Cтраница 2
Схема к определению распирающих сил ( а и зова смятия вблизи линии реза ( б. [16] |
Возрастание напряжений от нуля до максимума на пояске смятия у режущей кромки наглядно подтверждается изменением чистоты поверхности в зоне смятия ( рис. 15, б) и является следствием изгиба заготовки и образования утяжины вблизи пуансона. [17]
Структурная схема телевизора Электроника Ц-431 Д. [18] |
Возрастание напряжения на VT18 / K передается через резистор R20 на вывод 2 микросхемы D1, изменяя ширину ее выходных импульсов таким образом, чтобы время закрытого состояния VT16 увеличилось, а значит, уменьшился размах импульсов на его коллекторе. [19]
Возрастание напряжения затвора при фиксированном напряжении стока приводит к возрастанию тока / с, вызывающем омическое падение напряжения И ( х) вдоль канала. Таким образом, разность потенциалов L / з - U ( x) вдоль канала убывает. [20]
Возрастание напряжения стрв зоне контакта заготовки с пуансоном затруднено вследствие действия сил трения на контактной поверхности, а также изгиба заготовки на кромке пуансона, что препятствует течению металла из-под торца пуансона. По мере увеличения угла а охвата заготовкой кромки матрицы, а соответственно и кромки пуансона радиус, координирующий опасное сечение, увеличивается, достигая наибольшего значения р г к моменту завершения охвата заготовкой кромок пуансона и матрицы. [21]
Возрастание напряжения генератора развертки происходит одновременно со снижением частоты лампового генератора от наибольшего до наименьшего значения для данного диапазона измерения. Таким образом, по мере снижения частоты генератора возрастает напряжение развертки, и точка на экране осциллографа перемещается слева направо. Каждому положению точки на экране соответствует строго определенная частота генератора и, что то же самое, частота ультразвуковых колебаний, однозначно связанная с толщиной. Перемещение точки на экране вправо соответствует возрастанию толщины. Положение импульса на экране однозначно связано с определенным значением резонансной частоты, пропорциональной расстоянию от поверхности до дефекта. [22]
Возрастание напряжения полезного сигнала на выходе каскада в конечном счете увеличивает чувствительность радиоприемника и дальность действия линии радиосвязи. [23]
Характеристики транзистора в режиме переключателя. а - для больших сигналов. б - для малых сигналов. [24] |
Возрастание постоянного модулируемого напряжения вплоть до значения U UM приводит к увеличению эмиттерного тока, после чего наступает насыщение. [25]
Формирование сигнала сброса без помехи при включении.| Схема повторного пуска с регулируемым начальным адресом. [26] |
Такое возрастание напряжения может помешать работе схемы. Особенно это проявляется в тех случаях, когда система содержит ОЗУ, выполненное по КМОП-технологии и эксплуатируемое как микромощная память с резервным источником питания. Как мы увидим позже, при этом сигнал сброса должен быть равен нулю до тех пор, пока микро - ЭВМ не восстановит полностью свою работоспособность, поскольку в противном случае может произойти потеря данных. Это условие может быть выполнено, например, с помощью схемы сброса, приведенной на рис. 21.15. Нормально-замкнутый контакт г реле R блокирует сигнал сброса RES путем подачи нулевого потенциала, пока напряжение питания V не превысит значения, равного 4 75 В. При этом ДЗ-триггеры G1 ( G2 служат для демпфирования контактов реле в соответствии с методом, описанным в разд. [27]
Увеличение катодного падения потенциала при уменьшении расстояния между электродами ъ лампе с тлеющим разрядом. [28] |
Это возрастание напряжения начинается тогда, когда межэлектродное расстояние становится недостаточным для того, чтобы в нем уместились область катодного падения потенциала и начало катодного тлеющего свечения. Возрастание напряжения обусловливается тем, что электроны, вышедшие из катода, должны создать достаточное количество ионов на меньшей длине пути. [29]
Тогда возрастание напряжения сдвига должно быть пропорционально росту давления и статического коэффициента трения. [30]