Cтраница 1
Скачкообразное возрастание тока в диэлектрике сопровождается образованием узкого канала, идущего от одного электрода к другому ( как и в случае теплового пробоя), сечением в несколько десятых квадратного миллиметра. [1]
Скачкообразное возрастание тока в диэлектрике сопровождается образованием узкого канала, идущего от одного электрода к другому ( как и в случае теплового пробоя), сечением в несколько десятых квадратного миллиметра. [2]
Простейший ключ ( а, график напряжения на входе и выходе ключа, ( в и структурная схема ключевого стабилизатора ( б. [3] |
В стабилизаторах с последовательным включением регулирующего транзистора при скачкообразном возрастании тока нагрузки в индуктивности фильтра будет иметь место переходный процесс, характеризуемый резким изменением напряжения на входе стабилизатора. [4]
Часто можно выделить две стадии пробоя твердых диэлектриков: нарушение электрической прочности ( скачкообразное возрастание тока) и разрушение диэлектрика ( тепловое или механическое) - в частности, образование узкого канала сквозь диэлектрик от одного электрода к другому. [5]
Разделение пробоя на две стадии сделано в предположении, что нарушение электрической прочности ( скачкообразное возрастание тока) не может мгновенно привести к разрушению диэлектрика. Процесс пробоя твердых диэлектриков происходит в течение 1СГ7 - 10 8 сек, следовательно, есть основания полагать, что первая стадия пробоя - нарушение электрической прочности - развивается за время не более 10 8 сек. [6]
Разделение пробоя на две стадии сделано в предположении, что нарушение электрической прочности ( скачкообразное возрастание тока) не может мгновенно привести к разрушению диэлектрика. Процесс пробоя твердых диэлектриков происходит в течение 10 - 7 - 10 8 сек, следовательно, есть основания полагать, что первая стадия пробоя - нарушение электрической прочности - развивается за время не более 10 - 8 сек. [7]
Перед пробоем ток в твердом диэлектрике увеличивается по экспоненциальному закону, а непосредственно перед наступлением пробоя наблюдается скачкообразное возрастание тока. [9]
Электрическая схема ГРОМ-1. [10] |
При понижении уровня, как только количество импульсов, поступающее на тиратрон, превысит порог срабатывания, на выходе магнитного усилителя происходит скачкообразное возрастание тока и загорается сигнальная лампочка. Если уровень ниже датчика и между источником и датчиком отсутствует контролируемая среда, магнитный усилитель открыт, горит сигнальная лампочка. [11]
При увеличении разности потенциала на электродах ионизационного датчика, до определенного значения, наблюдается заметное отклонение от закона Ома. С достижением критического потенциала на электродах датчика происходит пробой поверхностного барьера на участке твердое тело - адсорбированный газ, приводящий к скачкообразному возрастанию тока в замкнутом электрическом контуре. [12]
Рассмотрим некоторые экспериментально установленные закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков. В условиях равномерного электрического поля, при отсутствии короны и краевых разрядов у электродов электрический пробой твердых диэлектриков наступает при напряженностях электрического поля, равных 106 - 107 в / см. При достижении этих критических значений напряженности электрического поля происходит почти скачкообразное возрастание тока, вслед за чем в диэлектрике образуется проводящий канал. [13]
Увлажнение поверхности изолятора повышает ее проводимость, в результате чего увеличивается ток утечки по изолятору и нагревается проводящая пленка. На тех участках изолятора, где плотность тока наибольшая, происходит интенсивная подсушка, и в этих местах образуются зоны, имеющие высокое сопротивление. Распределение напряжения по изолятору меняется, и к подсушенным участкам будет приложено повышенное напряжение, что может привести к их перекрытию и образованию частичных разрядов, шунтирующих эти участки. Сопротивление дут частичного разряда сравнительно невелико, и поэтому их появление, во-первых, резко снижает общее сопротивление изолятора, что приводит к скачкообразному возрастанию тока утечки, и, во-вторых вновь вызывает резкое перераспределение напряжения по его поверхности. [14]
Принципиальная схема анодной ( токовой защиты корпуса металлической ванны химического никелирования. [15] |