Твердая фаза - слой
Cтраница 1
 |
Схема псевдоожи-жеиной системы. [1] |
Твердая фаза слоя интенсивно перемешивается, что приводит к выравниванию температур и концентраций во всем объеме слоя. Благодаря этому устраняется опасность местных перегревов, поступающий в слой материал обрабатывается при постоянной температуре греющей среды. [2]
 |
Классификация типовых режимов работы печей-теплообменников. [3] |
Что касается величины массы твердой фазы слоя, то она определяется необходимым по условиям внутренней задачи временем пребывания частиц в слое и желательной производительностью. [4]
Результаты численных расчетов [106] свидетельствуют о возможности использования предположения об идеальном смешении по теплу и веществу в твердой фазе слоя. Это позволило построить и детально исследовать [105] более простую модель реактора с использованием допущений об идеальном перемешивании по теплу и веществу в твердой фазе и в газе плотной фазы слоя. В отличие от [106] в [105] рассмотрена нестационарная модель. [5]
Результаты численных расчетов [106] свидетельствуют о возможности использования предположения об идеальней смешении по теплу и веществу в твердой фазе слоя. Это позволило построить и детально исследовать [ 105 более простую модель реактора с использованием допущений об идеальном перемешивании по теплу и веществу в твердой фазе и в газе плотной фазы слоя. В отличие от [106] в [105] рассмотрена нестационарная модель. [6]
Первое слагаемое в правой части соотношения ( 2.2 - 9) представляет собой кинетическую энергий осредненного движения единицы массы твердой фазы слоя, второе слагаемое - плотность энергии хаотического движения 1 твердых частиц. Поскольку в данной главе для описания поведения твердой фазы псевдоожиженного слоя используются методы кинетической теории газов, совокупность твердых частиц иногда будет называться псевдогазом твердых частиц. [7]
Существующие в настоящее время математические модели подъема газовых пузырей в псевдоожиженном слое основываются на допущении о том, что движение твердой фазы слоя безвихревое. При этом необходимо предполагать, что выражение для тензора напряжений твердой фазы псевдоожиженного слоя имеет такой же вид, как. Как уже указывалось выше, такое предположение чрезмерно упрощает наблюдаемую картину движения фаз. Его использование обусловлено прежде всего тем, что оно дает возможность получить простое аналитическое решение задачи о движении газового пузыря в псевдоожиженном слое. [8]
 |
Экспериментальные выходные кривые процесса десорбции изопропилового спирта из угля СКТ-2 во взвешенном слое в периодическом режиме. [9] |
Концентрация адсорбтива в газовой фазе измеряется газоанализатором 6, в состав которого входят система газоснабжения СГС-2, ионизационно-пламенный детектор ДИП-3 и вторичный записывающий прибор ЭПП-09МЗ. Отбор пробы твердой фазы слоя для весового определения текущего значения величины адсорбции проводится периодически с помощью устройства 7, подвижность которого позволяет брать пробу из различных точек слоя. Непрерывное измерение и запись входной и выходной температуры газа осуществляется малоинерционными термопарами 8, 9 и вторичными приборами 10, 11 типа ЭПП-09МЗ. Для непрерывного измерения температуры частиц адсорбента в слое было установлено специальное устройство 12, в котором создается плотный движущийся слой адсорбента. Нижняя часть устройства выполнена таким образом, чтобы уменьшить возможность попадания струи газа в устройство и тем самым повысить точность измерений и обеспечить устойчивость режима плотного движущегося слоя в нем. [10]
Такая конструкция ротора позволяет при незначительном постороннем влиянии на гидродинамику слоя в целом осуществлять перемешивание твердой фазы в небольшом объеме. При вращении ротора, погруженного в пссвдоожнженный слой, градиент скорости в твердой фазе образуется за счет взаимодействия заторможенного кипящего слоя внутри ротора и движущейся твердой фазой свободного псевдоожнженного слоя. [12]
Недостатком эпитаксиальных транзисторов следует считать трудности получения однородных пленок на больших площадях. От этого недостатка свободен ламинарный транзистор, изготовленный методом тройной диффузии. Изготовление транзистора начинается получением из твердой фазы слоя п в исходном вы-сокоомном кремнии. Пластина подвергается предварительно осаждению пятиокиси фосфора на поверхность. Затем в печи в течение 50 ч проводится диффузия фосфора в кремнии. После диффузии область п сошлифовывают, оставляя тонкий слой - коллекторную область. Далее, на основе подготовленной пластины с коллектором начинается процесс изготовления планар-ного транзистора. [13]
Если в уравнении движения твердой фазы оставить инерционные члены, то в этом случае поле скорости твердой фазы может быть рассчитано только численно. Такой расчет показывает, что перемещения твердых частиц подобны перемещениям, вычисляемым при использовании для тензора напряжений такого же выражения, как и выражение для тензора напряжений идеальной жидкости. По этой причине Габор [127] считает, что использование в качестве модели движения твердой фазы слоя, модели, предполагающей, что твердая фаза перемещается как вязкая ньютоновская жидкость, неправомерно. [14]
 |
Структура стационарного процесса в неподвижном слое катализатора. [15] |
Страницы: 1 2