Уширение - линия
Cтраница 1
Уширение линий дипольное 25 ел. [1]
Уширение линии не происходит в случае симметрично замещенных структур или при наличии очень быстрого обмена. [2]
 |
Атомный пучок. [3] |
Уширение линий в полом катоде целиком определяется эффектом Доплера. Температура, измеренная по этому уширению, зависит от конкуренции процессов отвода тепла через газ на охлаждаемую стенку катода и тепловой мощности, выделяемой разрядом. Поэтому она в сильной степени зависит от природы газа - носителя разряда, силы тока в разряде, давления газа и толщины стенок катода. Довольно значительные расхождения результатов измерения температуры, полученные разными авторами, вероятно, объясняются различием в условиях отвода тепла. В качестве иллюстрации на рис. 10.21, б приведены зависимости температуры газа в охлаждаемом жидким азотом ( 77 К) медном полом катоде. При малых токах ( 5 ма) газовая температура близка к температуре стенок катода. [4]
Уширение линий за счет самопоглощения и самообращения имеет особое значение в связи с источниками света, используемыми для атомной абсорбции. Атомы той же природы, что и атомы, эмиттирующие излучение, сильнее поглощают излучение в центре линии, чем на ее краях. Этот эффект может быть особенно заметен, если пар, поглощающий излучение, значительно холоднее, чем эмиттирующий. В последнем случае наблюдается провал в середине линии. [5]
Уширение линии вызывается эффектом насыщения, который возникает в / том случае / когда мощность имеет такую величину, что тепловое равновесие системы не восстанавливается обычными релаксационными процессами. При парамагнитном резонансе этот эффект возникает только при больших мощностях. [6]
Уширение линий в газах почти целиком обусловлено доппле-ровским движением атомов. Это следует из того, что лазеры обычно работают при давлениях 1 - 10 - 3 тор. [7]
Уширение линии, связанное с конечностью времени жизни возбужденного состояния, принято называть однородным. При однородном уширении форма линии описывает спектральные характеристики каждой частицы и всего ансамбля частиц в целом. [8]
 |
Структура резонансных линий, состоящих из нескольких компонент. [9] |
Уширение линий с ростом силы тока связано в основном с самопоглощением линий в лампе. [10]
Уширение линий на дифрактограмме наблюдается в случае, если размер частиц меньше, чем 100 нм. Поэтому этот метод, обычно используют для исследования кристаллов, размер которых лежит в пределах от 3 до 50 нм. [11]
Уширение линии не происходит в случае симметрично замещенных структур или при наличии очень быстрого обмена. [12]
Уширение линии облегчает практическое осуществление генерации света. Малейшее изменение этого расстояния, которое может быть связано с разными причинами, привело бы к прекращению генерации. [13]
 |
Зависимость интенсивности линии от температуры плазмы.| Ширина и форма спектральной линии. / - в отсутствие самопоглощения. 1 - при наличии самопоглощения. [14] |
Уширение линий в реальных источниках света вызвано несколькими причинами. Например, тем, что излучающие атомы движутся в плазме с различными скоростями. [15]
Страницы: 1 2 3 4