Изучение - спектр - испускание
Cтраница 1
 |
Кристаллическая структура GeS. [1] |
Изучение спектра испускания в области А, 2850 - 3750 А показывает, что он обусловлен переходами между D - и Х - состояниями. [2]
 |
Кристаллическая структура GeS. [3] |
Изучение спектра испускания в области К 2850 - f - 3750 А показывает, что он обусловлен переходами между D - и Х - состояниями. Четыре молекулы 7 ( iGeS, 7 GeS, 75GeS и 76GeS характеризуются каждая своей полосой испускания. [4]
Изучение спектров испускания и поглощения этого пламени показывает, что наряду с исходным веществом CS2 и одним из продуктов реакции SOi в зоне пламени наблюдаются также частицы S2 и CS, обнаруживаемые как по спектру испускания, так и по спектру поглощения холодного газа, поступающего из зоны реакции. Так, например, измеренное в одном из опытов ( общее давление 3 мм рт. ст., температура около 600 К) среднее значение парциального давления радикал CS равно 10 - 2 мм рт. ст., а вычисленное из равновесия-10 - п мм рт. ст. В таком же отношении находятся действительное и равновесное парциальные давления паров двухатомной серы. [5]
Качественный спектральный анализ основан на изучении спектра испускания вещества. [6]
Рентгеноспектральные методы элементного анализа, основанные на изучении спектров испускания или поглощения рентгеновского излучения атомами исследуемых элементов [8], получили довольно широкое применение в лабораторной и производственной практике определения химического состава веществ в горнорудной, металлургической, цементной промышленности и др. Применение этих методов дает возможность не только расширить области использования средств автоматического контроля, но и по-новому ставить и решать задачи, возникающие при автоматизации химических производств. [7]
Блюменталь [844] уточнил данные Мекке [2829] в результате изучения спектра испускания РЬО в более широкой области длин волн. Шоуан и Морган [3696], Хауэлл [2136] и Ваго и Барроу [4045] исследовали спектр поглощения окиси свинца, нашли две новые системы полос в ультрафиолетовой области спектра и провели анализ их колебательной структуры. В табл. 289 приведены значения молекулярных постоянных РЬО, принятые в настоящем Справочнике. [8]
Большое значение для определения системы энергетических уровней полупроводника имеет изучение спектров испускания и поглощения мягких рентгеновских лучей. Однако, несмотря на важность даваемых сведений, ни магнитные, ни рентгеновские методы изучения полупроводников не сделались еще привычным средством их исследования. [9]
Большое значение для определения системы энергетических уровнен полупроводника имеет изучение спектров испускания и поглощения мягких рентгеновых лучей, рентгеновский и электронный структурный анализ, позволяющие определить расположение атомов в кристаллической решетке и среднюю по времени плотность электрического заряда, а следовательно, и характер химических связей. Изучение рассеяния рентгеновых лучей, вызываемого дефектами кристаллической решетки, имеет большое, иногда решающее, значение для понимания свойств полупроводящих материалов. Соответственные исследования находятся, однако, еще в начальной стадии. [10]
Эмиссионный спектральный анализ называется так потому, что он основан на изучении спектров испускания ( излучения) или эмиссионных спектров различных веществ. [11]
Эмиссионный спектральный анализ называется так потому, что он основан на изучении спектров испускания ( излучения) или эмиссионных спектров различных веществ. [12]
 |
Изменение концентрации моноокиси серы ( 1 и суммарного давления ( 2 в ходе медленного окисления сероводорода HaS. [13] |
Один из интересных результатов, полученных Гейдоном при одновременном анализе межконусных газоз и изучении спектра испускания внешнего конуса углеводородных пламен, состоит в том, что интенсивность полос радикала HGO изменяется параллельно с изменением концентрации перекисей в межконусном газе. Это имеет существенное значение с точки зрения механизма образования и превращения органических перекисей в пламенах. [14]
 |
Горелка для получения охлажденных пламен с разделенными конусами ( по Гейдону. [15] |
Страницы: 1 2