Cтраница 3
При погружении ионного кристалла в раствор, содержащий собственные ионы, довольно быстро устанавливается динамическое равновесие, при котором ионы поверхностного слоя кристалла переходят в раствор, но такое же количество их поступает в решетку из раствора. Первым процессом, приводящим к адсорбции радиоактивных изотопов, и является кинетический обмен ионами между поверхностью кристалла и раствора. В самом деле, если в растворе есть посторонние ионы, могущие входить в поверхностный слой кристаллической решетки осадка, то в результате такого обмена часть этих ионов перейдет в поверхностный слой кристалла. Этот вид адсорбции и называется первичной обменной адсорбцией. Совершенно очевидно, что ионы ThB будут обмениваться с ионами поверхности кристалла до тех пор, пока отношения обоих сортов ионов на поверхности и в объеме раствора не станут одинаковыми. [31]
Прибавление неизоморфных ионов может влиять на процент адсорбции только косвенно, изменяя какую-либо величину, входящую в приведенное уравнение. Такой величиной, по-видимому, является концентрация собственных ионов т, а влияние посторонних ионов сводится к изменению растворимости осадка. Мало вероятно влияние посторонних ионов на коэффициент активности при малых концентрациях прибавленной соли. Надо сказать, что и сам вопрос о влиянии посторонних ионов на первичную обменную адсорбцию изучен еще недостаточно. [32]
Рост кристалла в растворе, содержащем микрокомпонент, происходит в большинстве случаев путем отложения на его гранях полимолекулярных слоев S частиц макрокомпонента. При этом микрокомпонент захватывается слоем S в процессе роста ступеней. На поверхности слоя S располагается слой А, удерживаемый на слое S силами вторичной ионной или молекулярной адсорбции. Между слоями S и Л ( ут 0) в течение времени т происходит обмен микрокомпонентом ( первичная обменная адсорбция), который прерывается через время t отложением следующего слоя S, замуровывающего предыдущий слой. Перераспределение микрокомпонента, происходящее в результате обмена в течение времени т, приводит к изменению концентрации микрокомпонента в слое S ( о первичной и вторичной адсорбции см. гл. [33]
Уравнение ( 77) дает также зависимость процента адсорбции от концентрации собственных ионов. В правой части уравнения изменяющейся величиной является число обменивающихся ионов на поверхности 1 г осадка. При изменении концентрации собственных ионов меняется заряд поверхности. При этом на поверхности может возникнуть как положительный, так и отрицательный заряд. Поэтому изменение числа катионов служит мерой отклонения состава поверхностного слоя от стехиометрического. Изучение изменения процента первичной обменной адсорбции при изменении концентрации собственных ионов осадка позволяет судить о степени покрытия поверхности осадка заряженными участками. [34]
Уравнение ( 39) дает также зависимость процента адсорбции от концентрации собственных ионов. В правой части уравнения изменяющейся величиной является число обменивающихся ионов на поверхности 1 г осадка. При изменении концентрации собственных ионов меняется заряд поверхности. При этом на поверхности может возникнуть как положительный, так и отрицательный заряд. Поэтому изменение числа катионов служит мерой отклонения состава поверхностного слоя от стехиометрического. Изучение изменения процента первичной обменной адсорбции при изменении концентрации собственных ионов осадка позволяет судить о степени покрытия поверхности осадка заряженными участками. [35]