Изучение - дислокационная структура
Cтраница 1
Изучение дислокационной структуры показало, что в железе с 3 % Si краевые дислокации пробегают значительно большие расстояния, чем винтовые, так как винтовые дислокации более длинные. Винтовые дислокации легко совершают поперечное скольжение. Простая дислокационная картина, видимая при деформации 1 - 2 %, быстро перерождается при дальнейшем увеличении деформации в ячеистую структуру, в которой стенки ячеек содержат сложнопереплетенные скопления дислокаций, плотность которых увеличивается с ростом деформаций. [1]
При изучении дислокационной структуры дюралюминия Д16АТ после циклического нагружения авторами зафиксированы выходы дислокаций по плоскостям скольжения на поверхность. [2]
 |
Распределение микротвердости по толщине листа.| Взаимосвязь между физико-химическими свойствами толстолистовой стали и ее структурой. [3] |
При изучении дислокационной структуры стали в указанных зонах обнаружено, что плотность выхода дислокаций наиболее высокая в ликвационнои зоне и заметно повышается после предварительного отжига стали. [4]
Реактив применим также для изучения дислокационной структуры серебра. Ребра квадратных ямок травления параллельны направлениям ( 100) и ( НО); на плоскостях ( 111) образуются треугольные ямки травления. [5]
Исторически так сложилось, что как развитие теорий деформационного упрочнения, так и изучение дислокационной структуры начиналось преимущественно на кристаллах с ГЦК-решеткой. [6]
В данном случае необходимо комплексное применение ряда методов физических исследований и, главным образом, изучение дислокационной структуры материала на разных стадиях нагружения. [7]
На наш взгляд, такая система стадийности поликристаллов слишком сложна ( например, в этой схеме три параболических стадии), так для ее практического определения требуются сложные эксперименты по изучению дислокационной структуры. [8]
 |
Кривые деформирования монокристаллов меди.| Изменение ширины интерференционной линии меди Р (, и плотности дислокаций р на глубине образцов после работы на трение. [9] |
В работе [153] для исследования дислокационной структуры, соответствующей напряженному состоянию кристалла, образцы деформировали растяжением при 78 К и, не разгружая, подвергали нейтронному облучению при 4 - - 20 К, что позволило надежно фиксировать дислокации. Изучение дислокационной структуры с помощью электронной микроскопии показало, что для Си ( 99 999 %) поверхностная дислокационная структура соответствует более низким напряжениям, чем глубинная, а плотность дислокаций существенно ниже. Кроме того, рентгенографическими исследованиями в [153] установлено, что в процессе деформации первичные плоскости скольжения изгибаются вблизи поверхности образца в направлении вектора скольжения. [10]
 |
Зависимость s kT / D Gb от СЬ / у. [11] |
Из рисунка видно, что энергия дефекта упаковки, измеренная при комнатной температуре и уменьшающаяся в отношении 20: 1 с изменением концентрации алюминия от 0 до 16 ат. Изучение дислокационной структуры, образующейся при ползучести рассматриваемых твердых растворов до наступления стадии установившейся ползучести, показало [115], что этот факт можно объяснить снижением энергии дефекта упаковки с возрастанием температуры, которое происходит тем быстрее, чем выше энергия дефекта упаковки при комнатной температуре. [12]
С) на поверхности происходит пластическое течение, в то время как сердцевина образца находится в упругом состоянии. При разгрузке образца на поверхности образуются остаточные напряжения сжатия. Изучение дислокационной структуры алюминиевого сплава 2024 показало 293 (, что в первом полуцикле нагружения в приповерхностном слое глубиной до 100 мкм образуется структура с повышенной лотностью дислокаций. При дальнейшем циклическом нагружении растяжением - сжатием происходит выравнивание плотности дислокаций в приповерхностных слоях и внутренних объемах. Исследование 1294J монокристаллов алюминия и поликристаллов алюминиевого сплава рентгеноструктурным методом с применением двухкристально-го дифрактометра и топографии по Бергу - Баррету для визуализации дефектов кристаллической решетки показало, что после усталостных испытаний при растяжении-сжатии поверхностный слой имеет более высокую плотность дислокаций, чем в основном металле. [13]
РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дифракционного контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 105 - 104 см-2. Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. [14]
Страницы: 1