Бинарная фаза

Cтраница 1

Бинарная фаза готовилась путем последовательного нанесения равных количеств ( 0 125 % к весу носителя) гликоля и сквалана соответственно из растворов ацетона и м-пентана. Удельный удерживаемый объем ( Vg) определяли по обычной формуле. [1]

Бинарная фаза готовилась путем последовательного нанесения равных количеств ( 0 125 % к весу носителя) гликоля и сквалана соответственно из растворов ацетона и н-пентана. Удельный удерживаемый объем ( Vf) определяли по обычной формуле. [2]

В качестве бинарных фаз в этой работе использовали следующие системы растворителей: 1) гексан-ацетонитрил, 2) изооктан-диметилформамид ( ДМФА), содержащий 10 % воды, 3) изооктан-диметилсульфоксид ( ДМСО), содержащий 10 % воды, 4) гептан-этанол, содержащий 10 % воды, 5) изооктан-ацетон, содержащий 20 % воды, 6) бензол-метанол, содержащий 20 % воды, 7) хлороформ-метанол, содержащий 40 % воды. В последних двух системах неполярный слой находился внизу и - величина определялась как фракционная доля вещества, оставшаяся в неполярном слое. [3]

Если в бинарной фазе MG содержание компонентов определяется индивидуально ( в единицах массы или в молях на единицу объема), то следует различать коэффициенты диффузии DM компонента М и DG компонента G. Эти коэффициенты могут изменяться в зависимости от концентраций и градиентов концентраций. [4]

Надо иметь в виду, что между компонентами бинарной фазы может иметь место специфическое взаимодействие, которое несомненно, отразится на ее физико-химических свойствах. [5]

В предыдущей главе мы предполагали, что заданный узел решетки бинарной фазы А - В может быть занят или атомом А, или атомом В. В этом случае говорят, что атомы А и В могут замещать один другого. Однако во многих смесях маловероятно, что атомы А и В займут узлы одного типа. Например, в сплаве г.ц.к. железа с углеродом, атомы углерода не замещают атомы железа в узлах решетки, поскольку их размеры существенно меньше, а располагаются в определенных дырках структуры. В этом случае растворенный углерод в железе называют компонентом внедрения. Все дырки, которые достаточно велики, чтобы вместить атомы углерода, могут рассматриваться как узлы другой решетки, сопряженной с решеткой железа. В случае железа с г.ц.к. структурой ( аустенита), эти дырки представляют собой октаэдрические поры и образуют другую г.ц.к. решетку, ее узлы заняты атомами углерода или вакантны. Имеются также тетраэдрические поры меньших размеров но занимать их атомам углерода энергетически не выгодно. [6]

Рассмотрим систему, в которой унарная фаза Ф может считаться за идеальный газ Alt а бинарная фаза Ф - жидкая. [7]

Применение высоких давлений приводит также к существенному растворению газа в неподвижной фазе, что способствует образованию бинарной фазы. По-видимому, могут быть созданы такие условия, когда неподвижной фазой будет являться злюент, а величины удерживания будут определяться, различной растворимостью сорбата в одном и том же веществе, находящемся в газообразном и жидком состояниях. [8]

Предположим, что паровая фаза подчиняется уравнению идеальных газов; при рассмотрении равновесия пара с другими фазами будем считать его идеальным раствором - бинарной фазой. [9]

Применим ( 18 11 12) к идеальной системе, в которой унарная фаза Ф, образованная компонентом Аъ находится в твердом состоянии, а бинарная фаза Ф, образованная компонентами Д и Л2, - в жидком состоянии. Примем за начальное состояние системы то, в котором жидкая и твердая фазы образованы только компонентом At и находятся в равновесии при заданном давлении. [10]

При наличии в бинарных системах, кроме фаз Лавеса, соединений с другой кристаллической структурой, более термодинамически устойчивых, возможны случаи, когда две бинарные фазы Лавеса не будут находиться в равновесии друг с другом. Возможно, такой случай наблюдается в системе Zr - Ш - № [26], где на разрезе при 66 7 ат. [11]

В случае слабой взаимной растворимости жидкой фазы и элю-ента образуется тонкая жидкая пленка на поверхности жидкой фазы [45]; при большей взаимной растворимости происходит образование бинарной фазы. Поскольку толщина пленки обусловлена сорбционной способностью подложки, естественно, что она будет больше на адсорбенте, нежели на твердом носителе, в то же время адсорбент будет вносить существенный вклад в удерживание и форму пиков. [12]

Недавно предприняты первые попытки описания фундаментальных электронных свойств некоторых фаз в системе Si - А1 - О-N ( как компонентов сиалоновых керамик) в рамках методов вычислительной квантовой химии, где развиваются представления о вариации электронно-энергетических свойств бинарных фаз - основных реагентов в синтезе сиалонов ( SiO2, Si3N4, А12О3, A1N, обзор [10]) при введении в их состав различных допантов или при образовании на их основе твердых растворов либо многокомпонентных фаз. Рассмотрим основные результаты упомянутых исследований. [13]

Согласно правилу поперечного замещения [1], тройные полупроводниковые соединения AIBIIIC 1 ( A1 - Ag, Си; Вш - Ga, In, Те; CVI - S, Se, Те) можно рассматривать как аналоги бинарных фаз AnBVI ( А11 - Zn, Cd, Hg; BVI - S, Se, Те), которые в настоящее время широко используются в различных областях электронной техники. Ввиду глубокой общности характера сил межатомного взаимодействия в этих группах полупроводниковых соединений можно ожидать близость их основных физико-химических параметров, что делает соединения А1ВШС2 весьма перспективными для использования их в самом ближайшем будущем в различных полупроводниковых приборах. [14]

Диаграмма состояния системы А1 - Si, по Френкелю ( 1908 г., Робер-тсу ( 1914 г., Гвейеру ( 1926 г., Фил-липсу, ( 1927 г, Броневскому и Смялков-скому [ ( 1932. иШпенглеру ( 1955 г.. [15]

Страницы: 1 2 3