникновение центров кристаллизации как процесс постепенного укрупнения до-зародышевых комплексов, не имеющих кристаллической решетки и не являющихся, по сути дела, частицами новой фазы, то представления о гомогенности пересыщенного раствора окажутся вполне оправданными.  [4]

Однако рост кристаллической поверхности при обязательном возникновении центра кристаллизации за счет диффузии вещества из граничного слоя не оправдался на практике: реальные кристаллы растут во много раз быстрее, чем это может быть разрешено классическим представлением о росте кристалла.  [5]

Вновь образующиеся полиморфные модификации являются следствием возникновения центров кристаллизации и роста кристаллов, подобно кристаллизации из жидкого состояния.  [6]

Вновь образующиеся полиморфные модификации являются следствием возникновения центров кристаллизации и роста крис-таллов, подобно кристаллизации из жидкого состояния.  [7]

Таким образом, Агетер Агомог, т.е. вероятность возникновения центров кристаллизации при гетерогенном зародышеобра-зовании резко возрастает.  [8]

При нагреве выше критической точки Лс в результате возникновения центров кристаллизации ( на границе феррита и цементита) и их роста из перлита образуется аустенит. Это образование обусловлено диффузией, поэтому состав аустенита существенно отличается от феррита и цементита.  [9]

При электролитическом осаждении металлов скорость реакции определяется вероятностью возникновения центров кристаллизации, которая тем больше, чем больше величина перенапряжения. Прямолинейный характер зависимости In i от 1 / т ] 2 доказывает, что затруднения всего процесса обусловлены замедленностью стадии образования трехмерных зародышей. Такая зависимость была получена при выделении некоторых металлов на монокристаллах. После возникновения трехмерных зародышей рост металлической фазы происходит в условиях повторяющегося шага прикреплением новых структурных элементов в местах, энергетически наиболее выгодных, а скорость роста определяется энергией, необходимой для образования двумерного зародыша.  [10]

При нагреве выше критической точки ACl в результате возникновения центров кристаллизации ( на границе феррита и цементита) и их роста из перлита образуется аустенит. Это образование обусловлено диффузией, поэтому состав аустенита существенно отличается от феррита и цементита.  [11]

При электролитическом осаждении металлов скорость реакции определяется вероятностью возникновения центров кристаллизации, которая тем больше, чем больше величина перенапряжения. Прямолинейный характер зависимости In ( от 1 / т) 2 доказывает, что затруднения всего процесса обусловлены замедленностью стадии образования трехмерных зародышей. Такая зависимость была получена при выделении некоторых металлов на монокристаллах. После возникновения трехмерных зародышей рост металлической фазы происходит в условиях повторяющегося шага прикреплением новых структурных элементов в местах, энергетически наиболее выгодных, а скорость роста определяется энергией, необходимой для образования двумерного зародыша.  [12]

Кристаллическая структура осаждаемых металлов зависит от двух процессов: возникновения центров кристаллизации на катоде и роста кристаллов из возникших центров кристаллизации. Если скорость первого процесса превышает скорость второго, то образуется мелкокристаллический осадок. Точной зависимости между плотностью тока, концентрацией электролита и кристаллической формой осадка не установлено, но известно, что чем выше плотность тока, тем больше скорость зарождения центров кристаллизации и тем мельче структура осаждаемого металла. Чрезмерно высокие плотности тока, вследствие медленной диффузии ионов к катоду, вызывают образование рыхлых, порошкообразных осадков и наростов.  [13]

Хиге еще в 1914 г. изучил раздельно роль скорости возникновения центров кристаллизации и скорости укрупнения микрокристалликов. Оказалось, что-к веществам, предотвращающим или замедляющим образование зародышей, относятся Кз [ Ре ( СМ) е ] и K4 [ Fe ( CN) 6 ], a К веществам, тормозящим рост кристалликов, - КВг и КД - При введении первых веществ кристаллики из пересыщенного раствора совсем не образуются, однако процесс кристаллизации легко можно вызвать, если в систему ввести чужеродные зародыши.  [14]

Важную роль в процессе образования осадка играет соотношение скорости возникновения центров кристаллизации и скорости роста кристалликов. Если скорость образования центров кристаллизации большая, а рост кристаллов идет медленно, получают мелкодисперсный осадок. Если, наоборот, скорость возникновения зародышей кристаллов низка, а кристаллы растут быстро, получают крупнокристаллический осадок.  [15]



Страницы:      1    2    3    4