Возрастание - ток - коллектор
Cтраница 1
Возрастание тока коллектора за счет тока эмиттера можно объяснить тем, что сопротивление коллекторного перехода зависит от тока эмиттера. Действительно, пусть в эмиттерном переходе нет значительного тока. Тогда область коллекторного перехода имеет большое сопротивление, так как основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе стороны от него создаются области, лишенные основных носителей. [1]
При возрастании тока коллектора ток эмиттера также растет, увеличивая падение напряжения на резисторе R3, что уменьшает напряжение смещения на базе транзистора. В результате ток коллектора возрастает незначительно. [2]
 |
Коллекторная ( а и эмиттерная ( б схемы стабилизации положения рабочей точки транзистора. [3] |
При возрастании токов коллектора и эмиттера возрастает падение напряжения на резисторах R3 и RK. Это одновременно изменяет напряжение между базой и землей, эмиттером и землей, коллектором и землей. Но для транзистора важны не абсолютные, а относительные значения напряжений на электродах. [4]
При возрастании тока коллектора увеличивается амплитуда напряжения в контуре LKCK, но одновременно увеличивается и ток эмиттера. [5]
 |
Схема движения электронов и дырок в триоде р-п - р.| Эквивалентные схемы усилительных ступеней с электронной лампой ( а и полупроводниковым триодом ( б. [6] |
Это вызывает уменьшение его сопротивления и возрастание тока коллектора. [7]
Характерным для преобразователя напряжения с самовозбуждением и насыщающимся трансформатором является кратковременное возрастание тока коллектора в момент запирания транзистора. Поскольку транзистор при этом находится в активной области, на нем рассеивается значительная мощность. [8]
При расчете выходного каскада на минимальное время установления импульс коллекторного тока выбирается максимально допустимым для избранного типа транзистора с учетом возможного возрастания тока коллектора при изменении температуры. Начиная расчет усилителя и производя выбор режима выходного каскада, следует, во всяком случае первоначально, исходить из полного использования транзистора по импульсу тока. [9]
 |
Выбор режима работы выходного каскада по характеристикам / к Ф ( Ек при. б const и импульсе положительной полярности на выходе усилителя. [10] |
При расчете выходного каскада на минимальное время установления импульс коллекторного тока выбирается максимально допустимым для избранного типа транзистора с учетом возможного возрастания тока коллектора при изменении температуры. [11]
Наличие электрического поля в базе планарного транзистора приводит к тому, что крутизна вольт-амперной характеристики 1К ( УЭ) уменьшается по мере возрастания тока коллектора при работе в режимах высоких уровней инжекции. Следовательно, - в модели транзистора должно быть отражено и это явление. [12]
 |
Схема с эмиттерной стабилизацией режима питания транзистора. [13] |
С увеличением тока эмиттера модуль напряжения база - эмиттер возрастает, а так как это напряжение минусом подается на базу транзистора, то сильнее препятствует возрастанию тока коллектора. Таким способом и осуществляется поддержание коллекторного тока на одном уровне. [14]
При этом на выходе получается напряжение, симметричное относительно оси времени. Увеличение отрицательного напряжения на входе приводит к возрастанию тока коллектора и падению напряжения на нагрузке. При определенном значении входного напряжения наступает насыщение, при котором дальнейшее изменение входного напряжения не приводит к изменению коллекторного тока. Осуществляется ограничение входного напряжения снизу. [15]
Страницы: 1 2