Cтраница 2
Nz - числа ( заселенности) активаторных частиц, соответственно обладающие энергией EI и Ez; Т - температура; k - постоянная Больцмана, равная 1 38 - 10 - 1в эрг / град; g1 и gz - статистические веса уровней или факторы вырождения, показывающие, сколько независимых состояний квантовой системы обладают одной и той же энергией. [16]
Чем отличается распределение носителей заряда по состояниям в разрешенных зонах и на примесных уровнях. Что учитывает фактор вырождения в функции распределения. [17]
Каждому из различимых расположений атомов соответствует отличное от других состояние. Чтобы рассчитать фактор вырождения ( он единственный, поскольку принимается, что имеется только один энергетический уровень ЕА Ед), мы должны знать полное число различимых атомных расположений. [18]
Вьшод модели может быть проведен путем, подобным изложенному в 16.3 для бинарного раствора. Примем, что фактор вырождения пропорционален числу различимых конфигураций ближайшего окружения при хаотичном распределении атомов. Главный член в функции распределения получается оптимизацией по вероятностям разных конфигураций. При этом используется 2 ( т - 1) уравнений материального баланса по решеткам замещения и внедрения. Максимизация может быть снова проведена с использованием полиномов Лагранжа. [19]
Найти температурный интервал, в котором концентрация электронов постоянна и равна концентрации доноров. К 1, а фактор вырождения равен двум. [20]
При этом между состояниями с заполненными долинами 1 и 2 всегда, даже при исчезающе малых U, существует переход первого рода. В процессе этих переходов фактор вырождения заполненных долин остается равным двум. Было показано, что для определенных значений деформации и концентрации электронов при изменении температуры могут происходить последовательные переходы, аналогичные тем, что имеют место при изменении деформации. [21]
Если е - / в - 1, то функция распределения газа отличается от максвелл-больцмановской и говорят, что газ вырожден. Величина e - i / e называется фактором вырождения, неравенства (14.28), (14.29) - критерием невырожденности, а противоположные неравенства - критерием сильного вырождения. [22]
Заметим, что значение фактора вырождения gjgm в уравнении ( 3 - 47) зависит от того, является ли переход разрешенным или запрещенным. Например, в то время как Льюис и Каша использовали для синглет-триплетного перехода значение фактора 3, Робинсон и Фрош [20] указали, что для запрещенного перехода соответствующий фактор зависит от фактора вырождения примешанного разрешенного-перехода, определяющего интенсивность. [23]
Сложность, с которой иногда встречаются на практике, заключается в том, что одинаковую энергию имеют два или более квантовых состояний. Такие системы называются вырожденными. При анализе системы в соответствующем месте должен быть введен фактор вырождения. Это приводит к количественным изменениям, но физическая сущность явлений, описанных выше, остается прежней. [24]
Входящие сюда параметры Ed, Ea, gd и § л, вообще говоря, определяются из опыта. В простейшем случае, когда вырождение примесного уровня связано только со спином электрона, фактор вырождения равен двум. Для полупроводника со сложной зонной структурой фактор вырождения зависит и от долинного вырождения ( с учетом расщепления за счет кристаллического поля), и от кратности вырождения соответствующих зон. [25]
Полученные основные формулы для газа, независимо от того, состоит ли он из частиц Бозе или частиц Ферми, существенно отличаются от соотношений, которые мы выводили в классической статистике. Вполне очевидно, что мы имеем дело с отступлениями от свойств классического идеального газа, обусловленными исключительно особенностями микрочастиц. Поэтому такие газы принято называть вырожденными газами, причем степень отклонения от свойств классической системы, или степень вырождения всецело зависит от константы В, входящей в основные формулы и называемой показателем, или фактором вырождения. Обычно различают слабое и сильное вырождение, смотря по величине В, которая, как увидим, может меняться в широких пределах в зависимости от различных условий. [26]
Входящие сюда параметры Ed, Ea, gd и § л, вообще говоря, определяются из опыта. В простейшем случае, когда вырождение примесного уровня связано только со спином электрона, фактор вырождения равен двум. Для полупроводника со сложной зонной структурой фактор вырождения зависит и от долинного вырождения ( с учетом расщепления за счет кристаллического поля), и от кратности вырождения соответствующих зон. [27]
Французы имели сравнительно большое число представителей, располагая приблизительно третью всех мандатов; они проявили также большое красноречие, но все же многого не достигли. Таким образом, и эта причуда была навсегда устранена. Принято же было внесенное ими довольно безобидное предложение - заняться изучением международного кредита с целью создать впоследствии при Интернационале центральный банк в духе Пру-дона. Хуже было то, что прешло предложение Толена и Фрибура об упразднении женского труда, так как он является фактором вырождения, причем женщине указывалось на ее место в семье. [28]
В общем виде анализ температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводнике представляет собой сложную задачу. Полупроводник может содержать несколько видов донор-ных и акцепторных примесей, что соответствует определенной степени его компенсации. Некоторые примеси могут отдавать или присоединять не один, а несколько электронов. Примесный атом может находиться не только в основном энергетическом состоянии, но и в возбужденном. Основное и возбужденное состояния характеризуются соответствующими факторами спинового вырождения. В некоторых полупроводниковых материалах валентная зона в центре зоны Бриллюэна оказывается вырожденной, что проявляется в увеличении фактора вырождения акцепторного состояния. Поэтому в каждом конкретном случае следует решить, чем можно пренебречь. [29]