Фарад

Cтраница 2

Единицы индуктивности и емкости - генри а фарад - при рационализации не могут измениться. Поэтому рационализуются сами понятия Цо и во. [16]

Основной единицей емкости в системе СИ является фарад ( Ф), 1 Ф 1 Кл / В 1 А - с / В. В электротехнической практике обычно используются дольные единицы емкости: микрофарад ( мкФ), 1 мкФ 1 l ( fe Ф, нанофарад ( нФ), 1 нФ ЫО-9Ф, и пикофарад ( пФ), 1 пФ ЫО-12Ф. [17]

Обозначения: вольт, ом, ампер, кулон, фарад и F ( см. ниже) приняты в честь Вольта, Ома, Ампера, Кулона и Фарадея, имеющих большие заслуги в развитии учения об электричестве. [18]

Конденсаторы, применяемые в радиотехнике, имеют электроемкости, значительно меньшие фарада. [19]

Поэтому для практических целей за единицу емкости принята одна миллионная доля фарада, называемая микрофарадам. [20]

Следует различать абсолютную диэлектрическую проницаемость бо, равную 8 8542 - Ю-12 фарад - В - м - 1, и относительную диэлектрическую проницаемость е, которая характеризует изменение диэлектрической - - проницаемости материала по сравнению с вакуумом при одинаковой напряженности электрического поля, зависит от частоты электрического поля и температуры. [21]

Схема дифференцирующего звена в цепи переменного тока.| Схема включения динамической емкости. I.| Схемы корректирующих звеньев с трансформатором. а - дифференцирующий трансформатор. б - схема с дополнительным воздействием, пропорциональным входному напряжению. [22]

При относительно большом маховом моменте не представляет затруднений осуществить динамическую емкость порядка нескольких фарад и даже десятков фарад. [23]

Емкость таких конденсаторов ( их называют бумажными) обычно не превосходит миллионных долей фарада. [24]

Следует различать абсолютную диэлектрическую проницаемость ЕО, равную 8 8542 - Ю - 8 фарад - В-1-м -, и относительную диэлектрическую проницаемость е, которая характеризует изменение диэлектрической проницаемости материала по сравнению с вакуумом при одинаковой напряженности электрического поля, зависит от частоты электрического поля н температуры. [25]

Следует различать абсолютную диэлектрическую проницаемость, е, равную 8 8542 - 10 - г фарад - В - - м -, и относительную диэлектрическую проницаемость е, которая характеризует изменение диэлектрической проницаемости материала по сравнению с вакуумом при одинаковой напряженности электрического поля, зависит от частоты электрического поля н температуры. [26]

Авогадро, а & N е - заряд 1 моля электронов, равный 96485 Кл, или 1 фарад ею. [27]

Впоследствии ( § 34) выяснится, что единица, в которой выражена величина е0, может быть названа фарад на метр, где фарад ( Ф) - единица электрической емкости. [28]

Впоследствии ( § 34) выяснится, что единица, в которой выражена величина е0, может быть названа фарад на метр, где фарад ( ф) - единица электрической емкости. [29]

Впоследствии ( § 34) выяснится, что единица, в которой выражена величина е0, может быть названа фарад на метр, где фарад ( Ф) - единица электрической емкости. [30]

Страницы: 1 2 3 4