Cтраница 2
Структура ( э и вольт-амперная характеристика ( б диодного тиристора. [16] |
Происходит быстрое возрастание тока через тиристор, сопровождающееся сильной инжекцией носителей заряда обоими эмиттерами. Коллекторный р-л-переход входит в режим насыщения ( открывается), падение напряжения на тиристоре становится малым, близким к напряжению на открытом р-п-переходе, тиристор включается. Вольт-амперная характеристика тиристора ( рис. 47, б) имеет три участка: с большим сопротивлением 7, когда прибор закрыт; с отрицательным сопротивлением 2; с малым сопротивлением 3, когда прибор открыт и ток через него определяется практически внешней цепью. Переход из открытого состояния в закрытое происходит при снижении ( внешней цепью) тока через прибор до значения / выкл. [17]
Такое быстрое возрастание плотности при уменьшении размера пор может привести к тому, что вещество, практически не адсорбирующееся на плоской поверхности и в крупных порах, будет заметно адсорбироваться в порах малого размера. [18]
Ввиду быстрого возрастания do с уменьшением 6 малые углы рассеяния играют исключительную роль. [19]
Из-за быстрого возрастания kf и ограниченной разрешимости дисплея ( это не более 0.5 % от максимального значения на графике) мы видим всего одну точку f ( km), перед которой, как нам ошибочно кажется, идут нули и за которой идут числа inf ( см. разд. Точно так же графика обходится и с переменной NaN, и это обстоятельство может быть иногда полезным. [20]
Касаясь быстрого возрастания тока, приводящего к падению напряжения, Дэвис и Бионди принимают лавинный механизм Пашена для газового разряда в анодном паре: электроны на пути свободного пробега набирают энергию, достаточную для ионизации нейтральных атомов. Каждый акт ионизации дает дополнительно свободный электрон, который в свою очередь принимает участие в следующем цикле ионизации, экспоненциально увеличивая количество электронов. [21]
Такому быстрому возрастанию теплопроводности при низких температурах отвечает очень большая длина свободного пробега фо-нонов. [22]
Благодаря быстрому возрастанию чувствительности таких приборов с увеличением частоты регистрируемых колебаний, они отличаются высокой селективностью и поэтому реагируют только на колебания наибольшей частоты. [23]
При быстром возрастании уровня радиации наблюдатель уходит в укрытие. Для определения уровня радиации на местности из укрытия нужно знать коэффициент ослабления ионизирующих излучений. Этот коэффициент определяют практически, проводя два замера - вне укрытия и в укрытии. Отношение этих замеров и является коэффициентом ослабления ионизирующих излучений. [24]
При быстром возрастании интенсивности импульса на его переднем фронте фаза изменяется во времени. Когда интенсивность импульса падает, сдвиг частоты направлен в противоположную сторону. [25]
Несмотря на быстрое возрастание о с напряженностью поля, которое значительно превышает соответствующее возрастание в закиси меди, диэлектрическая прочность селена оказывается выше, чем у закиси меди. [26]
Применение и быстрое возрастание роли углеводородов в качестве сырья или полупродуктов тесно связаны с развитием промышленности синтетических полимерных материалов - синтетических каучуков, пластических масс и синтетических смол, синтетических волокон, а также других химических продуктов. [27]
Как пример быстрого возрастания мягкости даже в пределах комнатной темп-ры в табл. 2 представлены данные о нек-рых асфальтах, причем мягкость их охарактеризована значением проницаемости по Маркус-сону. [28]
Диаграммы напряжений в схеме триггера. [29] |
Для получения более быстрого возрастания анодного напряжения запираемой лампы емкость конденсатора связи не должна превышать величину, нужную для удовлетворительного запуска мультивибратора. Она должна быть больше входной емкости отпираемой лампы с тем, чтобы запускающий импульс заметно не ослаблялся емкостным делителем напряжения, образованным емкостью связи и паразитными емкостями. [30]