Возрастание - коллекторный ток
Cтраница 1
Возрастание коллекторного тока СТК, обусловленное насыщением сердечника трансформатора ДПН, происходит весьма быстро. Однако от момента формирования сигнала запирания до начала спада коллекторного тока биполярного транзистора проходит время, определяемое скоростью вывода и рассасывания накопленного заряда и составляющее единицы микросекунд. Из-за этой задержки при запирании транзистора коллекторный ток успевает существенно возрасти против порогового значения. [2]
Известно, что с увеличением температуры транзистора происходит возрастание коллекторного тока, что при малом или нулевом сопротивлении нагрузки приводит к увеличению мощности, рассеиваемой в транзисторе. [3]
Увеличение обратного тока коллекторного перехода с ростом температуры вызывает возрастание общего коллекторного тока. При прохождении тока / ко по сопротивлению базового смещения происходит дополнительное изменение коллекторного тока. Действительно, увеличение тока / ко при повышении температуры приводит к увеличению напряжения на эмиттерном переходе. В результате возрастает ток эмиттера, а это вызывает еще большее увеличение коллекторного тока. [4]
Из уравнения ( 86) следует, что ток базы открытого триода триггера уменьшается при возрастании неуправляемого коллекторного тока запертого триода. [5]
Как видно из схемы рис. 4.3, отрицательный знак в уравнении (4.19) появляется за счет того, что при возрастании коллекторного тока ток базы должен уменьшаться. [6]
 |
Коллекторная стабилизация выходного тока при включении транзистора. [7] |
Если почему-либо ток покоя выходной цепи стремится возрасти, падение напряжения на Z увеличивается, напряжение на RM уменьшается и ток смещения базы падает, что снижает возрастание коллекторного тока. При стремлении тока покоя коллектора уменьшиться описанный процесс автоматического регулирования тока через транзистор происходит обратным образом. [8]
 |
Схема центровки растра по вертикали ( буквами Д и Ж. [9] |
Из-за наличия ПОС любое случайное изменение тока одного ] з транзисторов приводит к лавинообразному процессу, существенно изменяющему режим их работы. Так, возрастание коллекторных токов вызывает увеличение то-коа в цепи базы, которые в свою очередь приводят к еще большему росту коллекторных токов и так до того времени, когда токи баз начинают значительно превышать значения, необходимые для поддержания транзисторов в усилительном режиме, - транзисторы переходят в режим насыщения. Теперь напряжения коллектор-эмиттер транзисторов составляют доли вольта, коэффициент усиления обоих каскадов падает, и поэтому ток заряда конденсаторов уменьшается. [10]
Известно, что с увеличением температуры транзистора происходит возрастание коллекторного тока, что три малом или нулевом сопротивлении нагрузки приводит к увеличению мощности, рассеиваемой в транзисторе. [11]
ТЗ, будет равен нулю. Возбуждение входных цепей транзисторов производится в противофазе, поэтому возрастанию коллекторного тока одного транзистора будет соответствовать уменьшение тока в цепи другого транзистора, изменение разностного тока в цепи нагрузки будет в два раза больше изменения тока в коллекторной цепи каждого-из транзисторов. [12]
С появлением в цепи база-эмиттер транзистора Т1 отрицательной полуволны напряжения полезного сигнала в коллекторной пепи этого транзистора возникает импульс тока, который будет проходить по цепи от плюса источника питания через сопротивление нагрузки, разделительный конденсатор и промежуток эмиттер - коллектор. В цепи база-эмиттер транзистора Т2 в это время действует положительная полуволна напряжения полезного сигнала, под воздействием которой запирается и цепь базы этого транзистора, и его коллекторная цепь. По мере возрастания коллекторного тока возрастает и напряжение на нагрузке, а напряжение на участке эмиттер-коллектор, транзистора Т1 умА) ь-шается. Емкость разделительного конденсатора должна быть достаточно большой, чтобы конденсатор не получал заметного дополнительного заряда за время, равное половине периода напряжения сигнала нижней частоты FH диапазона. [13]
Вследствие отрицательной обратной связи по напряжению выходное сопротивление тоже уменьшается. Это происходит потому, что одновременно с коллекторным потенциалом возрастает базовый ток через резистор RN. В связи с этим изменение выходного напряжения приводит к возрастанию коллекторного тока. [14]
У) линейно нарастает во времени. Следовательно, коллекторный ток t K t H ie j также линейно нарастает. Ток базы j6 ig / n остается при этом постоянным. Возрастание коллекторного тока при неизменном - значении тока базы вызывает уменьшение степени насыщения транзистора. [15]
Страницы: 1 2