Возникновение - автоэлектронная эмиссия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизненный опыт - это масса ценных знаний о том, как не надо себя вести в ситуациях, которые никогда больше не повторятся. Законы Мерфи (еще...)

Возникновение - автоэлектронная эмиссия

Cтраница 1


1 Схема наблюдения автоэлектронной эмиссии. [1]

Возникновение автоэлектронной эмиссии объясняется тем, что сильное электрическое поле у катода изменяет потенциальный барьер на поверхности металла. Это изменение сводится, во-первых, к понижению высоты барьера ( уменьшению работы выхода) и, во-вторых, к уменьшению толщины барьера. Оба эти обстоятельства приводят к увеличению вероятности прохождения электронов через поверхностный потенциальный барьер. Если деформация потенциального барьера достаточно велика, то уже при низкой температуре заметная доля электронов проводимости оказывается в состоянии выйти из металла, и тогда возникает автоэлектронная эмиссия. Более детальное объяснение этого явления, однако, возможно только на основе квантовой теории, что лежит за пределами настоящей книги.  [2]

3 Схема наблюдения автоэлектронной эмиссии. [3]

Возникновение автоэлектронной эмиссии объясняется тем, что сильное электрическое поле у катода изменяет потенциальный барьер на поверхности металла. Это изменение сводится, во-первых, к понижению высоты барьера ( уменьшению работы выхода) и, во-вторых, к уменьшению толщины барьера. Оба эти обстоятельства приводят к увеличению вероятности прохождения электронов через поверхностный потенциальный барьер. Если деформация потенциального барьера достаточно велика, то уже при низкой температуре заметная доля электронов проводимости оказывается в состоянии выйти из металла, и тогда возникает автоэлектронная эмиссия.  [4]

Возникновение автоэлектронной эмиссии объясняется тем, что сильное электрическое поле у катода изменяет потенциальный барьер на поверхности металла. Это изменение сводится, во-первых, к понижению высоты барьера ( уменьшению работы выхода) и, во-вторых, к уменьшению толщины барьера. Оба эти обстоятельства приводят к увеличению вероятности прохождения электронов через поверхностный потенциальный барьер. Если деформация потенциального барьера достаточно велика, то уже при низкой температуре заметная доля электронов проводимости оказывается в состоянии выйти из металла, и тогда возникает автоэлектронная эмиссия. Более детальное объяснение этого явления, однако, возможно только на основе квантовой теории, что лежит за пределами настоящей книги.  [5]

6 Зависимость числа импульсов фона от потенциала внешнего электростатического экрана. [6]

Резкое возрастание фона при высоких напряжениях объясняется возникновением автоэлектронной эмиссии с острых краев электродов, а также появлением ионной и оптической обратной связи между последними каскадами умножителя и катодом. В анодной части умножителя, где электронный ток имеет наибольшую величину, при столкновениях электронов с атомами остаточного газа возникают положительные ионы. Эти ионы движутся под действием приложенного к умножителям напряжения к катоду и, бомбардируя его и первые эмиттеры, вызывают эмиссию вторичных электронов, являющихся источником дополнительных фоновых импульсов. С увеличением напряжения увеличиваются энергия ионов, а вместе с ней и количество выбиваемых вторичных электронов.  [7]

8 Схема датчика ММ-15. [8]

Втулки экрана, прикрывающие края торцовых пластин катода, предотвращают возникновение автоэлектронной эмиссии с катода, ограничивающей нижний предел измеряемых датчиком давлений. Автоэлектронная эмиссия со втулок экрана не регистрируется в цепи катода-коллектора ионов и в то же время облегчает зажигание разряда. При давлениях больше 5 - Ю 8 мм, рт. ст. разряд зажигается в течение 1 мин. Прогрев анода прямым пропусканием тока до 8а в течение нескольких секунд значительно облегчает возникновение разряда. Катод обезгаживается электронной бомбардировкой при напряжении 1 5кв и токе эмиссии 10 ма. Датчик позволяет производить длительный прогрев в печи при температуре до 400 С без съема магнитов.  [9]

Это приводит к уменьшению, по сравнению с классическими оценками, напряженностей полей, необходимых для возникновения автоэлектронной эмиссии.  [10]

Однако и уменьшение расстояния и увеличение разности потенциалов между катодом и экраном ограничивается, во-первых, возможностью возникновения автоэлектронной эмиссии с фотокатода, которая создает светящийся фон на экране, и, во-вторых, технологическими трудностями изготовления преобразователя с малыми расстояниями катод - экран.  [11]

12 ЭОП с электростатической фокусировкой. [12]

Так как напряженность электростатического поля возрастает от катода к экрану постепенно, плавно, а экран отнесен на большое расстояние от фотокатода, то становится возможным применение больших ускоряющих напряжений без опасности возникновения автоэлектронной эмиссии с катода или межэлектродных пробоев.  [13]

Соотношения для коэффициента усиления тока, аналогичные уравнениям ( 140) и ( 143), получаются также при учете других вторичных эффектов в разрядном промежутке газонаполненной лампы, в частности, при учете возникновения фотонов и рентгеновского излучения, образования возбужденных и метастабильных атомов, а также возникновения автоэлектронной эмиссии и термической ионизации.  [14]

Автоэлектронная ( электростатическая) эмиссия, возникающая при создании у поверхности эмиттера электрических полей с очень высокой напряженностью. В отличие от ранее перечисленных видов электронной эмиссии возникновение автоэлектронной эмиссии связано не с возбуждением электронов эмиттера, а с изменением формы потенциального барьера, при котором появляется конечная вероятность прохождения через барьер невозбужденных электронов.  [15]



Страницы:      1    2