Возрастание - кинетическая энергия
Cтраница 4
Половина разведенных таким образом электронов переходит при этом к состоянию движения с большей энергией, поскольку все состояния с меньшей энергией оказываются занятыми. Подобный развод электронных пар, связанный с их ориентацией и возрастанием кинетической энергии, продолжается до тех пор, пока это возрастание еще компенсируется уменьшением магнитной энергии. В результате, при не слишком сильных магнитных полях, получается слабое намагничивание, прямо пропорциональное магнитному полю и обратно пропорциональное абсолютной температуре. [46]
 |
Зависимость показателей пылеулавливания от начальной запыленности газа. [47] |
Высота пены еще мала. Улучшение показателей пылеулавливания с увеличением скорости газа вызвано, во-первых, возрастанием кинетической энергии пылинок и, во-вторых, повышением высоты подвижной пены. Это объясняется тем, что отрицательное влияние уменьшения времени контакта фаз ( при росте WT) в данном процессе с избытком компенсируется увеличением скоростей пульсации пылинок в турбулентных вихрях и ростом поверхности контакта фаз при повышении Я. [48]
На рис. 4 приведена зависимость потенциальной энергии двухатомной молекулы от расстояния между атомами E ( R -); Re - равновесное расстояние между атомами в молекуле; D - энергия диссоциации. Резкий рост кривой при малых R объясняется сильным отталкиванием ядер и возрастанием кинетической энергии электронов при уменьшении области их локализации. [49]
Таким образом, переходя на язык квазичастиц, можно сказать, что внутримолекулярный энгармонизм в рассматриваемом случае приводит к уменьшению энергии кристалла при сближении квазичастиц и, таким образом, способствует их притяжению. Однако локализация квазичастиц ( внутримолекулярных фононов) на одной молекуле приводит к возрастанию кинетической энергии их относительного движения. Поскольку эта энергия по порядку величины не превышает ширины энергетической зоны фонона, состояния связанных друг с другом фононов заведомо возникают, если энергия энгармонизма велика по сравнению с шириной энергетической зоны фононов. В этом случае в области частот обертона наряду с зоной энергий двухчастичных состояний, отвечающих независимому движению двух фононов, возникают расположенные несколько ниже по шкале частот ( при А 0) также состояния бифононов. В предельном случае слабого межмолекулярного взаимодействия бифононы переходят в состояния изолированных молекул, возбужденных на второй колебательный уровень. [50]
Так, увеличение мощности на перемешивание приводит, с одной стороны, к увеличению частоты столкновений кристаллов, возрастанию кинетической энергии частиц. Рост кинетической энергии частиц приводит к более быстрому преодолению потенциального барьера, возникающего между частицами за счет сил отталкивания, что в свою очередь способствует агрегации кристаллов. С другой стороны, увеличение мощности на перемешивание приводит к таким явлениям в ансамбле кристаллов, как дробление, истирание кристаллов, появление вторичных зародышей. Явления вторичного зародышеобразования могут протекать только на четвертом уровне. Вторичные зародыши образуются при столкновениях кристалл - кристалл, кристалл - мешалка, кристалл - стенка аппарата. [51]
Предположение о том, что электрон можно описывать как квазисвободиую частицу, опирается на представление о слабости взаимодействия между электроном и атомами в жидкости. Соответственно необходимо, чтобы потенциал притяжения ядра, действующий на электрон при его проникновении в оболочку, балансировался возрастанием кинетической энергии электрона вблизи ядра. Из данного ограничения следует, что псевдопотенциал атома должен быть малым. Но такие условия не выполняются в случае жидкого гелия. Длина рассеяния для системы электрон - гелий относительно велика ( 1 2 а. [52]
Страницы: 1 2 3 4