Изучение - электронный спектр - поглощение
Cтраница 2
Спектры поглощения в видимой и ультрафиолетовой областях обусловлены переходами молекулы из основного в возбужденные электронные состояния. Изучение электронных спектров поглощения позволяет получить важные сведения об электронном строении и различных свойствах молекул. [16]
Как известно [2], при нитровании дифенилсульфона в качестве побочного продукта образуется стифниновая кислота. На основании изучения электронных спектров поглощения щелочных отмывок 3 3 -динитродифенилсульфона мы обнаружили, что наряду со стифниновой получается также и пикриновая кислота. [17]
 |
Зависимость теплоты адсорбции тетрагидрафурана при 20 С па аоросилогелс. [18] |
Я полностью согласен с доктором Каракчиевым, который говорил о необходимости тщательной разработки ьовых методов для оценки поверхностной кислотности. Насколько мне известно, его группа вЛовосибнрске первая пыталась определить силу кислотных центров поверхности путем изучения электронных спектров поглощения индикаторов, адсорбированных из газовой фазы. Я убежден, что этот метод приведет к новым существенным результатам. Возможно, однако, что с помощью этого метода будут обнаружены иные поверхностные центры кислой природы, чем при адсорбции индикаторов из растворов. [19]
За последнее время внимание исследователей чаще обращается на выяснение возможности исследования состава нефтей по электронным спектрам поглощения в ультрафиолетовой области, а также по спектрам люминесценции. В ультрафиолетовой области ароматические углеводороды обладают избирательным поглощением, поэтому эта область является благоприятной для аналитических целей. Изучение электронных спектров поглощения и испускания позволяет получать данные о колебаниях молекулы не только в основном, но и в возбужденном электронных состояниях, что невозможно при исследовании по спектрам комбинационного рассеяния и инфракрасным спектрам. [20]
В результате изучения последних выработаны четкие представления о механизме фотовозбуждения свободных носителей. Поглощение кристаллом света приводит к образованию молекулярных синглетных экситонов. При этом определяют время жизни носителей, характеристики локальных уровней, от которых зависит дрейфовая подвижность и сама фотоэлектрическая чувствительность. Рассматривается влияние примесей, вводимых в кристаллы в строго определенных количествах, на фоточувствительность и, в частности, на процессы рекомбинации носителей тока. Для полимерных полупроводников подобные исследования этих параметров отсутствуют. Как правило, ограничиваются изучением электронных спектров поглощения, спектрального распределения стационарной фотоэлектрической чувствительности, ее температурной зависимости. [21]
Страницы: 1 2