Cтраница 1
Уэлан [306] наблюдал и подробно проанализировал реакции между полосками на пересекающихся плоскостях скольжения. [1]
Уэланом [302], Джеверсу [567] удалось найти аналитически, примерно так, как показано выше. За более подробными сведениями отсылаем читателя к его работе. [2]
Питт, Уэлан и Роберте256 определяли степень полимеризации восстанавливающихся олигосахаридов с помощью борогидрида натрия. [3]
Хауи и Уэлан [302] рассчитали также контраст на изображении следов скольжения на основе предположения о том, что он обусловлен наличием непосредственно под поверхностью дислокации, закрепленной оксидной пленкой. Влияние поверхности учитывается путем введения дислокации изображения, лежащей на расстоянии 0, te от реальной дислокации симметрично относительно поверхности. [4]
Эта система уравнений была выведена Хауи и Уэланом [287] из уравнения Шредингера другим методом. [5]
Основы этого метода были разработаны Хауи и Уэланом [287] для многоволнового приближения. [6]
В закаленном сплаве А1 4 % Си Томас и Уэлан [398] обнаружили, что образуется очень мало дислокационных петель, а большинство вакансий абсорбируется существующими дислокациями. Вакансии предпочтительно конденсируются на существующих в кристалле дислокациях, а не образуют зародыши петель. Примеси, по-видимому, связывают вакансии, препятствуя перемещению вакансий, необходимому для образования дислокационных петель. [7]
В очень чистом алюминии наблюдалось кооперативное движение дислокаций в параллельных плоскостях скольжения, когда наклонные границы движутся как одно целое через весь образец. Уэлан и др. [305] установили, что дислокации в нержавеющей стали зарождаются на краю фольги или появляются из границы. В частности, авторы полагают, что источники дислокаций могут действовать на границах двойников. [8]
Это было сделано Хашимото, Хауи и Уэланом [296-298], причем были вычислены профили интенсивности для объяснения некоторых особенностей контраста, создаваемого Ф г 96 Г аби - ДеФектами упаковки в нержавеющей стали, ческое построение Основные выводы, вытекающие из этих расче-контуров дефекта тов, таковы. [9]
Для уменьшения затрачиваемого труда при вычислении изображения дислокации нужно использовать возможные свойства симметрии изображения. Хауи и Уэлан [287] разработали теорию для многоволнового случая. Мы же, как и раньше, ограничимся только двухволновой теорией, но наши результаты и выводы будут справедливы и для многоволнового случая. [10]
Функция а п R ( г) сравнительно сложна даже в простейшем случае винтовой дислокации, пар аллельной поверхности фольги. Поэтому аналитическое интегрирование представляет большие трудности. Для различных типов дислокаций Хауи и Уэланом [289] было проведено интегрирование численными методами. Результаты этих расчетов рассматриваются ниже. [11]
Медь, действующую в арсениде галлия как акцептор, вследствие быстрой диффузии по кристаллу считают важнейшей примесью. Медь диффундирует по междоузлиям, но может также и внедряться в решетку, замещая Ga, атомы которого имеют больший размер. Исходя из положения меди в периодической системе ( I группа), можно ожидать, что при замещении Ga она создаст самое большее два мелких уровня. Если, однако, она замещает As, то можно ожидать появления нескольких акцепторных уровней. Фуллер и Уэлан установили, что в арсениде галлия повышение концентрации дырок после диффузии меди в два или три раза превышает концентрацию меди. Это заставляет предположить, что медь создает в арсениде галлия по крайней мере два мелких акцепторных уровня. [12]
Особенно подробно диффузия изучалась в арсениде галлия, что объясняется использованием этого материала для изготовления р - n - переходов, получаемых методом диффузии. Селен, диффундировавший в арсенид галлия при 1000 С, по-видимому, образует на его поверхности легкоплавкий стекловидный слой толщины порядка 75 мк; внутри этого слоя концентрация селена постоянна. Для многих примесей в арсениде галлия диффузия не приводит к простому распределению, подчиняющемуся дополнительной функции ошибок. Например, быстрая диффузия меди в этом материале аналогична поведению меди в Ge. Закон Фика, очевидно, не выполняется, поэтому здесь нельзя обойтись единственным значением коэффициента диффузии. Можно, однако, прибегнуть к кажущемуся коэффициенту диффузии /) Каж, с помощью которого удается проиллюстрировать большую скорость диффузии. Фуллер и Уэлан [26] нашли, что при 1000 С Д1аж - 2 4 - 10 - 6 см2 / сек, а при 1100 С DKaiK RS 1 1 10 - 6 см / сек. Можно видеть, что предположение о соблюдении закона Фика приводит к отрицательной энергии активации диффузии. [13]