Изучение - фотопроводимость
Cтраница 1
Изучение фотопроводимости методом види-кона позволяет оценить основные параметры, влияющие на фотопроводимость: эффективность генерации носителей, пробег носителей, дрейфовую скорость. Наконец, метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии внес определенную ясность в динамику возбужденных носителей в аморфных полупроводниках, в частности для процесса фото потемнения халькогенидного стекла As2S3, а также оптически освещенного a - Si: Н, полученного в тлеющем разряде. [1]
 |
Зависимость концентрации ПМЦ образцов ПАН-волокна от температуры термообработки.| Кинетика роста внутренних напряжений ( ст поли-акрилонитрильного волокна при 145 ( /. 175 ( 2. 215 ( 3. [2] |
Изучение фотопроводимости [9-17] и электронного парамагнитного резонанса [9-10] на различных стадиях пиролиза также подтверждает выводы о превращении ПАН при нагревании в полимер с сопряженными связями. [3]
При изучении фотопроводимости вводится понятие квантового выхода внутреннего фотоэффекта Цф. Величина цф равна отношению числа рожденных электронно-дырочных пар к числу возбуждающих квантов света, поглощенных в веществе. [4]
В последние годы изучение фотопроводимости и фото-электродвижущих сил проводится особенно интенсивно и отмечено тем общим подъемом, который характеризует современное развитие всей физики полупроводников. [5]
Большой проблемой при изучении фотопроводимости антрацена является происхождение зарядов. Вначале считали, что носители образуются в результате перескока электронов через запрещенную зону, подобно тому как это происходит в собственном полупроводнике. [6]
Наконец, в опытах по изучению импульсной фотопроводимости найдено, что числа положительных и отрицательных носителей, вызванных импульсом света, не одинаковы, и отношение их зависит от состояния поверхности кристалла. [7]
Как показало изучение фотопроводимости [104], облучение в области основного поглощения окиси цинка приводит к образованию электронов и дырок. [8]
Можно возразить, что фотоэмульсия, представляющая взвесь микрокристаллов в желатине, является априори слишком сложной системой для изучения фотопроводимости. Однако нам казалось, что исследование фотопроводимости может явиться ценным средством для изоляции первичной стадии фотографического процесса от последующих ступеней, которые должны быть пройдены до образования скрытого изображения. [9]
Причиной диффузии вглубь тела носителей тока лишь одного знака является, полагают, захват носителей тока другого знака примесными центрами. Эти явления захвата ( прилипания) носителей тока не во всех случаях экспериментально доказаны, но о них часто говорят, так как они дают возможность придумывать для объяснения сложных экспериментальных закономерностей, наблюдаемых при изучении фотопроводимости, сложные механизмы внутреннего фотоэффекта. Будущее развитие этого раздела полупроводниковой физики покажет, насколько верны эти предположения. Итак, экспериментальным фактом является то обстоятельство, что частотная область фотопроводимости сравнительно очень узка. [10]
Недавно я узнал, что Еременко и Медведев [6] пришли к аналогичному выводу при изучении квантового выхода люминесценции и величины фототока в зависимости от длины волны. Есть много других экспериментальных фактов, подтверждающих правильность этого механизма. Например, давно было установлено, что при изучении фотопроводимости методом постоянного тока величина фототока заметно зависит от состояния поверхности кристаллов, а Калманн и Поуп [7] недавно показали, что при использовании электролитных электродов введение дырок в антрацен заметно усиливается, если в электролите есть атомы иода. [11]
 |
Схема опыта для измерения фотопроводимости. [12] |
При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зану проводимости или на локальные уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника ( см. гл. Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собственная фотопроводимость, которую создают носители обоих знаков. При этом, очевидно, энергия фотона должна быть не меньше ширины запрещенной зоны. Таким образом, изучение фотопроводимости дает еще один метод измерения ширины запрещенной зоны. [13]
Страницы: 1