Возрастание

Cтраница 2

Сопоставление радиусов ионов щелочных металлов в кристаллической решетке со скоростью их движения в водном растворе при напряженности поля 1 в /. [16]

Возрастание это, очевидно, связано с гидратацией. Маленький ( сухой) Li окружается толстой водной оболочкой и превращается в крупный Li, в то время как крупный ( сухой) Cs гидратирован слабо и его радиус в водном растворе относительно мал. [17]

Возрастание о при увеличении тока эмиттера вызвано, по-видимому, разбросом падения напряжения на базовом сопротивлении гг, ( рис. 1) при протекании базового тока. Непропорциональный рост сти при увеличении / э объясняется, по-видимому, модуляцией сопротивления базы из-за вытеснения тока к краям эмиттера. Разброс при малых токах эмиттера должен определяться разбросом прямого напряжения перехода эмиттер - база. Такой небольшой разброс напряжения для серийных транзисторов является неожиданным. Для разработчиков транзисторных схем открываются новые возможности использования транзисторов в схемах аналоговых и цифровых устройств. [18]

Возрастание же концентрации Cs в жидкой фазе приводит к метастабильности эмпирического равновесия, которое сохраняет устойчивость в интервале 10 t 30 час. [19]

Возрастание и убывание функции, наибольшие и наименьшие значения, достигаемые функцией во внутренних точках того отрезка, где она определена, составляют элементы, характеризующие ход изменения функции. В настоящей главе мы рассмотрим, как по заданной функции можно определить указанные характерные особенности ее изменения. Мы увидим, что эта задача решается при помощи понятия производной. [20]

Возрастание этой доли при повышении рН до 4 объясняется увеличением концентрации способствующих наводорожива-нию ионов HS - и S - 2 в результате усиления диссоциации сероводородной кислоты. В результате этого возрастает площадь поверхности металла, покрытой сульфидной пленкой. [21]

Возрастание tg6 с частотой настолько значительно, что не позволяет считать бумагу высокочастотным диэлектриком. [22]

Зависимость времени переходного процесса от величины возмущения. [23]

Возрастание по мере износа коэффициента KQ приводит к увеличению колебательности системы. [24]

Возрастание ( 5 может быть достигнуто при прочих равных условиях путем увеличения скорости потока соответствующей фазы с учетом того, что увеличение скорости обычно необходимо ограничивать ввиду одновременного возрастания расхода энергии на проведение процесса. [25]

Возрастание е и прохождение tg 8 через максимум при низких частотах является проявлением межслоевой поляризации. [26]

Возрастание этой функции объясняется тем, что при увеличении газосодержания скорость газа растет, поэтому растет и относительная скорость. Зона максимальной относительной скорости для каждого Frc const соответствует максимальным пульсациям давления при пробковой ( снарядной) структуре потока, когда газовые пробки, разрушая чередующиеся между ними слои жидкости, движутся с большими скоростями. [27]

Сопоставление радиусов ионов щелочных металлов в кристаллической решетке со скоростью их движения в водном растворе при напряженности поля I в /. [28]

Возрастание это очевидно, связано с тидра-тацией. Маленький ( сухой) Li окружается толстой водной оболочкой и превращается в крупный Li, в то время как крупный ( сухой) Cs гидра-тирован слабо и его радиус в водном растворе относительно мал. [29]

Возрастание его, способствуя турбулизации системы, снижает толщину диффузионного пограничного слоя и при достаточном перемешивании приводит к выходу из внешне-диффузионной области. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5