Изучение - тонкая структура
Cтраница 2
Изучение тонкой структуры генетической карты фага Т4, несмотря на ограниченность метода ( мы не знаем белков, к которым относятся цистроны А и В, и потому лишены возможности сопоставлять изменения в молекуле ДНК с изменениями в программируемом ею белке), дало для молекулярной биологии неоценимый экспериментальный материал. [16]
Для изучения тонкой структуры гистидинового локуса можно пользоваться вероятностью рекомбинации при трансформации только, если экспериментальные результаты надежно нормированы. [17]
 |
Электрическая схема датчика опорного напряжения. [18] |
При изучении тонкой структуры резонансных линий, осуществленном с помощью эталона Фабри - Перо, установлено, что контур линии 242 8 нм для всех ламп состоит из 2 компонент, тогда как контур линии 267 6 им для двухразрядной лампы и лампы с высокочастотным полым катодом однокомпонентный, а для лампы с полым катодом из технического золота - трехкомпонентный. Полуширина линии 267 6 нм, как установлено интерферометриче-скими измерениями, значительно меньше ( в 8 - 10 раз) полуширины линии 242 8 нм. По результатам работы [35], автор которой обнаружил относительное смещение линий излучения и поглощения, можно предположить, что для узких линий фактор относительного смещения приводит к более резкому уменьпению их чувствительности, чем это имеет место для широких линий. [19]
 |
Молодые колонии ( 7-часовые бактерий дизентерии, подвергающиеся фаголизису ( увеличение 80х. Колонии прижизненно флуо-рохромированы акридиновым оранжевым. [20] |
Ценные результаты по изучению тонкой структуры микробной клетки получены при помощи флуорохромирования акридиновым оранжевым, аурофосфином и берберином. [21]
Настоящая монография посвящена изучению тонкой структуры замагниченной плазмы на Солнце, образования и эволюции макроструктур явлений солнечной активности, состоящих из магнито-токовых маломасштабных элементов. [22]
В связи с изучением тонкой структуры спектров Уленбек и Гауд-смит выдвинули в 1925 г. гипотезу о существовании у электрона собственного механического и магнитного момента - спина. Если пропустить через неоднородное магнитное поле пучок атомов водорода, находящихся в основном ( Is) состоянии, то он разделяется на два пучка. Поскольку в состоянии Is орбитальный момент равен нулю, то весь магнитный момент атома сводится к спиновому магнитному моменту электрона. Магнитный спиновый момент протона и других ядер много меньше электронного и не сказывается на результатах эксперимента. [23]
В последние годы при изучении тонких структур хлоропластов во избежание артефактов, получаемых при приготовлении срезов для электронного микроскопа, применяется метод, основанный на предварительном быстром замораживании изучаемого объекта жидким фреоном при температуре - 150 без предварительно химической фиксации и обезвоживания материала. Срезы делают на замораживающем микротоме. [24]
На рис. 41 приведены результаты изучения тонкой структуры и химического состава осадков никеля. [26]
Это подтверждается, например, изучением тонкой структуры спектральных линий. [27]
Одним из наиболее распространенных количественных методов изучения тонкой структуры жидкостей является абсорбционный анализ. Технология подготовки жидкостей и стандартизация условий наблюдения - основные методические проблемы, которые приходится в данном случае решать исследователям. [28]
Обычно метод частичного гидролиза целлюлозы используют для изучения тонкой структуры природных и искусственных волокон совместно с методом электронной микроскопии, рентгеноскопией и определением равновесной влажности. [29]
Рентгеновские методы являются одними из основных в изучении тонкой структуры деформированных материалов, так как дают достаточно подробные дополнительные данные к прямым методам исследования, использующим, например, электронную и оптическую микроскопию. Преимущество этих методов в том, что материалы и изделия можно исследовать без разрушения и непосредственного контакта, не останавливая производства, а это обеспечивает создание системы неразрушающего контроля дефектной структуры кристаллических твердых тел, находящихся в рабочем состоянии. Для использования интерпретации экспериментальных результатов требуются детальные выражения, описывающие зависимость особенностей распределения интенсивности на дифрактограммах от параметров дислокационной структуры. В настоящей главе в ряде случаев с необходимой подробностью приведены функциональные зависимости и численные значения коэффициентов, определяющих связь экспериментальных данных с параметрами дефектной структуры кристалла. Кроме того, приведены новые результаты по теории рассеяния рентгеновских лучей сильно искаженными приповерхностными слоями и предсказаны рентгенодифракционные эффекты в кристаллах, которые содержат структуры, характерные для развитой пластической деформации материала. [30]
Страницы: 1 2 3 4